蒋健
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
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- 低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器
- 1992年
- 采用分子束外延(MBE)和二次液相外延技术(LPE)研制出InGaAs-CaAs折射率缓变分别限制应变层多量子阱(GRINSCH-STL-MQW)掩埋异质结(BH)激光器.在宽接触阈值电流密度1 kA/cm^2的条件下,获得了很低的阈值电流,室温时,腔面未镀膜激光器的阈值电流为5.6mA.(L=120μm,CW.20℃)激射波长为9386A左右.外微分量子效率高达每面0.48mW/mA,最高输出功率大于30mW.
- 肖建伟徐俊英杨国文徐遵图张敬明陈良惠周小川蒋健钟战天
- 关键词：激光器应变层量子阱结构
- 反射电子显微技术研究分子束外延材料被引量：1
- 1991年
- 在分析型透射电子显微镜(TEM)上,利用反射电子显微术(REM)我们系统地研完了用分子束外延法生长的AlGaAs/GaAs异质多层材料及应变InGaAs/GaAs超晶格材料。在对AlGaAs/GaAs超晶格截面的观察中,REM的空间分辨率达到了20(?),并可分辨化学组分变化0.5％的AlGaAs/GaAs异质结界面。在对表面形貌的研究中,REM可观察到用Nomarski相衬显微镜都无法观察到的InGaAs/GaAs应变超晶格表面crosshatch条纹,显示其对表面不平整性的极高灵敏度。我们还发展了一种新方法,用以准确、直观地观察多层膜材料的腐蚀深度,从而控制器件制作过程中的腐蚀工艺。
- 周小川都安彦彭练茅蒋健牟善明张开颜钟战天
- 关键词：分子束外延电子显微镜半导体材料
- 用MBE在非平面衬底上生长的掩埋脊形多量子线列阵被引量：1
- 1993年
- 本文在国际上首次报道,在用常规光刻技术和化学腐蚀技术制备的非平面GaAs衬底上,利用一次分子束外延技术研制成功掩埋脊形GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子线列阵结构。电镜及常规光致发光和微区光致发光测量给出了二维量子限制的证据,理论分析和数值计算也表明了横向载流子限制的有效尺寸是在量子尺寸范围之内。
- 钱毅徐俊英徐遵图张敬明肖建伟陈良惠王启明周小川蒋健钟战天
- 关键词：分子束外延量子器件
