晏长岭
- 作品数：111 被引量：136H指数：7
- 供职机构：长春理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 808nm高功率VCSEL刻蚀工艺研究
- 2014年
- 为提高808nm高功率VCSEL的光电性能,对不同实验条件下的氧化限制型VCSEL湿法刻蚀工艺进行了实验研究,制备出多环形电极结构VCSEL器件。实验中采用H3PO4系腐蚀液替代以往常用的H2SO4系腐蚀液,通过改变湿法刻蚀工艺的温度条件及腐蚀液的浓度配比,能够较精确的控制腐蚀深度,消除"燕尾"结构,最终确定808nm高功率VCSEL湿法腐蚀工艺的最佳温度条件及腐蚀液的最佳浓度配比。测试结果表明,采用这种湿法刻蚀工艺条件制备的808nm高功率VCSEL器件,室温下的阈值电流为430m A,微分量子效率为0.44W/A,最大输出功率达到0.42W,其光电性能远优于传统湿法刻蚀工艺制备的同种高功率VCSEL器件。
- 冯源晏长岭郝永芹王勇芦鹏李洋李再金
- 关键词：垂直腔面发射半导体激光器高功率湿法刻蚀刻蚀速率
- 具有一步成型微结构及外凸锥形光放大器的半导体激光器
- 具有一步成型微结构及外凸锥形光放大器的半导体激光器属于半导体光电子技术领域。现有技术难以兼顾锥形半导体激光器的输出光功率和输出光质量。本发明其特征在于，跨层脊形主振荡器与外凸锥形光放大器的厚度相同，均从上波导层向下跨越有...
- 晏长岭钱冉杨静航李奕霏冯源郝永芹李辉
- 垂直腔面发射激光器的结构生长及特性研究被引量：3
- 2005年
- 在偏〈111〉A2°的GaAs(100)衬底上生长了Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As周期结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片P型DBR的周期数为24.5对,N型DBR的周期数为34.5对用光荧光(PL)谱、扫描电子显微镜(SEM)和X射线双晶衍射(XRD)方法对VCSEL的光学特性和结构特性进行了分析室温量子阱材料的PL谱峰值波长为837.0nm,半高宽达到28.9nm在X射线双晶衍射回摆曲线中,除了“0”级衍射峰外,还观察到一级和二级卫星峰“0”级双晶衍射峰的半高宽为12.56弧秒(″),衬底GaAs的衍射峰半高宽为11.79″“0”级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近,表明晶格具有很高的完整性实验结果表明腔模波长为837.2nm。
- 李林钟景昌张永明赵英杰王勇刘文莉郝永琴苏伟晏长岭
- 一种垂直升降电梯防坠落安全保护装置
- 本发明是涉及电梯设备制造技术领域，是一种垂直升降电梯防坠落安全保护装置。包括安全挂钩盒、弹簧钢丝绳组，安全挂钩盒固定安装在轿厢两侧，弹簧钢丝绳组安装在井道两侧。在井道两侧竖直方向上安装多个弹簧钢丝绳组，电梯下行超速时，电...
- 赵英杰芦鹏许鹏金国烈刘羽赵宇斯姜涛于正林姜晓光赵博冯源郝永芹晏长岭
- 文献传递
- 光通信用垂直腔面发射激光器的进展被引量：3
- 2004年
- 垂直腔面发射激光器(VCSEL)以其优异的性能有望成为信息时代的新光源.文章介绍了用于光通信的VCSEL的开发现状.
- 王青赵路民宁永强秦莉晏长岭王立军
- 关键词：光通信垂直腔面发射激光器微电子机械系统波分复用
- 长波长GaInNAs垂直腔面发射激光器被引量：2
- 2004年
- 新出现的直接跃迁GaInNAs与具有高反射率的AlAs/GaAs分布布拉格反射镜相结合构成了GaAs基长波长(1.3～1.6μm)垂直腔面发射激光器(VCSEL),将成为光纤通信、光互联和光信息处理等的关键元件。本文从材料的选取、外延技术和GaInNAs VCSEL国外和国内的发展状况等方面对长波长GaInNAs VCSEL进行了综合阐述。
- 晏长岭秦莉张淑敏宁永强王青赵路民刘云王立军
- 关键词：激光技术
- 非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵
- 非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵属于半导体激光器技术领域。现有技术由多个线列叠加构成叠阵，光束整形、输出耦合等后续环节存在的技术难题更为突出。在本发明中，自热沉起由下而上若干阵列基片、微通道散热板交替叠放，最上方为...
- 晏长岭杨静航刘云冯源郝永芹逢超
- 脊形波导耦合的光纤阵列设计被引量：2
- 2004年
- 分析了单模光纤与脊形波导的耦合模理论,讨论了其模式特点、最佳耦合条件。在此基础上,计算并设计出满足最佳耦合条件的光纤阵列V 型槽宽度。所设计的光纤阵列在对光纤提供高精度定位的同时,又能保证其与脊形波导的高效率耦合。
- 郝永芹钟景昌赵英杰李林张永明晏长岭苏伟
- 关键词：光纤阵列脊形波导
- 一种高效散热半导体衬底及其制备方法
- 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种高效散热半导体衬底及其制备方法。本发明在半导体基底背面沉积金刚石薄膜，然后在正面依次进行减薄和抛光，得到高效散热半导体衬底。本发明提供的衬底正面为极薄的半导体衬底层，背面为高效散热的金...
- 贾慧民李承林魏志鹏唐吉龙晏长岭张晶方铉王登魁王晓华马晓辉
- 文献传递
- 表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器
- 表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有DFB‑LD在波长稳定性、线宽以及输出功率方面未能很好地兼顾。本发明之表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器属于边发射LD，下电...
- 郝永芹马晓辉李杨晏长岭徐莉冯源谢检来张昕岳光礼张晶王志伟王霞
