钟景昌
- 作品数：55 被引量：114H指数：7
- 供职机构：长春理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金吉林省科技发展计划基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学兵器科学与技术自动化与计算机技术更多>>
- 半导体激光器温度特性自动测试装置被引量：1
- 2007年
- 温度是影响半导体激光器特性的重要因素,对半导体激光器温度特性测试有重要的意义。本装置抛开传统的恒温测量方法,采用自动改变温度,并在不同温度下记录激光器的特性参数的方法测试半导体激光器的温度特性。在实验中得到良好的效果,给实验过程带来很大的方便。
- 马建立钟景昌郝永芹赵英杰乔忠良李海军
- 关键词：半导体激光器温度特性
- Nd∶YAG晶体生长过程中熔体液流速度场的数值模拟被引量：6
- 2004年
- 采用有限差分法对使用Cz(Czochralski)法生长Nd∶YAG激光晶体过程中熔体中的液流速度场进行数值模拟研究。首先给出了Nd∶YAG晶体生长系统的数学模型 ,然后对上述数学模型进行无量纲化处理 ,最后给出相应的边界条件 ,使用有限差分法求解上述方程。应用上述方法编制仿真程序 ,仿真了改变工艺条件后熔体中液流速度场的变化情况 ,分析了各种工艺条件对液流速度场变化的影响。
- 苏伟钟景昌张丽波李林赵英杰岑学员
- 关键词：晶体生长YAG晶体速度场数值模拟有限差分法有限差分法
- 一种含双反射带半导体分布布拉格反射镜的光泵浦垂直外腔面发射激光器
- 本发明提供了一种含双反射带半导体分布布拉格反射镜的光泵浦垂直外腔面发射激光器，由顺次连接的均为泵浦光源(1)、外腔反射镜(2)、增透膜(3)、窗口层(4)、有源多量子阱增益区(5)、双反射带半导体布拉格反射镜(6)；所述...
- 晏长岭邓昀冯源郝永芹田春雨贾霄赵英杰钟景昌
- 分子束外延技术及其动力学基本理论与应用被引量：3
- 1989年
- 本文介绍了分子束外延技术概况,着重论述了这种技术的理论模型、动力学参数及相应的动力学基础。最后介绍了分子束外延技术在光电子器件方面应用的最新进展。
- 钟景昌
- 关键词：分子束动力学光电子器件
- RHEED振荡精确测量AlGaAs生长速率研究
- 2005年
- 采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaAs,AlAs和AlGaAs时,实现RHEED图像和RHEED强度振荡的实时监测已被证明是一种有效工具。通过RHEED可讨论GaAs表面结构和生长机制,并可以估算衬底温度,更重要的是能计算出材料的生长速率。RHEED强度振荡周期决定生长速率,每一个周期对应一个单层。实验测量GaAs的生长周期为0.82s,每秒沉积1.22单分子层,AlAs的生长周期为2.35s,每秒沉积0.43单分子层。
- 李林钟景昌张宝顺王勇卢鹏王晓华刘国军
- 关键词：分子束外延半导体材料
- InGaAsP-InP大光腔结构激光器被引量：3
- 1990年
- 本文针对影响InGaAsP-InP激光器温度特性的各种因素,设计并制备了大光腔(LOC)结构激光器.实验表明,这种结构改善了激光器的温度稳定性,获得了低阈值(宽接触型器件J_(th)≈2.5kA/cm^2),高功率(脉冲输出3W)和高特征温度(T_o=150K)器件.
- 钟景昌朱宝仁黎荣晖
- 关键词：半导体大光腔激光器
- GaInAs/GaAs应变量子阱能带结构的计算被引量：10
- 2004年
- 讨论了GaInAs/GaAs应变量子阱结构的应变效应 ,给出了量子阱层的临界厚度随In组份的变化关系。由克龙尼克 -潘纳模型计算了GaInAs/GaAs应变量子阱的量子化能级 ,给出了cl -hhl跃迁对应的发射波长随阱宽和In组份的变化关系曲线 ,并与实验测量的GaInAs/GaAs量子阱的发射波长进行了比较 ,基本一致。与此同时 ,对GaInAs/GaAs应变量子阱向长波长方向的发展也进行了计算分析 。
- 晏长岭秦莉宁永强张淑敏王青赵路民刘云王立军钟景昌
- 关键词：应变量子阱跃迁长波长色散关系
- 垂直腔面发射激光器中的新结构研究被引量：4
- 2007年
- 通过对垂直腔面发射激光器(VCSEL)台面结构的深入研究,提出了新型环形分布孔结构,并制作了这种新结构器件。测试结果表明这种新结构器件不仅表现了良好的工作特性,而且输出功率也提高到环形沟槽结构的1.34倍。
- 郝永芹刘文莉钟景昌张永明冯源赵英杰
- 关键词：光学半导体激光器氧化物限制垂直腔面发射激光器
- 垂直腔面发射激光器中氧化速率规律的研究被引量：1
- 2008年
- 本文在不同条件下进行了选择性氧化实验,从中获得被氧化样品的微观结构图片和不同氧化深度处的各组分含量.由于氧化速率主要受扩散控制的影响,因而本研究运用扩散动力学方法对实验结果进行分析.所推导出氧化规律的数学拟合曲线与实验所得数据基本吻合,从而得出垂直腔面发射激光器氧化剂浓度随氧化深度的增加呈现指数衰减的规律.
- 冯源钟景昌郝永芹赵英杰侯立峰么艳萍
- 关键词：垂直腔面发射激光器氧化速率
- 垂直腔面发射激光器的氧化工艺研究
- 2005年
- 在垂直腔面发射激光器(VCSEL)中常用氧化物限制结构来对其进行电流和光场的限制。分别从氧化时间、氧化温度、氧化载气的气流量三方面讨论研究了它们对Al0.98 Ga0.02As层氧化深度、氧化速率的影响。最后得到最佳氧化条件:氧化温度为422 ℃,氧化载气的气体流量为1.5 L/min,氧化速率为0.6μm/min。用在此最佳氧化条件下氧化的外延片制成VCSEL器件,室温下其阈值电流大约为1.8 mA,最大输出功率为7.96 mW。
- 谢浩锐钟景昌赵英杰王晓华郝永芹刘春玲姜晓光
- 关键词：垂直腔面发射激光器布拉格反射镜氧化物限制氧化速率
