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张冬利
作品数:
26
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供职机构:
苏州大学
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相关领域:
电子电信
文化科学
电气工程
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合作作者
王明湘
苏州大学
王槐生
苏州大学
陶雪慧
苏州大学
倪锦根
苏州大学
陈杰
苏州大学
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张冬利
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王明湘
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王槐生
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陶雪慧
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陈杰
2篇
倪锦根
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刘敏
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2024
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2023
1篇
2022
1篇
2021
1篇
2020
2篇
2019
2篇
2018
1篇
2016
4篇
2014
1篇
2013
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场效应晶体管器件及改善其短沟道效应和输出特性的方法
本发明提供了一种场效应晶体管器件及利用其改善短沟道效应和输出特性的方法,其中该场效应晶体管器件包括有源层,该有源层包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域;当器件开启时,沟道区域内形成有有效沟道以及...
王明湘
陈乐凯
张冬利
王槐生
一种薄膜晶体管
本发明涉及的是一种新型薄膜晶体管结构,其包括绝缘衬底、源区、漏区、连接源区和漏区的有源岛、覆盖在有源岛上的绝缘层以及设置在绝缘层上的栅电极;有源岛上设置有沟道区以及与源漏导电类型相反的载流子输运区。本发明通过增加一个与源...
张冬利
王明湘
王槐生
文献传递
一种引入固定电荷的SOI功率器件
本发明提供了一种引入固定电荷的SOI功率器件,为SA‑LIGBT或SSA‑LIGBT结构,包括依次叠放的半导体衬底、介质埋层和半导体有源层,在所述介质埋层与半导体有源层之间设有一段第一电荷层和/或在场氧层与半导体有源层之...
王明湘
王烽弛
张冬利
王槐生
一种多层功率集成电感制造方法
本发明涉及多层功率集成电感的制造方法,具体步骤如下:准备N张PI薄膜;在每一张PI薄膜上分别进行单片制作,形成N张单片样品;单片制作方法如下:在PI薄膜上激光打孔,形成过孔;在PI薄膜的上下表面分别进行光刻处理,形成光刻...
张允晶
倪锦根
朱占宇
张冬利
单栅场效应晶体管器件及调控其驱动电流的方法
本发明提供了一种单栅场效应晶体管器件及其电流调控方法,以解决现有技术中单栅场效应晶体管器件的驱动电流不能有效提升,无法满足应用需求的问题。该场效应晶体管包括有源层、形成于有源层两侧的源极区域和漏极区域、以及位于源极区域和...
王明湘
赵金凤
张冬利
王槐生
片状柔性材料弯曲试验设备及方法
本发明公开了一种片状柔性材料弯曲试验设备及方法,其中设备包括安装台,还包括装夹单元和弯曲轴单元,所述装夹单元包括装夹部,所述弯曲轴单元包括沿Z轴方向延伸的弯曲轴,所述弯曲轴远离所述装夹部的一端具有用于抵触所述片状柔性材料...
王明湘
江微
张冬利
王槐生
吴鸣
吕楠楠
场效应晶体管器件
本申请公开了一种场效应晶体管器件,用于解决现有技术场效应晶体管短沟道效应的问题,该场效应晶体管器件包括有源层,该有源层包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域;当器件开启时,沟道区域内形成有有效沟道...
王明湘
郭烨烨
陈乐凯
张冬利
王槐生
一种新型提取LED系统热容和热时间常数的方法
本发明公开了一种新型提取LED系统热容和热时间常数的方法和理论,包括以下步骤:1)测量LED结温温度曲线;2)读取该曲线中温度上升到最高稳态温度的63.2%所对应的时间,记为LED器件的热时间常数τ<Sub>jc</Su...
陶雪慧
张冬利
文献传递
一种具有双极型工作特性的薄膜晶体管
本发明涉及一种具有双极型工作特性的薄膜晶体管,其包括:绝缘衬底、半导体有源区、金属源区、金属漏区、栅绝缘层、栅电极和源漏区附近的调制掺杂区;栅极电压可在半导体有源区表面诱导出导电沟道,此导电沟道将连接金属源区和金属漏区。...
王明湘
张冬利
陈杰
文献传递
一种多层功率集成电感制造方法
本发明涉及多层功率集成电感的制造方法,具体步骤如下:准备N张PI薄膜;在每一张PI薄膜上分别进行单片制作,形成N张单片样品;单片制作方法如下:在PI薄膜上激光打孔,形成过孔;在PI薄膜的上下表面分别进行光刻处理,形成光刻...
张允晶
倪锦根
朱占宇
张冬利
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