黄信凡
- 作品数：134 被引量：168H指数：6
- 供职机构：南京大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- a-Si:H/SiO<,2>多层膜中的脉冲激光诱导限制结晶
- 利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)技术制备a-Si:H/SiO<,2>多层膜,并采用脉冲激光诱导限制结晶的方法,对a-Si:H/SiO<,2>多层膜进行晶化.喇曼(Raman)散射谱的结果表明经过激光辐照后纳米硅颗...
- 乔峰隋妍萍马忠元李鑫严晓明黄信凡陈坤基
- 关键词：脉冲激光多层膜
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- 硅基光子分子的设置与制备方法
- 硅基光子分子的设置方法，以气相共形薄膜生长制备的光子分子，在玻璃和硅衬底设有直径尺寸为0.5－5μm，高度为0.4－2μm的柱形平台，并以共形薄膜生长方法制备含两个或多个有源层为a－SiN<Sub>z</Sub>的三维限...
- 钱波陈三陈坤基张贤高刘奎丁宏林李伟徐岭徐骏马忠元黄信凡
- 文献传递
- 利用多层膜生长技术制备纳米印章模板被引量：1
- 2006年
- 在纳米印章技术中,为克服电子束刻蚀制备50nm以下线条的技术难点,利用等离子增强化学气相沉积技术制备了a-Si/SiNx多层膜,再利用选择性湿法腐蚀或干法腐蚀在横截面上制备出浮雕型一维纳米级模板.多层膜子层之间界面清晰陡峭,可以在纳米量级对子层厚度进行控制,得到了侧壁在纳米尺度上平滑的模板.通过控制多层膜子层的生长时间,制备出线条宽度和槽状宽度均为20nm的等间距模板,品质优于电子束刻蚀技术制备的模板.
- 张永军李卫孟祥东杨景海华中李伟徐骏黄信凡陈坤基
- 关键词：电子束刻蚀等离子
- 基于温度、时间演变PL谱的a-SiN_x:O薄膜瞬态发光动力学研究
- 基于变温、变探测时间的PL谱,我们深入剖析了亚ns到ns时间范围内a-SiNx:O薄膜N-Si-O发光缺陷态时间演化的瞬态PL动力学过程,证实了缺陷态发光机制。我们进而揭示了室温下a-SiNx:O薄膜的辐射复合速率kr=...
- 张鹏展陈坤基林泽文谭大猛董恒平李伟徐骏黄信凡
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- 快速热退火对a_Si:H/SiO_2多层膜光致发光的影响被引量：2
- 2005年
- 采用在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中沉积a_Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a_Si:H/SiO2 多层膜 .用快速热退火对a_Si:H/SiO2 多层膜进行处理 ,制备nc_Si/SiO2 多层膜 ,研究了这种方法对a_Si:H/SiO2 多层膜发光特性的影响 .研究发现对a_Si:H/SiO2 多层膜作快速热退火处理 ,可获得位于绿光和红光两个波段的发光峰 .研究了不同退火条件下发光峰的变化 .通过对样品的TEM、Raman散射谱和红外吸收谱的分析 ,探讨了a_Si:H/SiO2 多层膜在不同退火温度下的光致发光机理 .
- 马忠元韩培高黄信凡隋妍萍陈三钱波李伟徐岭徐骏陈坤基
- 关键词：光致发光快速热退火
- 激光干涉制备二维纳米硅阵列及在提高光萃取效率中的应用
- 纳米硅(nc-Si)薄膜作为半导体材料中的重要一员，其制备方法及性能研究已经成为国际上的热点之一。本文利用一种激光干涉诱导结晶的方法，由激光光源与二维(2D)移相光栅掩模(PSGM)相结合，产生二维分布的干涉激光束。
- 王旦清姚尧陈坤基黄信凡徐骏马忠元
- 关键词：激光干涉纳米硅薄膜半导体材料
- 文献传递
- a-Si:H/SiO<,2>多层膜中的激光诱导限制结晶
- 我们利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法和等离子体氧化技术原位制备了a-Si:H/SiO<,2>多层膜,并依据激光诱导限制结晶原理,用KrF准分子脉冲激光辐照样品的方法,使a-Si:H/SiO<,2>多层膜进行晶...
- 乔峰黄信凡隋妍萍李伟马忠元李鑫邹和成陈坤基
- 关键词：化学气相淀积激光辐照
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- 发光纳米硅/二氧化硅多层膜的特性与氢气氛退火的影响被引量：7
- 2007年
- 利用等离子体增强化学气相沉积法制备了氢化非晶硅/二氧化硅多层膜,通过两步热退火的方法获得了尺寸可控的纳米硅/二氧化硅多层结构,晶粒尺寸约为4nm,在室温下观察到了较强的光致可见发光,其发光峰位于750nm.在此基础上,发现合适的氢气氛退火能有效地提高材料的发光强度.电子顺磁共振实验表明氢气氛退火有效地降低了纳米硅中的非辐射复合中心而导致发光效率的提高.
- 夏正月韩培高韦德远陈德媛徐骏马忠元黄信凡陈坤基
- 关键词：光学性质
- 气相自组装生长硅量子环纳米结构的制备方法
- 气相自组装生长硅量子环纳米结构的制备方法，首先在等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)系统中衬底硅表面分别进行氩气(Ar)等离子体和氢气(H<Sub>2</Sub>)等离子体的预处理，在衬底硅表面形成硅纳米环的成核中心；...
- 余林蔚陈坤基李伟徐骏黄信凡宋捷李雪飞马忠元徐岭
- 文献传递
- 激光干涉结晶技术制备二维有序分布纳米硅阵列被引量：4
- 2005年
- 利用结合移相光栅掩模(PSGM)的激光结晶技术在超薄a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构样品中制备出二维有序分布的纳米硅阵列.原始样品是用等离子体增强化学气相淀积法生长.a-Si:H层厚为10nm,a-SiNx为50nm,衬底材料为SiO2/Si或熔凝石英.原子力显微镜、剖面透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜对样品表面形貌和微结构的观测结果表明,采用该方法可以在原始淀积的a-Si:H层中得到位置可控的晶化区域:每个晶化区域直径约250nm,具有同PSGM一致的2μm周期;晶化区域内形成的纳米硅颗粒尺寸接近原始淀积的a-Si:H层厚,且晶粒的择优取向为<111>.
- 邹和成乔峰吴良才黄信凡李鑫韩培高马忠元李伟陈坤基
- 关键词：激光干涉高分辨透射电子显微镜等离子体增强SINXSI02衬底材料
