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张辉坚

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：峨嵋半导体材料厂更多>>
相关领域：语言文字电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇标准
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇语言文字
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇硅
  • 3篇晶体
  • 3篇半导体
  • 2篇多晶
  • 2篇体缺陷
  • 2篇晶体缺陷
  • 1篇电池
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇抛光片
  • 1篇完整性
  • 1篇金属
  • 1篇硅晶
  • 1篇硅晶体
  • 1篇硅抛光片
  • 1篇合成工艺
  • 1篇半导体材料
  • 1篇薄膜太阳能电...
  • 1篇磷
  • 1篇硼

机构

  • 4篇峨嵋半导体材...

作者

  • 4篇张辉坚
  • 4篇王炎
  • 2篇罗莉萍
  • 2篇刘阳
  • 2篇何兰英
  • 1篇覃锐兵
  • 1篇王向东
  • 1篇杨旭
  • 1篇张瑛
  • 1篇梁洪

年份

  • 1篇2011
  • 3篇2009
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
本标准规定了硅抛光氧化绣生缺陷的检验方法。本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中绣生或增强的晶体缺陷的检测。硅单晶氧化绣生缺陷的检验也可参照此方法。
何兰英王炎张辉坚刘阳
关键词：半导体材料硅晶体缺陷半导体
文献传递
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
本标准规定了择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。本标准适用于晶向为<111>、<100>或<110>、电阻率为10<up -3>Ω?m～10<up 4>Ω?m、位错密度在0cm<up -2>～10<up 5>cm<up ...
何兰英王炎张辉坚刘阳
关键词：晶体缺陷晶体硅半导体
文献传递
硅多晶
本标准规定了硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅用氢还原法制得的硅多晶。
罗莉萍张辉坚王炎
关键词：金属硅晶体半导体
文献传递
硅多晶产品及其磷、基硼检测方法标准(三项合并)
王炎王向东梁洪覃锐兵张辉坚杨旭张瑛罗莉萍
随着中国国民经济快速发展，碲化镉薄膜太阳能电池产量不断提高，碲化镉材料需求量不断增加。光电材料的广泛应用，化合物半导体磷化铟、磷化镓等光电材料的应用逐年增加，半导体硅、锗掺杂剂等需用超纯磷制备的量越来越大。区熔硅单晶是电...
关键词：
关键词：薄膜太阳能电池合成工艺
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