赵英杰
- 作品数：76 被引量：113H指数：7
- 供职机构：长春理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术建筑科学更多>>
- 半导体激光器腔面镀膜用柔性夹具
- 半导体激光器腔面镀膜用柔性夹具属于半导体激光器器件工艺技术领域，是一种于半导体激光器腔面镀膜工序中的夹具，可实现对解理条的柔性夹持。现有技术中的相关夹具存在夹持松散、装夹拗手、易使镀膜材料镀在解理条电极上等弊端。本发明之...
- 赵英杰王玉霞张宝顺晏长岭王晓华杨立保
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- 在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法
- 在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法属于半导体芯片电极制作技术领域。已知技术存在的问题是，电子流会经连接面下面的上布拉格反射镜向焊盘流动，造成损耗，还使器件发热；另外，电极引线球焊头与光滑的平面电极之间焊接...
- 赵英杰郝永芹晏长岭王晓华姜晓光芦鹏
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- 一种垂直升降电梯防坠落保护装置
- 本发明涉及电梯设备制造技术领域，是一种垂直升降电梯防坠落保护装置。电梯坠落原因主要由钢丝绳脱落或断裂、超载运行、测速与限速器以及设备故障所造成的，少有发生。为了克服现有技术之不足，本发明提供一种独立于现有安全保障系统的垂...
- 赵英杰芦鹏金国烈许鹏赵宇斯刘羽姜晓光姜涛于正林赵博郝永芹晏长岭冯源
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- 垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法
- 垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法属于半导体激光器电极制作技术领域。相关的现有技术为刻蚀环形沟槽法。该技术存在的主要问题是，由于最后要用聚酰亚胺填充环形沟槽，使得所制造的激光器散热不良。本发明采用刻蚀环形分布...
- 赵英杰钟景昌晏长岭李林郝永芹李轶华苏伟姜晓光
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- 新型辐射桥结构VCSEL的设计、制作和热特性分析被引量：1
- 2012年
- 为了改善垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的热特性,提高器件的输出功率,设计并制作了一种新型辐射桥结构VCSEL。利用有限元热分析软件ANSYS,模拟了常规结构和辐射桥结构VCSEL内部的热场分布和热矢量分布。经模拟得到,常规结构器件的热阻为4.13K/W,辐射桥结构的热阻为2.64K/W。而经实验测得,常规结构器件的热阻为4.40K/W,辐射桥结构器件的热阻为2.93K/W,实验测试结果与模拟结果吻合较好。同时测得,常规结构器件的最大输出功率为305mW,辐射桥结构器件的最大输出功率为430mW,后者的输出功率提高了40%。
- 高英强王晓华赵英杰刘向南刘国军
- 关键词：热特性ANSYS
- 大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构
- 大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构属于半导体激光器件技术领域。现有技术因载流子聚集效应以及趋肤效应，使得注入电流强度以及发光强度不均匀，器件性能和寿命受到影响。本发明之多芯电注入结构位于布拉格反射镜中的高铝...
- 郝永芹马建立钟景昌赵英杰王晓华乔忠良
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- 采用AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的外延方法
- AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器属于第一类量子阱结构，材料和器件的研究存在相当的难度，锑化物材料存在很大的不互溶隙，在不互溶隙内的材料为亚稳态，优质材料生长难度十分大，是III-V族化合物中最复杂的材料之...
- 李占国刘国军尤明慧李林李梅乔忠良邹永刚邓昀王勇王晓华赵英杰
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- 垂直腔面发射激光器的结构生长及特性研究被引量：3
- 2005年
- 在偏〈111〉A2°的GaAs(100)衬底上生长了Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As周期结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片P型DBR的周期数为24.5对,N型DBR的周期数为34.5对用光荧光(PL)谱、扫描电子显微镜(SEM)和X射线双晶衍射(XRD)方法对VCSEL的光学特性和结构特性进行了分析室温量子阱材料的PL谱峰值波长为837.0nm,半高宽达到28.9nm在X射线双晶衍射回摆曲线中,除了“0”级衍射峰外,还观察到一级和二级卫星峰“0”级双晶衍射峰的半高宽为12.56弧秒(″),衬底GaAs的衍射峰半高宽为11.79″“0”级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近,表明晶格具有很高的完整性实验结果表明腔模波长为837.2nm。
- 李林钟景昌张永明赵英杰王勇刘文莉郝永琴苏伟晏长岭
- 一种垂直升降电梯防坠落安全保护装置
- 本发明是涉及电梯设备制造技术领域，是一种垂直升降电梯防坠落安全保护装置。包括安全挂钩盒、弹簧钢丝绳组，安全挂钩盒固定安装在轿厢两侧，弹簧钢丝绳组安装在井道两侧。在井道两侧竖直方向上安装多个弹簧钢丝绳组，电梯下行超速时，电...
- 赵英杰芦鹏许鹏金国烈刘羽赵宇斯姜涛于正林姜晓光赵博冯源郝永芹晏长岭
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- 湿法氧化工艺对VCSEL器件性能的影响被引量：2
- 2006年
- 在精确控制气体流量、温度等条件下对样品进行了湿法氧化实验。在SEM下观察了高铝氧化层的微观结构。讨论了高铝氧化限制层中氧化产物体积收缩产生的多孔结构对氧化反应的作用,以及收缩应力对有源区的影响。分析了氧化后器件串联电阻变大的原因.综合考虑这些因素,结合器件结构优化氧化层的设计,制备出了阈值电流低的、性能优良的VCSEL器件。
- 李海军钟景昌郝永琴赵英杰马建立
- 关键词：湿法氧化垂直腔面发射激光器尖晶石结构应力
