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钟战天

作品数：23 被引量：14H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇中文期刊文章

领域

  • 19篇电子电信
  • 4篇一般工业技术

主题

  • 8篇GAAS
  • 6篇多量子阱
  • 6篇分子束
  • 6篇分子束外延
  • 5篇砷化镓
  • 5篇GAAS/A...
  • 4篇探测器
  • 4篇红外
  • 4篇红外探测
  • 4篇红外探测器
  • 3篇晶格
  • 3篇AL
  • 3篇GAAS/A...
  • 2篇原子
  • 2篇退火
  • 2篇灵敏度
  • 2篇敏度
  • 2篇分子束外延生...
  • 2篇高灵敏
  • 2篇高灵敏度

机构

  • 23篇中国科学院
  • 4篇清华大学
  • 2篇航空航天部
  • 1篇吉林大学

作者

  • 23篇钟战天
  • 6篇李承芳
  • 6篇朱勤生
  • 6篇周小川
  • 5篇邢益荣
  • 5篇徐俊英
  • 4篇范越
  • 4篇张广泽
  • 3篇吴荣汉
  • 3篇蒋健
  • 2篇吴冰清
  • 2篇肖建伟
  • 2篇王佑祥
  • 2篇张敬明
  • 2篇陈新
  • 2篇陈良惠
  • 2篇王大文
  • 2篇徐贵昌
  • 2篇朱文珍
  • 2篇徐遵图

传媒

  • 9篇Journa...
  • 4篇真空科学与技...
  • 2篇物理学报
  • 2篇真空科学与技...
  • 2篇功能材料与器...
  • 1篇半导体情报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇光子学报
  • 1篇稀有金属

年份

  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 2篇1995
  • 2篇1994
  • 2篇1993
  • 5篇1992
  • 2篇1991
  • 4篇1990
  • 3篇1989
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
迁移增强外延GaAs／Al／GaAs材料生长及其俄歇分析
1996年
在配有液Ｎ２冷却Ａｓ快门的分子束外延设备中利用迁移增强外延（ＭＥＥ）方法于低温下生长了ＧａＡｓ／Ａｌ／ＧａＡｓ结构材料。俄歇测量结果表明，用ＭＥＥ方法生长的材料中Ａｌ和ＧａＡｓ之间的互扩散大大减小，在５００℃热处理后也没有引起多大的互扩散。我们还发现在高指数ＧａＡ５（１１３）Ｂ面上用ＭＥＥ方法生长ＧａＡｓ薄膜效果更好。
钟战天崔玉德曹作萍张广泽孙学浩张立宝肖君朱勤生邢益荣
关键词：俄歇分析砷化镓
分子束外延生长GaAs中δ掺杂研究被引量：1
1996年
利用二次离子质谱（SIMS）和电化学剖面C－V方法研究了生长温度对GaAs中理想Siδ掺杂结构的偏离和掺杂原子电激活效率的影响。实验发现，外延生长Siδ掺杂GaAs时，随着生长温度的升高，Si掺杂分布SIMS峰非对称展宽，表面分凝作用加强，但不影响Si原子的扩散。另外，Si施主电激活效率随着生长温度的提高而增大。
钟战天吴冰清曹作萍朱文珍张广泽张广泽陈新王佑祥陈新邢益荣
关键词：分子束外延Δ掺杂砷化镓
GaAs／GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件被引量：2
1995年
采用分子束外延技术生长含有大周期数的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ多量子阶（ＭＱＷ）及分布布喇格反射器（ＤＢＲ）的ＰＩＮ结构器件。研究了量子限制斯塔克效应（ＱＣＳＥ），分布布喇格反射及非对称腔模（ＡＳＦＰ）效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响。给出我们研制的反射型光调制器及自电光效应器件的实验结果。对于常通型及常闭型调制器，其两态衬比度可达１０ｄＢ。所研制的ＳＥＥＤ器件，其导通光能耗低于１０ｆＪ／（μｍ）￣２，实现其光学双稳态及Ｒ－Ｓ光触发器工作。
吴荣汉高文智赵军段海龙林世鸣钟战天黄永箴王启明
关键词：多量子阱光调制器SEED砷化镓
低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器
1992年
采用分子束外延(MBE)和二次液相外延技术(LPE)研制出InGaAs-CaAs折射率缓变分别限制应变层多量子阱(GRINSCH-STL-MQW)掩埋异质结(BH)激光器.在宽接触阈值电流密度1 kA/cm^2的条件下,获得了很低的阈值电流,室温时,腔面未镀膜激光器的阈值电流为5.6mA.(L=120μm,CW.20℃)激射波长为9386A左右.外微分量子效率高达每面0.48mW/mA,最高输出功率大于30mW.
肖建伟徐俊英杨国文徐遵图张敬明陈良惠周小川蒋健钟战天
关键词：激光器应变层量子阱结构
7μmGaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器被引量：1
1992年
利用GaAs(51(?))/Al_(0.36)Ga_(0.64)As(200(?))多量子阱结构实现了黑体辐射的探测,探测器的峰值波长为7μm,77K温度下D~*达到1.09×10~9cm·Hz^(1/2)·W^(-1),电压响应率为2.5×10~4V·W^(-1).
方晓明黄醒良陆卫李言谨沈学础周小川钟战天蒋健徐贵昌杜全钢牟善明李承芳周鼎新于美云余晓中
关键词：多量子阱红外探测器
Si(100)—As表面钝化作用和氧吸附被引量：1
1990年
利用自己研制的具有分子束外延系统的表面分析联合谱仪研究了氧与Si(100)—As表面的相互作用。本文进一步证实了As层是Si表面的很好的钝化层,并首次研究了Si(100)—As表面的氧吸附全过程。实验表明,氧的饱和覆盖量为0.5单原子层,即Si表面上存在As原子层而使吸附位置减少一半。另外,通过吸附动力学分析得知,Si(100)—As表面的初始粘附系数是5.6×10^(-3),比清洁的Si(100)表面小一个数量级。Si表面上As的钝化作用是Si原子的悬挂键态被As原子的占有孤立对态代替而形成。
钟战天王大文范越李承芳
关键词：氧吸附
高灵敏度GaAs/AlGaAs多量子阱狭带红外探测器
1992年
在半导体超晶格研究基础上,发展了以量子阱内电子由束缚基态至势垒顶附近连续态跃迁为机理的长波长红外探测器,这也是近几年来发展的一种新型红外探测器。它具有响应速度快、量子效率高、可变波长、热稳定性和均匀性好的优点,在军事和民用上占有重要地位,已成为国际上极为重视的高技术研究的前沿课题。1985年West和Eglash首先观察到GaAs量子阱中的光跃迁现象。在1987年levine等人制造出第一个GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器,近年又制造出性能更好的探测器:工作温度77K,峰值波长为8μm,峰值探测率D_(λρ)~*=4.0×10^(10)cm、(Hz)^(1/2)/W。
钟战天周小川杜全钢朱勤生
关键词：半导体红外探测器
不同状态CaAs表面上Au淀积研究
1990年
利用XPS研究了Au在不同状态GaAs表面上的淀积模式。实验结果表明,在状态不同的GaAs表面上室温淀积Au时,它以类似于Stranskl—Krastanow模式进行生长,均存在一初始覆盖层,该层中Au的覆盖度随表面Ga的含量及粗糙度的增加而增加。当衬底温度不同时,初始覆盖层中Au的覆盖度随温度升高而显著减少。
王大文钟战天范越牟善明
关键词：淀积AU覆盖层衬底温度粗糙度退火温度
分子束外延生长AlGaAs/GaAs GRINSCH SQW激光器中高温陷阱的研究
1993年
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的AlGaAs/GaAs gradedindex separate confinement heterostructure single well(GRIN-SCH SQW)激光器的高温陷阱。样品的DLTS表明,在激光器的n-AlGaAs层里存在着高温(空穴、电子)陷阱,它直接影响着激光器的性能。高温空穴陷阱可能分布在x_(Al)=0.2→0.43和x_(Al)=0.43的n-AlGaAs层界面附近,而高温电子陷阱则可能分布在X_(Al)=0.43的n-AlGaAs层里X_(Al)值不连续的界面附近。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的O有关。
卢励吾周洁徐俊英钟战天
关键词：分子束外延
反射电子显微技术研究分子束外延材料被引量：1
1991年
在分析型透射电子显微镜(TEM)上,利用反射电子显微术(REM)我们系统地研完了用分子束外延法生长的AlGaAs/GaAs异质多层材料及应变InGaAs/GaAs超晶格材料。在对AlGaAs/GaAs超晶格截面的观察中,REM的空间分辨率达到了20(?),并可分辨化学组分变化0.5％的AlGaAs/GaAs异质结界面。在对表面形貌的研究中,REM可观察到用Nomarski相衬显微镜都无法观察到的InGaAs/GaAs应变超晶格表面crosshatch条纹,显示其对表面不平整性的极高灵敏度。我们还发展了一种新方法,用以准确、直观地观察多层膜材料的腐蚀深度,从而控制器件制作过程中的腐蚀工艺。
周小川都安彦彭练茅蒋健牟善明张开颜钟战天
关键词：分子束外延电子显微镜半导体材料
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