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徐遵图

作品数：50 被引量：84H指数：6
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信化学工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 41篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 44篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 38篇激光
  • 37篇激光器
  • 24篇量子阱激光器
  • 18篇半导体
  • 13篇应变量子阱
  • 12篇应变量子阱激...
  • 11篇半导体激光
  • 11篇半导体激光器
  • 7篇砷化镓
  • 7篇二极管
  • 7篇分子束
  • 7篇分子束外延
  • 7篇ALGAAS
  • 7篇INGAAS...
  • 7篇波导
  • 6篇低阈值
  • 6篇脊形
  • 6篇GAAS/A...
  • 5篇脊形波导
  • 5篇功率

机构

  • 39篇中国科学院
  • 19篇北京工业大学
  • 1篇香港科技大学
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 50篇徐遵图
  • 34篇陈良惠
  • 32篇徐俊英
  • 31篇张敬明
  • 26篇杨国文
  • 20篇肖建伟
  • 18篇沈光地
  • 9篇郑婉华
  • 8篇邹德恕
  • 7篇郭霞
  • 6篇廉鹏
  • 6篇何晓曦
  • 5篇李世祖
  • 5篇邓军
  • 4篇马骁宇
  • 4篇杜金玉
  • 3篇高国
  • 3篇韩军
  • 3篇陈昌华
  • 3篇董立闽

传媒

  • 24篇Journa...
  • 4篇中国激光
  • 4篇高技术通讯
  • 2篇光电子．激光
  • 2篇物理学报
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇北京工业大学...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇激光与红外
  • 1篇全国化合物半...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇2008
  • 6篇2005
  • 2篇2004
  • 2篇2002
  • 4篇2000
  • 6篇1999
  • 2篇1998
  • 5篇1997
  • 6篇1996
  • 4篇1995
  • 3篇1994
  • 5篇1993
  • 4篇1992
共 50 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
915-980nm应变量子阱激光器新进展被引量：3
2000年
报道了915～980nm半导体激光器的最新进展,宽条激光器输出功率为0.2～2.0W,最大输出功率大于5W;基横模脊形波导半导体激光器输出功率达400mW,水平和垂直方向远场发射角分别为70和230,组合件输出功率大于150mW。
徐遵图张敬明马骁宇刘素平刘忠顺方高瞻肖建伟陈良惠
关键词：应变量子阱激光器半导体激光器输出功率
915-980nm应变量子阱激光器新进展
报道了915～980nm半导体激光器的最新进展，宽条激光器输出功率为0.2～2.0W，最大输出功率大于5W;基横模脊形波导半导体激光器输出功率达400mW，水平和垂直方向远场发射角分别为7<'0>和23<'0>，组合件输...
徐遵图张敬明马骁宇
关键词：应变量子阱激光器
文献传递
MBE生长高质量GaAs／AlGaAs量子阱激光器被引量：8
1994年
我们利用分子束外延方法研制了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ缓交折射率分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱和双量子阱激光器．对腔长为６００μｍ的端面不镀膜的宽接触条型Ｆ－Ｐ腔激光器，阈值电流密度（平均值）分别为２９０Ａ／ｃｍ２和２４０Ａ／ｃｍ２．腔长在１２００μｍ的双量子阱激光器的阈电流密度低达１９０Ａ／ｃｍ２．对出光面和背面分别镀以增透膜和高反膜的宽接触条型（８０μｍ）．激光器，线性输出功率高达１．８２Ｗ；出光面的斜率效率达到１．０４Ｗ／Ａ；利用湿法化学腐蚀所制备的脊形波导结构单量子阱激光器阈值电流最低可达８ｍＡ，且具有非常好的均匀性．
杨国文肖建伟徐遵图张敬明徐俊英郑婉华曾一平陈良惠
关键词：量子阱激光器砷化镓分子束外延
量子阱激光器光增益温度关系及对激射特性的影响被引量：1
1995年
计算了不同温度下ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料光增益与载流子密度的关系．根据Ｂ－Ｄ条件：△Ｆ＞ｈｖ≥Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１，得到了△Ｆ、峰值增益光子能量和Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１与载流子密度的关系，并得到不同增益的激光器阈电流温度关系．计算结果解释了实验出现的阈电流温度的反常特性和波长开关现象，并且与器件温度特性符合．
张敬明徐遵图杨国文郑婉华钱毅李世祖肖建伟徐俊英陈良惠
关键词：光增益激射特性温度
用于掺铒光纤放大器泵浦源的高性能980nm InGaAs应变量子阱激光器
1997年
利用分子束外延（MBE）方法研制出了高质量的InGaAs／AlGaAs应变量子阱激光器外延材料，其最低的阈值电流密度可达到120A／cm2，激发波长在980nm左右。获得了高性能的适合于掺饵光纤放大器用的980nm量子阱激光器泵浦源，其典型的阈值电流为15mA，外微分量子效率的典型值和最好值分别为0．8mW／mA和1．0mW／mA，线性输出功率大于120mW，在20℃一50℃的特征温度T0为125K。器件在59℃，80mW下的恒功率老化实验表明具有较好的可靠性，与掺铒单模光纤耦合的组合件出纤功率可达63mW。
杨国文徐俊英徐遵图张敬明何晓曦陈良惠
关键词：量子阱激光器掺铒光纤放大器分子束外延
Al_(0.98)Ga_(0.02)As的湿法氧化规律被引量：7
2005年
为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小 ,对Al0 .98Ga0 .0 2 As的湿法氧化规律进行了分析研究 .首先运用一维Deal Grove模型分析了Al0 .98Ga0 .0 2 As条形台面湿法氧化的一般规律 ,并在此基础上进一步分析推导 ,加以适当的简化 ,提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型 ,用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合 .同时 ,实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象 .运用这些规律 ,将氧化长度的精度控制在 0 5 μm内 。
董立闽郭霞渠红伟杜金玉邹德恕廉鹏邓军徐遵图沈光地
关键词：VCSELALGAAS湿法氧化
低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器
1992年
采用分子束外延(MBE)和二次液相外延技术(LPE)研制出InGaAs-CaAs折射率缓变分别限制应变层多量子阱(GRINSCH-STL-MQW)掩埋异质结(BH)激光器.在宽接触阈值电流密度1 kA/cm^2的条件下,获得了很低的阈值电流,室温时,腔面未镀膜激光器的阈值电流为5.6mA.(L=120μm,CW.20℃)激射波长为9386A左右.外微分量子效率高达每面0.48mW/mA,最高输出功率大于30mW.
肖建伟徐俊英杨国文徐遵图张敬明陈良惠周小川蒋健钟战天
关键词：激光器应变层量子阱结构
快速热退火引起GaAs/AlGaAs双量子阱中铝原子的扩散研究
1998年
用分子束外延生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ双量子阱激光器结构样品，并对不同温度快速热退火导致量子阱组分无序即阱和垒中三族元素的扩散过程进行了实验和理论研究．用光荧光技术测量退火样品的ｎ＝１量子阱能级跃迁峰值位置，结果表明退火前后样品量子阱能级位置发生蓝移，蓝移量随温度的提高而增大．对退火过程中ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱中三族元素的扩散过程进行了理论分析，并与实验结果相比较，获得了不同退火温度下铝原子的扩散系数和扩散过程的激活能．９５０℃，３０ｓ退火条件下，铝原子的扩散系数为６６×１０－１６ｃｍ２／ｓ，扩散过程的激活能为５０ｅＶ．
徐遵图徐俊英杨国文杨国文殷涛张敬明廉鹏陈良惠廉鹏
关键词：半导体激光器双量子阱砷化镓
MQW—LD泵浦Nd:YAG固体激光器
1992年
半导体激光泵浦的固体激光器(DPL)是一种高效率、紧凑、稳定、长寿命的相干光源。由于它兼并了半导体激光和固体激光器的双重优点,在科学研究、医学、工业和军事上有着广泛的应用前景。近几年来在国际上发展极为迅速,已成为激光学科的重要发展方向之一。 我们实现了国产双异质结二极管激光器列阵(DH—LD)泵浦固体激光器输出,本文首次报道用国产多量子阱二极管激光器(MQW—LD)
周复正许发明徐遵图徐俊英
关键词：固体激光器LD泵浦ND:YAG二极管激光器激光器列阵
MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器被引量：1
2000年
利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法 ,以液态 CCl4为掺杂源生长了高质量 C掺杂 Ga As/Al Ga As材料 ,并对生长机理、材料特性以及 C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以 C为 P型掺杂剂的 Ga As/ Al Ga As/ In Ga As应变量子阱半导体激光器结构 ,置备了高性能 980 nm大功率半导体激光器。
廉鹏邹德恕高国殷涛陈昌华徐遵图沈光地马晓宇陈良惠
关键词：MOCVD半导体激光器气相外延
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