张勇
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
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- 激光退火在背照式CCD图像传感器中的应用研究
- 2023年
- 激光退火是消除背照式电荷耦合器件(CCD)图像传感器背面势阱的重要工艺。文章研究了激光退火工艺中不同的激光波长、能量密度、光斑交叠率对掺杂杂质激活效率、器件表面形貌、成像质量及紫外量子效率的影响。研究结果表明,在浅结注入的情况下,355 nm波长激光激活效率要优于532 nm激光,但是355 nm激光比532 nm激光更易在较低能量密度时使硅片出现龟裂现象。采用2 J/cm^(2)能量密度、50%~65%交叠率,355 nm激光能有效激活离子注入的硼离子,背照式CCD图像传感器成像均匀性好,紫外量子效率明显提升。
- 钟玉杰雷仁方林珑君李睿智张勇曲鹏程郭培廖乃镘
- 关键词：激光退火电荷耦合器件图像传感器
- 近红外增强低串扰四象限探测器技术研究
- 2023年
- 黑硅四象限光电探测器结合了黑硅技术与四象限探测器技术,与传统结构四象限光电探测器相比,具有更高的灵敏度、更宽的响应光谱范围和更快的响应速度,可有效提高激光制导武器的探测距离与探测精度,在国防军事领域具有突出的应用价值和广阔的应用前景。本文四象限探测器采用硅材料制作,硅材料本身对波长大于1000nm光子的吸收能力差,导致器件的近红外响应低。黑硅结构从紫外光(波长250nm)到近红外光(波长2500nm)都具有高吸收率,可以增强硅基四象限光电探测器近红外响应灵敏度。本文研制的像元串扰抑制结构,可以有效的防止像元边缘的光生载流子扩散入邻近像元,从而形成串扰,退化器件性能。本文基于湿法腐蚀的黑硅制作技术,隔离沟槽和截止环复合结构串扰抑制技术,研制了近红外响应增强低串扰四象限探测器。研究结果表明,在400nm-1060nm波长范围内,研制的黑硅反射率小于2%,器件响应度达到0.55A/W@1060nm,像元间串扰小于2%@1060nm。
- 刘钟远刘恋黄烈云黄建张勇
- 关键词：四象限探测器
- 液相外延温控系统与真空系统的全新设计
- 2006年
- 对液相外延温控系统和真空系统进行了全新的设计,温控系统运用单相可控硅过零触发技术,解决了移相触发技术中使系统电压畸变,功率因数下降的问题。并配以日本神港程序控制器,使得温度精度达到±0.1℃,且重复性和稳定性也相应地得到提高。真空系统加入了冲洗气体保护装置,有效地解决了以往冷阱变暖使油蒸汽反流的问题。
- 郭亮刘洪斌刘凯张勇
- 关键词：温度控制可控硅过零触发
- 磁控溅射台电控系统的改造
- 2011年
- 针对当前磁控溅射台存在真空自动准备和手动自动切换不完善等缺点,以DV602磁控溅射台为例,对其电控系统进行了改造。设计了以PLC为控制系统核心、以触摸屏为人机接口的电控系统,控制系统的可靠性和稳定性得到提高,且界面友好,操作方便。
- 赖忠良李莉张勇贾易洪唐代飞
- 关键词：磁控溅射PLC触摸屏RS485
- 分步重复自动对准光刻工艺技术研究被引量：2
- 2007年
- 介绍了投影光刻机的分步重复自动对准光刻系统,分析了其工作原理;从对准标记的设计、工艺与对准的关系两方面进行了论述,阐述了采用这类自动对准系统的光刻机可能遇到的工艺问题,并提出了相应的解决措施。
- 蔡颖岚张勇杜合杰李仁豪
- 关键词：光刻机
