周小川
- 作品数：7 被引量：7H指数：1
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- 低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器
- 1992年
- 采用分子束外延(MBE)和二次液相外延技术(LPE)研制出InGaAs-CaAs折射率缓变分别限制应变层多量子阱(GRINSCH-STL-MQW)掩埋异质结(BH)激光器.在宽接触阈值电流密度1 kA/cm^2的条件下,获得了很低的阈值电流,室温时,腔面未镀膜激光器的阈值电流为5.6mA.(L=120μm,CW.20℃)激射波长为9386A左右.外微分量子效率高达每面0.48mW/mA,最高输出功率大于30mW.
- 肖建伟徐俊英杨国文徐遵图张敬明陈良惠周小川蒋健钟战天
- 关键词：激光器应变层量子阱结构
- 7μmGaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器被引量：1
- 1992年
- 利用GaAs(51(?))/Al_(0.36)Ga_(0.64)As(200(?))多量子阱结构实现了黑体辐射的探测,探测器的峰值波长为7μm,77K温度下D~*达到1.09×10~9cm·Hz^(1/2)·W^(-1),电压响应率为2.5×10~4V·W^(-1).
- 方晓明黄醒良陆卫李言谨沈学础周小川钟战天蒋健徐贵昌杜全钢牟善明李承芳周鼎新于美云余晓中
- 关键词：多量子阱红外探测器
- GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的特性研究被引量：3
- 1993年
- 测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的伏安特性I_b(T_D,V_b)、黑体光响应电压V_S(T_D,T_B,V_b)和噪声电压V_N(T_D,V_b),由此获得器件的黑体电压响应率R_(VB)(T_D,V_b)和探测率D_B~*(T_D,V_b)并用Lorentz光响应线形对V_S(T_D,T_B,V_b)拟合给出器件的光电流谱的峰值波长λ_P和半峰宽λ_w。
- 黄醒良方晓明陆卫沈学础李言谨袁诗鑫周小川
- 关键词：多量子阱红外探测器
- 高灵敏度GaAs/AlGaAs多量子阱狭带红外探测器
- 1992年
- 在半导体超晶格研究基础上,发展了以量子阱内电子由束缚基态至势垒顶附近连续态跃迁为机理的长波长红外探测器,这也是近几年来发展的一种新型红外探测器。它具有响应速度快、量子效率高、可变波长、热稳定性和均匀性好的优点,在军事和民用上占有重要地位,已成为国际上极为重视的高技术研究的前沿课题。1985年West和Eglash首先观察到GaAs量子阱中的光跃迁现象。在1987年levine等人制造出第一个GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器,近年又制造出性能更好的探测器:工作温度77K,峰值波长为8μm,峰值探测率D_(λρ)~*=4.0×10^(10)cm、(Hz)^(1/2)/W。
- 钟战天周小川杜全钢朱勤生
- 关键词：半导体红外探测器
- 反射电子显微技术研究分子束外延材料被引量：1
- 1991年
- 在分析型透射电子显微镜(TEM)上,利用反射电子显微术(REM)我们系统地研完了用分子束外延法生长的AlGaAs/GaAs异质多层材料及应变InGaAs/GaAs超晶格材料。在对AlGaAs/GaAs超晶格截面的观察中,REM的空间分辨率达到了20(?),并可分辨化学组分变化0.5％的AlGaAs/GaAs异质结界面。在对表面形貌的研究中,REM可观察到用Nomarski相衬显微镜都无法观察到的InGaAs/GaAs应变超晶格表面crosshatch条纹,显示其对表面不平整性的极高灵敏度。我们还发展了一种新方法,用以准确、直观地观察多层膜材料的腐蚀深度,从而控制器件制作过程中的腐蚀工艺。
- 周小川都安彦彭练茅蒋健牟善明张开颜钟战天
- 关键词：分子束外延电子显微镜半导体材料
- 用MBE在非平面衬底上生长的掩埋脊形多量子线列阵被引量：1
- 1993年
- 本文在国际上首次报道,在用常规光刻技术和化学腐蚀技术制备的非平面GaAs衬底上,利用一次分子束外延技术研制成功掩埋脊形GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子线列阵结构。电镜及常规光致发光和微区光致发光测量给出了二维量子限制的证据,理论分析和数值计算也表明了横向载流子限制的有效尺寸是在量子尺寸范围之内。
- 钱毅徐俊英徐遵图张敬明肖建伟陈良惠王启明周小川蒋健钟战天
- 关键词：分子束外延量子器件
- 高灵敏度低暗电流GaAs量子阱红外探测器被引量：1
- 1994年
- 本文报道我们研制的高灵敏度、低暗电流的ＧａＡｓ量子阱长波长红外探测器的制备和性能．探测器具有５０个ＧａＡｓ量子阱和Ａｌ０．２８Ｇａ０．７２Ａｓ势垒，器件制成直径为３２０μｍ的台面型式单管．探测器的主要性能──响应率和探测率与偏置电流和工作温度关系很大．通过材料结构的精心设计和器件工艺的改进使探测器的性能进一步提高：探测峰值波长为９．２μｍ，工作温度为７７Ｋ时，峰值电压响应率为９．７×１０５Ｖ／Ｗ，峰值探测率超过１×１０１１ｃｍ·／Ｈｚ／Ｗ，暗电流小于０．１μＡ．
- 钟战天周小川杜全钢周鼎新吴荣汉王森李承芳於美云徐俊英朱勤生
- 关键词：砷化镓红外探测器暗电流
