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何兰英

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：峨嵋半导体材料厂更多>>
相关领域：语言文字更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文标准

领域

  • 4篇语言文字

主题

  • 3篇晶体
  • 3篇半导体
  • 2篇体缺陷
  • 2篇晶体缺陷
  • 2篇硅
  • 1篇单晶
  • 1篇多晶
  • 1篇锑化物
  • 1篇锑化铟
  • 1篇抛光片
  • 1篇完整性
  • 1篇无机
  • 1篇无机化合物
  • 1篇晶向
  • 1篇化合物
  • 1篇硅晶
  • 1篇硅晶体
  • 1篇硅抛光片
  • 1篇半导体材料
  • 1篇铟

机构

  • 4篇峨嵋半导体材...

作者

  • 4篇何兰英
  • 3篇王炎
  • 2篇张辉坚
  • 2篇刘阳
  • 1篇杨旭
  • 1篇张梅

年份

  • 4篇2009
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
本标准规定了硅抛光氧化绣生缺陷的检验方法。本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中绣生或增强的晶体缺陷的检测。硅单晶氧化绣生缺陷的检验也可参照此方法。
何兰英王炎张辉坚刘阳
关键词：半导体材料硅晶体缺陷半导体
文献传递
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
本标准规定了择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。本标准适用于晶向为<111>、<100>或<110>、电阻率为10<up -3>Ω?m～10<up 4>Ω?m、位错密度在0cm<up -2>～10<up 5>cm<up ...
何兰英王炎张辉坚刘阳
关键词：晶体缺陷晶体硅半导体
文献传递
半导体单晶晶向测定方法
本标准规定了半导体单晶晶向X射线衍射定向和光图定向的方法。本标准适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的表面取向。
杨旭何兰英
关键词：半导体晶体
文献传递
锑化铟多晶、单晶及切割片
本标准规定了锑化铟多晶、单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法等。适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。
王炎何兰英张梅
关键词：锑化物
文献传递
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