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能够实现粒子的非对称囚禁的垂直腔面发射半导体激光器: 能够实现粒子的非对称囚禁的垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有能够发射非圆空心光的垂直腔面发射半导体激光器其结构复杂。本发明在欧姆接触层、上分布布拉格反射镜以及有源增益区形成的圆柱形实体的中心部分设置一...; 晏长岭杨静航逄超冯源郝永芹张剑家; 文献传递

Lateral Oxidation in Vertical Cavity Surface Emitting Lasers: 2006年; Lateral oxidation in vertical cavity surface emitting lasers （VCSELs） is described,and its characteristics are investigated.A linear growth law is found for stripe mesas. However, oxide growth （above 435℃ ） follows a nonlinear law for the two geometry mesa structures which we employ in VCSEL. Theoretical analysis indicates that mesa structure geometry influences oxide growth rate at higher temperatures.; 刘文莉郝永芹王玉霞姜晓光冯源李海军钟景昌

一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法: 一种使用湿法刻蚀法制备GaAs微透镜的方法,属于半导体光电子器件工艺技术领域。由于传统垂直腔面发射激光器有光束质量差的缺点，我们针对于GaAs基垂直腔面发射激光器发明了利用湿法刻蚀制备微透镜的方法。用微透镜作为输出耦合透...; 刘国军单少杰郝永芹魏志鹏冯源李特安宁周路罗扩郎陈芳何斌太刘鹏程; 文献传递

一种垂直升降电梯防坠落保护装置: 本发明涉及电梯设备制造技术领域，是一种垂直升降电梯防坠落保护装置。电梯坠落原因主要由钢丝绳脱落或断裂、超载运行、测速与限速器以及设备故障所造成的，少有发生。为了克服现有技术之不足，本发明提供一种独立于现有安全保障系统的垂...; 赵英杰芦鹏金国烈许鹏赵宇斯刘羽姜晓光姜涛于正林赵博郝永芹晏长岭冯源; 文献传递

上下电极旋错布置的垂直腔面发射半导体激光器: 上下电极旋错布置的垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有器件的电流注入均匀性较差，器件串联电阻较大。本发明其特征在于，旋错上电极位于欧姆接触层上表面，旋错下电极位于衬底下表面，旋错上电极、旋错下电极的主体...; 晏长岭逄超杨静航岳云震冯源李辉郝永芹钱冉

一种亚波长光栅及其制备方法: 本申请属于光栅技术领域，特别是涉及一种亚波长光栅及其制备方法。目前用于VCSEL的HCG，其材料通常采用Si/SiO2等材料，可以在提供高反射率的同时达到很大的带宽，但因与广泛使用的GaAs基VCSEL的材料体系不同，需...; 郝永芹王凤玲冯源李辉晏长岭白雪梅魏志鹏; 文献传递

牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法: 牢固倒封装微盘腔半导体激光器及其制作方法属于半导体激光器制造技术领域。现有倒封装技术不能直接用来解决微盘腔半导体激光器的散热问题。本发明之方法将发光发热区制作成彼此分立的支撑结构和微盘腔；在支撑结构上部的欧姆接触层上制作...; 晏长岭刘云史建伟冯源郝永芹李辉王佳彬

垂直腔面发射激光器的湿法氧化速率规律被引量：4: 2009年; 为实现垂直腔面发射激光器(VCSEL)氧化孔径的精确控制,对垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺的氧化速率规律进行了实验研究。在不同的温度下对垂直腔面发射激光器样品进行湿法氧化,氧化后采用扫描电镜(SEM)对氧化层不同氧化深度处生成物组成进行了微区分析。结果表明在不同氧化深度处氧化生成物各元素的组分含量不同,尤其氧元素的组分含量差别较大。分析和讨论了氧化不同阶段的反应类型和反应生成物,并建立了氧化速率随时间变化的数学模型,推导出在湿法氧化过程中,氧化速率随时间按指数规律变化,指出在一定的温度下,氧化时间越长,氧化速率越趋于稳定;适当降低氧化温度,延长氧化时间可提高氧化工艺的可控性与准确性。; 侯立峰钟景昌赵英杰郝永芹冯源谢浩锐姜晓光; 关键词：激光技术垂直腔面发射激光器湿法氧化氧化速率

808nm高功率VCSEL刻蚀工艺研究: 2014年; 为提高808nm高功率VCSEL的光电性能,对不同实验条件下的氧化限制型VCSEL湿法刻蚀工艺进行了实验研究,制备出多环形电极结构VCSEL器件。实验中采用H3PO4系腐蚀液替代以往常用的H2SO4系腐蚀液,通过改变湿法刻蚀工艺的温度条件及腐蚀液的浓度配比,能够较精确的控制腐蚀深度,消除"燕尾"结构,最终确定808nm高功率VCSEL湿法腐蚀工艺的最佳温度条件及腐蚀液的最佳浓度配比。测试结果表明,采用这种湿法刻蚀工艺条件制备的808nm高功率VCSEL器件,室温下的阈值电流为430m A,微分量子效率为0.44W/A,最大输出功率达到0.42W,其光电性能远优于传统湿法刻蚀工艺制备的同种高功率VCSEL器件。; 冯源晏长岭郝永芹王勇芦鹏李洋李再金; 关键词：垂直腔面发射半导体激光器高功率湿法刻蚀刻蚀速率

具有一步成型微结构及外凸锥形光放大器的半导体激光器: 具有一步成型微结构及外凸锥形光放大器的半导体激光器属于半导体光电子技术领域。现有技术难以兼顾锥形半导体激光器的输出光功率和输出光质量。本发明其特征在于，跨层脊形主振荡器与外凸锥形光放大器的厚度相同，均从上波导层向下跨越有...; 晏长岭钱冉杨静航李奕霏冯源郝永芹李辉

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