您的位置： 专家智库 > >

刘阳

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：峨嵋半导体材料厂更多>>
相关领域：语言文字更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文标准

领域

  • 2篇语言文字

主题

  • 2篇体缺陷
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体缺陷
  • 2篇半导体
  • 2篇硅
  • 1篇抛光片
  • 1篇完整性
  • 1篇硅晶
  • 1篇硅晶体
  • 1篇硅抛光片
  • 1篇半导体材料

机构

  • 2篇峨嵋半导体材...

作者

  • 2篇张辉坚
  • 2篇王炎
  • 2篇刘阳
  • 2篇何兰英

年份

  • 2篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
本标准规定了硅抛光氧化绣生缺陷的检验方法。本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中绣生或增强的晶体缺陷的检测。硅单晶氧化绣生缺陷的检验也可参照此方法。
何兰英王炎张辉坚刘阳
关键词：半导体材料硅晶体缺陷半导体
文献传递
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
本标准规定了择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。本标准适用于晶向为<111>、<100>或<110>、电阻率为10<up -3>Ω?m～10<up 4>Ω?m、位错密度在0cm<up -2>～10<up 5>cm<up ...
何兰英王炎张辉坚刘阳
关键词：晶体缺陷晶体硅半导体
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0