王明湘
- 作品数：42 被引量：29H指数：3
- 供职机构：苏州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学一般工业技术更多>>
- 场效应晶体管器件
- 本申请公开了一种场效应晶体管器件，用于解决现有技术场效应晶体管短沟道效应的问题，该场效应晶体管器件包括有源层，该有源层包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域；当器件开启时，沟道区域内形成有有效沟道...
- 王明湘郭烨烨陈乐凯张冬利王槐生
- 一种具有双极型工作特性的薄膜晶体管
- 本发明涉及一种具有双极型工作特性的薄膜晶体管，其包括：绝缘衬底、半导体有源区、金属源区、金属漏区、栅绝缘层、栅电极和源漏区附近的调制掺杂区；栅极电压可在半导体有源区表面诱导出导电沟道，此导电沟道将连接金属源区和金属漏区。...
- 王明湘张冬利陈杰
- 文献传递
- 构筑二维有序分布硅量子点图形化纳米结构的方法
- 构筑二维有序分布硅量子点图形化纳米结构的方法，超薄非晶硅(a-Si)薄膜或a-SiN<Sub>X</Sub>:H/a-Si:H/a-SiN<Sub>X</Sub>:H结构薄膜上先制作移相光栅模版，然后以激光干涉晶化：激光...
- 陈坤基黄信凡闵乃本骆桂蓬王明湘徐骏李伟
- 文献传递
- 具有漏端Offset的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的特性及开态电流模型
- 2020年
- 本文研究了具有不同漏端Offset长度(LDO)的非晶铟镓锌氧化物(Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide,a-IGZO)薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)的电学特性,发现器件的阈值电压(Vth)、亚阈值摆幅(SS)、关态电流(Ioff)与LDO无明显依赖关系。通过分析漏端Offset区域的电流与电压关系,发现其遵循欧姆定律,由此提取出漏端Offset区域电阻(RDO)。研究发现RDO与LDO成幂函数关系且幂次随栅源电压(VGS)的增加而增加,由此我们提出RDO的经验模型,同时利用此模型得到漏端Offset a-IGZO TFT的开态电流模型并通过与电流-电压曲线拟合得以验证。
- 赵金凤杜孟君张冬利王槐生单奇王明湘
- 关键词：薄膜晶体管电阻
- 非均匀掺杂场效应晶体管器件
- 本申请公开了一种非均匀掺杂场效应晶体管器件，用于解决现有技术场效应晶体管短沟道效应的问题，该场效应晶体管器件设置为当器件开启时，沟道区域内形成有有效沟道、以及至少在沟道区域的厚度方向上远离有效沟道的等效源区和/或等效漏区...
- 王明湘郭烨烨张冬利王槐生
- 薄膜晶体管
- 本发明公开了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括衬底、半导体沟道区、栅绝缘层、源区、漏区、源极、漏极及栅极，所述薄膜晶体管还包括用于向半导体沟道区提供空穴或电子的载流子注入结构。本发明涉及的薄膜晶体管可以显著降低动态热载流...
- 王明湘王槐生张冬利
- 文献传递
- 具有阻隔区的场效应晶体管器件
- 本申请公开了一种具有阻隔区的场效应晶体管器件，用于解决现有技术场效应晶体管短沟道效应的问题，该场效应晶体管器件包括有源层，该有源层包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域；当器件开启时，沟道区域内形...
- 王明湘刘敏周国澳张冬利王槐生
- 场效应晶体管器件
- 本发明公开了一种场效应晶体管器件，用于解决现有技术场效应晶体管短沟道效应的问题，其包括：有源层，包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域；栅极，环绕沟道区域设置；栅绝缘层，设置于栅极和沟道区域之间；...
- 王明湘陈乐凯张冬利王槐生
- 多芯片叠层封装中的芯片应力分析及结构优化被引量：7
- 2005年
- 针对典型的四层芯片叠层封装产品,采用正交试验设计与有限元分析相结合的方法研究了芯 片、粘合剂、顶层芯片钝化层和密封剂等十个封装组件的厚度变化对芯片上最大热应力的影响,并利用找 到的主要影响因子对封装结构进行优化。结果表明,该封装产品可以在更低的封装高度下实现,并具有更 低的芯片热应力水平及更小的封装体翘曲,这有助于提高多芯片叠层封装产品的可靠性。
- 刘彪王明湘林天辉
- 关键词：多芯片封装有限元分析可靠性
- 单栅场效应晶体管器件及调控其驱动电流的方法
- 本发明提供了一种单栅场效应晶体管器件及其电流调控方法，以解决现有技术中单栅场效应晶体管器件的驱动电流不能有效提升，无法满足应用需求的问题。该场效应晶体管包括有源层、形成于有源层两侧的源极区域和漏极区域、以及位于源极区域和...
- 王明湘赵金凤张冬利王槐生
- 文献传递
