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李睿智

作品数:10 被引量:11H指数:2
供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 10篇电子电信

主题

  • 5篇CCD
  • 2篇电荷耦合
  • 2篇电荷耦合器
  • 2篇电荷耦合器件
  • 2篇探测器
  • 2篇离子注入
  • 2篇金属
  • 2篇刻蚀
  • 2篇光电
  • 2篇光电探测
  • 2篇光电探测器
  • 2篇二极管
  • 1篇电荷
  • 1篇电子器件
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇湿法腐蚀
  • 1篇双色探测器
  • 1篇图像
  • 1篇图像传感器

机构

  • 10篇重庆光电技术...

作者

  • 10篇李睿智
  • 4篇钟玉杰
  • 4篇雷仁方
  • 2篇龙飞
  • 2篇江海波
  • 2篇郭培
  • 2篇袁安波
  • 2篇王小强
  • 1篇汪朝敏
  • 1篇许青
  • 1篇张勇
  • 1篇郑渝
  • 1篇李华高
  • 1篇李金
  • 1篇李平
  • 1篇曾庆高
  • 1篇翁雪涛
  • 1篇廖乃镘
  • 1篇程顺昌
  • 1篇曲鹏程

传媒

  • 9篇半导体光电
  • 1篇电子技术(上...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2009
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
CCD MPP结构制作工艺技术研究被引量:2
2009年
在1024×1024可见光电荷耦合器件(CCD)的基础上增加了MPP(Multi-Pinned Phase)结构设计和工艺制作。制得的1024×1024可见光MPP CCD实现了MPP功能,有效抑制了CCD表面暗电流的产生。当MPP注入剂量为(6±2)×1011cm-2时,其暗电流密度下降了2/3,满阱电荷下降了1/2。
雷仁方杜文佳李睿智郑渝翁雪涛李金
关键词:CCDMPP暗电流密度
黑硅微结构光敏二极管被引量:3
2015年
与平面硅相比,黑硅对0.25~2.5μm波长光具有高吸收特性。为了提高硅光敏二极管的近红外灵敏度和响应时间,采用金属辅助刻蚀在光敏二极管探测器背面制作了黑硅微结构。在1 064nm波长,探测器红外响应达到0.518A/W,比常规探测器量子效率提高了65%。
王文革李华高龙飞李睿智李平张昌丽李益
关键词:光敏二极管量子效率
基于湿法腐蚀工艺的高性能黑硅光电探测器被引量:1
2021年
采用基于硝酸/氢氟酸/磷酸/硫酸混合液的湿法腐蚀工艺,实现了高吸收效率的黑硅结构的制备与工艺集成,获得了具有近红外响应增强效果的黑硅PIN光电探测器,并与未集成黑硅的PIN光电探测器的性能参数进行了对比测试。测试结果显示,黑硅光电探测器在1 060nm波长下的响应度达到0.69A/W(量子效率80.7%),较未集成黑硅的器件提高了116%;黑硅探测器暗电流小于8nA,响应时间小于8ns,电容小于9pF,与未集成黑硅的器件相当。得益于工艺兼容性,所采用的黑硅技术具有广泛应用于硅基近红外PIN,APD,SPAD,SPM等光电探测器的潜力,可显著提高器件的响应率、量子效率、响应速度、击穿电压温度系数等性能。
黄建雷仁方江海波刘钟远李睿智朱继鑫
关键词:光电探测器湿法腐蚀
CCD多晶硅离子注入掺杂工艺研究
2016年
研究了可取代多晶硅扩散掺杂的离子注入掺杂工艺,通过两种掺杂方式对CCD栅介质损伤、多晶硅接触电阻及均匀性等关键参数影响的对比研究,发现离子注入掺杂制作的多晶硅栅质量优于扩散掺杂制作的多晶硅栅,这有利于CCD输出均匀性的提高。对两种多晶硅掺杂方式的工艺集成条件进行对比,多晶硅掺杂采用离子注入方式其工艺步骤更简单,工艺集成度更高。
曾庆高钟玉杰江海波李睿智
关键词:CCD离子注入均匀性
γ辐照对1024×1152可见光CCD的影响研究被引量:3
2010年
通过对不同剂量γ辐照前后CCD的暗电流、转移效率、饱和输出电压等参数变化的分析,发现辐照后器件暗电流的增加主要是辐照后栅氧化层中产生的感生界面态电荷和场氧化层中产生大量的复合中心引起;转移效率下降主要是辐照后栅氧化层中产生的界面态俘获转移电荷所致;器件辐照后暗电流的增加将降低器件的有效信号输出幅度。
钟玉杰周玉红雷仁方汪朝敏李睿智王小强
关键词:CCD辐照界面态
波长拓展型可见-近红外双色光电探测器被引量:1
2020年
分析表明,双色光电探测器主要应用于宽光谱测量的应用场景,光谱响应范围将直接影响器件在测试系统中的性能。研制波长拓展型可见-近红外双色光电探测器,器件中调整了Si基和InGaAs基光电二极管芯片结构,使器件的光谱响应范围分别向紫外和红外方向进行了拓展。针对双芯片叠层封装结构,对Si基芯片进行了背面处理,降低了近红外光在该芯片上的吸收系数,采用3D加工工艺,制作一体化陶瓷载体,简化了器件加工工艺。研制的器件光谱响应范围达到300~1750nm,峰值响应度≥0.63A/W。
董绪丰柴松刚李睿智
关键词:光电子器件双色探测器光电二极管
激光退火在背照式CCD图像传感器中的应用研究
2023年
激光退火是消除背照式电荷耦合器件(CCD)图像传感器背面势阱的重要工艺。文章研究了激光退火工艺中不同的激光波长、能量密度、光斑交叠率对掺杂杂质激活效率、器件表面形貌、成像质量及紫外量子效率的影响。研究结果表明,在浅结注入的情况下,355 nm波长激光激活效率要优于532 nm激光,但是355 nm激光比532 nm激光更易在较低能量密度时使硅片出现龟裂现象。采用2 J/cm^(2)能量密度、50%~65%交叠率,355 nm激光能有效激活离子注入的硼离子,背照式CCD图像传感器成像均匀性好,紫外量子效率明显提升。
钟玉杰雷仁方林珑君李睿智张勇曲鹏程郭培廖乃镘
关键词:激光退火电荷耦合器件图像传感器
CCD含氯氧化工艺仿真校准研究
2012年
通过对含氯氧化在线实验结果和工艺仿真结果进行对比,并进行仿真工艺校准,发现采用氯含量相同的仿真校准结果较之等物质量仿真校准结果与实际工艺实验结果相吻合。对氯含量相同氧化校准模型进行了不同温度、不同氧化方式的验证,仿真结果与在线实验结果相吻合,并利用该模型对CCD工艺制作中含氯氧化进行了仿真,仿真结果与CCD工艺制作测试数据相一致。
钟玉杰王小强许青程顺昌李睿智
关键词:仿真校准电荷耦合器件
拉通型硅基APD保护环工艺研究被引量:2
2017年
研究了离子注入后推结与扩散两种掺杂方式制作保护环对拉通型硅基雪崩光电二极管(Si-APD)器件成品率的影响,对比在不同工艺条件下器件反向击穿电压、暗电流的变化情况。研究结果表明,采用离子注入后推结的方式,在注入后3h@1 100℃条件下的成品率为94%;采用扩散掺杂方式,器件成品率不超过65%。两种方式对器件反向击穿电压影响较小且暗电流抑制效果相当。离子注入后推结制备保护环的方式更适合Si-APD制程。
李睿智袁安波曾武贤
关键词:保护环离子注入技术
大面阵内线转移CCD二次金属铝刻蚀残留研究被引量:1
2017年
分析了引起大面阵内线转移CCD直流短路的原因,确认了二次金属铝刻蚀残留是引起器件失效的主要原因。利用扫描电子显微镜技术,研究了刻蚀工艺参数对内线转移CCD二次金属铝刻蚀残留的影响。优化了预刻蚀、主刻蚀和过刻蚀三个阶段的工艺条件,消除了金属铝刻蚀残留。采用优化的工艺参数进行二次金属铝刻蚀,器件直流成品率提高了30%。
袁安波李睿智向鹏飞郭培龙飞
关键词:CCD反应离子刻蚀
共1页<1>
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