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王炎

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：峨嵋半导体材料厂更多>>
相关领域：语言文字电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇标准
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇语言文字
  • 2篇电子电信

主题

  • 5篇硅
  • 4篇半导体
  • 3篇多晶
  • 3篇晶体
  • 2篇单晶
  • 2篇体缺陷
  • 2篇金属
  • 2篇晶体缺陷
  • 1篇电池
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇锑化物
  • 1篇锑化铟
  • 1篇抛光片
  • 1篇区熔
  • 1篇区熔硅单晶
  • 1篇区熔炉
  • 1篇重金
  • 1篇重金属
  • 1篇完整性
  • 1篇无机

机构

  • 8篇峨嵋半导体材...

作者

  • 8篇王炎
  • 4篇张辉坚
  • 3篇何兰英
  • 2篇罗莉萍
  • 2篇蒋蓉
  • 2篇刘阳
  • 1篇覃锐兵
  • 1篇魏斌
  • 1篇王向东
  • 1篇杨旭
  • 1篇张瑛
  • 1篇梁洪
  • 1篇张梅

传媒

  • 1篇四川有色金属

年份

  • 1篇2011
  • 6篇2009
  • 1篇1998
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
本标准规定了硅抛光氧化绣生缺陷的检验方法。本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中绣生或增强的晶体缺陷的检测。硅单晶氧化绣生缺陷的检验也可参照此方法。
何兰英王炎张辉坚刘阳
关键词：半导体材料硅晶体缺陷半导体
文献传递
在国产炉上研制区熔Φ101mm硅单晶
1998年
高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大.大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件.目前国内生产φ101mm.区熔硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现.我们通过设备技术改造和工艺条件摸索,成功实现了在国产设备上拉制φ101mm.区熔硅单晶.填补了空白,节约了外汇,打破了迷信,为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心.
魏斌王炎
关键词：区熔硅单晶区熔炉半导体硅
高纯锑
本标准规定了高纯锑的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及订货单。本部分适用于以工业锑为原料，经氯化、精镏、氢气还原、蒸馏等而制得的纯度不小于99.999%的以及不小于99.9999%的高纯度锑。产品用于制备...
王炎蒋蓉
关键词：锑金属重金属
文献传递
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
本标准规定了择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。本标准适用于晶向为<111>、<100>或<110>、电阻率为10<up -3>Ω?m～10<up 4>Ω?m、位错密度在0cm<up -2>～10<up 5>cm<up ...
何兰英王炎张辉坚刘阳
关键词：晶体缺陷晶体硅半导体
文献传递
硅多晶
本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的硅多晶。
罗莉萍张辉坚王炎
关键词：金属硅晶体半导体
文献传递
硅多晶产品及其磷、基硼检测方法标准(三项合并)
王炎王向东梁洪覃锐兵张辉坚杨旭张瑛罗莉萍
随着中国国民经济快速发展，碲化镉薄膜太阳能电池产量不断提高，碲化镉材料需求量不断增加。光电材料的广泛应用，化合物半导体磷化铟、磷化镓等光电材料的应用逐年增加，半导体硅、锗掺杂剂等需用超纯磷制备的量越来越大。区熔硅单晶是电...
关键词：
关键词：薄膜太阳能电池合成工艺
锑化铟多晶、单晶及切割片
本标准规定了锑化铟多晶、单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法等。适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。
王炎何兰英张梅
关键词：锑化物
文献传递
高纯锑
王炎蒋蓉
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共1页<1>
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