陈坤基
- 作品数：269 被引量：234H指数：7
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 一种硅基宽光谱吸收光热转换材料及其制备方法
- 本发明涉及一种硅基宽光谱吸收光‑热转换材料，包括设有互联纳米线的核壳结构本体，所述核壳结构本体包括上部结构和下部结构；所述上部结构的纳米线上镶嵌有合金量子点，所述下部结构的纳米线上嫁接有纳米线；所述互联纳米线、镶嵌的合金...
- 徐骏宋小瑛宋虎成陈坤基
- 文献传递
- 纳米Si/SiO_2多层膜的结构表征及发光特性被引量：6
- 2008年
- 采用等离子体化学气相沉积系统生长非晶硅薄膜并用原位等离子体氧化的方法制备出具有不同子层厚度的非晶Si/SiO2多层膜,然后利用限制性晶化原理使非晶硅层晶化生成纳米硅。利用Raman、TEM等手段对薄膜结构进行了系统表征,在室温下观测到了光致发光信号,其发光峰峰位在750nm附近。进而在样品上下表面蒸镀电极,构建了电致发光原型器件并观测到了室温下的电致发光谱,开启电压约为6V,有两个明显的发光带,分别位于在650nm和520nm处。初步探讨了纳米硅及纳米硅/二氧化硅界面态对发光特性的影响。
- 韦德远陈德媛韩培高马忠元徐骏陈坤基
- 关键词：纳米硅
- 柔性电子硅网纳米线的研究
- 董泰阁朱智旻孙莹薛兆国赵耀龙余林蔚徐骏施毅陈坤基
- 基于双层纳米硅结构的非挥发性浮栅存储器及制备方法
- 基于双层纳米硅结构的半导体非挥发性浮栅存储器，以p型硅(电阻率为1-10Ω·cm)作为衬底(20)，源漏极(22、28)在衬底的两侧，在衬底上先设有第一层隧穿介质层形成的SiO<Sub>2</Sub>层(23)，厚度为1...
- 陈坤基吴良才王久敏余林蔚李伟徐骏丁宏林张贤高刘奎王祥徐岭黄信凡
- 文献传递
- 构筑二维有序分布硅量子点图形化纳米结构的方法
- 构筑二维有序分布硅量子点图形化纳米结构的方法，超薄非晶硅(a－Si)薄膜或a－SiN<Sub>x</Sub>∶H/a－Si∶H/a－SiN<Sub>x</Sub>∶H结构薄膜上先制作移相光栅模版，然后以激光干涉晶化：激光...
- 陈坤基黄信凡闵乃本骆桂蓬王明湘徐骏李伟
- 文献传递
- 一种高性能近红外发光钙钛矿薄膜及制备方法
- 本发明公开了一种高性能近红外发光钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：第一步，合成全无机钙钛矿纳米晶；第二步，准备干净的衬底与配制钙钛矿前驱体溶液；第三步，配制反溶剂并掺杂所述第一步制备的全无机钙钛矿纳米晶；第四步，采用两...
- 徐骏隽方蓥许筱晓赵昕宇陈坤基
- 硅基短波长发光二极管及其制备方法
- 本发明涉及一种硅基短波长发光二极管，同时还涉及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。本发明的发光二极管在P+的硅基底上沉积有由相邻层氮组分有明显差异a－SiNx:H薄膜构成的第一组光学微腔；在第一组光学微...
- 马忠元徐岭黄信凡李伟徐骏陈坤基冯端
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- 一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法，首先将清洗过的衬底放入PECVD设备的反应腔内，分别将Ar、H<Sub>2</Sub>等离子化对衬底进行轰击清洗，然后在20～30℃通入SiH<Sub>4</Sub>、NH<S...
- 董恒平陈坤基李伟徐骏刘增元孙正凤
- 文献传递
- 利用局域表面等离激元共振效应估算纳米硅量子点中掺杂效率的方法
- 利用局域表面等离激元共振效应估算纳米硅量子点中掺杂效率的方法，步骤以下：第一步：对不同掺杂浓度的纳米硅量子点材料的制备与纳米硅量子点材料的局域表面等离激元共振效应的表征；掺杂纳米硅量子点材料的制备，局域表面等离激元共振(...
- 徐骏陆鹏李东珂季阳钱明庆翟颖颖陈坤基
- 文献传递
- Ar^+激光结晶非晶硅膜电学性质研究
- 1992年
- 本文使用TEM分析、X射线衍射以及电导和霍耳效应联合测量等手段研究了Ar^+激光结晶a-Si:H膜的结构和电学性质.结果表明a-Si:H液相激光结晶膜(LP-LCR)的平均晶粒尺寸达数十微米,呈<111>择优取向,室温电导率为1.5(Ω·cm)^(-1),电子霍耳迁移率达36cm^2V^(-1)s^(-1),是一种有应用前景的薄膜.
- 张向东黄信凡陈坤基
- 关键词：非晶硅膜电学性质
