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张冬利

作品数:26 被引量:0H指数:0
供职机构:苏州大学更多>>
相关领域:电子电信文化科学电气工程更多>>

文献类型

  • 26篇中文专利

领域

  • 11篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇文化科学

主题

  • 16篇晶体管
  • 10篇晶体
  • 10篇晶体管器件
  • 9篇沟道
  • 9篇场效应
  • 6篇电流
  • 6篇短沟道
  • 6篇短沟道效应
  • 6篇沟道效应
  • 5篇载流子
  • 5篇场效应晶体管
  • 4篇工作电流
  • 4篇薄膜晶体
  • 4篇薄膜晶体管
  • 3篇电感
  • 3篇热载流子
  • 3篇热载流子效应
  • 2篇抵触
  • 2篇电流计算
  • 2篇圆弧

机构

  • 26篇苏州大学

作者

  • 26篇张冬利
  • 20篇王明湘
  • 18篇王槐生
  • 5篇陶雪慧
  • 2篇陈杰
  • 2篇倪锦根
  • 1篇刘敏

年份

  • 8篇2024
  • 5篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2016
  • 4篇2014
  • 1篇2013
26 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
场效应晶体管器件及改善其短沟道效应和输出特性的方法
本发明提供了一种场效应晶体管器件及利用其改善短沟道效应和输出特性的方法,其中该场效应晶体管器件包括有源层,该有源层包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域;当器件开启时,沟道区域内形成有有效沟道以及...
王明湘陈乐凯张冬利王槐生
一种薄膜晶体管
本发明涉及的是一种新型薄膜晶体管结构,其包括绝缘衬底、源区、漏区、连接源区和漏区的有源岛、覆盖在有源岛上的绝缘层以及设置在绝缘层上的栅电极;有源岛上设置有沟道区以及与源漏导电类型相反的载流子输运区。本发明通过增加一个与源...
张冬利王明湘王槐生
文献传递
一种引入固定电荷的SOI功率器件
本发明提供了一种引入固定电荷的SOI功率器件,为SA‑LIGBT或SSA‑LIGBT结构,包括依次叠放的半导体衬底、介质埋层和半导体有源层,在所述介质埋层与半导体有源层之间设有一段第一电荷层和/或在场氧层与半导体有源层之...
王明湘王烽弛张冬利王槐生
一种多层功率集成电感制造方法
本发明涉及多层功率集成电感的制造方法,具体步骤如下:准备N张PI薄膜;在每一张PI薄膜上分别进行单片制作,形成N张单片样品;单片制作方法如下:在PI薄膜上激光打孔,形成过孔;在PI薄膜的上下表面分别进行光刻处理,形成光刻...
张允晶倪锦根朱占宇张冬利
单栅场效应晶体管器件及调控其驱动电流的方法
本发明提供了一种单栅场效应晶体管器件及其电流调控方法,以解决现有技术中单栅场效应晶体管器件的驱动电流不能有效提升,无法满足应用需求的问题。该场效应晶体管包括有源层、形成于有源层两侧的源极区域和漏极区域、以及位于源极区域和...
王明湘赵金凤张冬利王槐生
片状柔性材料弯曲试验设备及方法
本发明公开了一种片状柔性材料弯曲试验设备及方法,其中设备包括安装台,还包括装夹单元和弯曲轴单元,所述装夹单元包括装夹部,所述弯曲轴单元包括沿Z轴方向延伸的弯曲轴,所述弯曲轴远离所述装夹部的一端具有用于抵触所述片状柔性材料...
王明湘江微张冬利王槐生吴鸣吕楠楠
场效应晶体管器件
本申请公开了一种场效应晶体管器件,用于解决现有技术场效应晶体管短沟道效应的问题,该场效应晶体管器件包括有源层,该有源层包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域;当器件开启时,沟道区域内形成有有效沟道...
王明湘郭烨烨陈乐凯张冬利王槐生
一种新型提取LED系统热容和热时间常数的方法
本发明公开了一种新型提取LED系统热容和热时间常数的方法和理论,包括以下步骤:1)测量LED结温温度曲线;2)读取该曲线中温度上升到最高稳态温度的63.2%所对应的时间,记为LED器件的热时间常数τ<Sub>jc</Su...
陶雪慧张冬利
文献传递
一种具有双极型工作特性的薄膜晶体管
本发明涉及一种具有双极型工作特性的薄膜晶体管,其包括:绝缘衬底、半导体有源区、金属源区、金属漏区、栅绝缘层、栅电极和源漏区附近的调制掺杂区;栅极电压可在半导体有源区表面诱导出导电沟道,此导电沟道将连接金属源区和金属漏区。...
王明湘张冬利陈杰
文献传递
一种多层功率集成电感制造方法
本发明涉及多层功率集成电感的制造方法,具体步骤如下:准备N张PI薄膜;在每一张PI薄膜上分别进行单片制作,形成N张单片样品;单片制作方法如下:在PI薄膜上激光打孔,形成过孔;在PI薄膜的上下表面分别进行光刻处理,形成光刻...
张允晶倪锦根朱占宇张冬利
共3页<123>
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