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孙允希

作品数:24 被引量:16H指数:2
供职机构:北京大学物理学院技术物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 8篇会议论文

领域

  • 14篇理学
  • 8篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 2篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇磁性
  • 4篇铁磁
  • 4篇铁磁性
  • 4篇
  • 4篇
  • 4篇GAAS
  • 3篇晶格
  • 3篇超晶格
  • 3篇磁光
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  • 2篇多层膜
  • 2篇整流特性
  • 2篇砷化镓
  • 2篇能级
  • 2篇显微形貌
  • 2篇界面态
  • 2篇半导体
  • 2篇N^+
  • 2篇ZNTE
  • 2篇

机构

  • 23篇北京大学
  • 2篇北京有色金属...
  • 2篇中国科学院
  • 1篇复旦大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 23篇孙允希
  • 9篇王学忠
  • 8篇陈辰嘉
  • 5篇潘国宏
  • 5篇张伯蕊
  • 5篇陈开茅
  • 5篇蔡明
  • 5篇孙玉秀
  • 4篇张小平
  • 4篇张毓英
  • 4篇武兰青
  • 3篇乔永平
  • 3篇王勤堂
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  • 2篇孙騊亨
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传媒

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年份

  • 1篇2004
  • 5篇2001
  • 6篇2000
  • 4篇1999
  • 2篇1997
  • 1篇1995
  • 1篇1993
  • 2篇1991
  • 1篇1989
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
GaAs衬底上Mn/Sb多层铁磁膜的磁光克尔效应
2001年
利用超高真空电子束蒸发技术在 Ga As(10 0 )上生长 Mn/ Sb多层膜 ,并经短时间热退火处理分别研究了其退火前后的磁性、磁光克尔效应及相应规律 .退火前 Mn/ Sb膜在室温下即具有较强的铁磁特性 ,其易磁化轴在膜面内 ,样品表面由密集的岛状铁磁颗粒组成 ,未能观测到纵向 (H∥平面 )克尔效应 .经 35 0℃、2 0 m in退火的样品显示了最大饱和磁化强度 Ms和最小矫顽力 H c,X射线衍射测量表明膜为 Mn Sb单晶并具有均匀的铁磁特性 ,能观测到显著的极向和纵向磁光克尔效应 。
王学忠蔡明陈辰嘉孙允希孙騊亨张毓英
关键词:铁磁性磁光克尔效应GAAS衬底
Mn/Sb多层膜的磁性和磁光特性(英文)被引量:1
2004年
用超高真空蒸发技术在GaAs(10 0 )和玻璃衬底上生长不同厚度Mn/Sb多层膜 ,并经短时间热退火 (~ 1,2 0min) .磁化强度测量显示具有很强的室温铁磁特性 .当多层膜厚度从 70 0 增至 16 0 0 时 ,饱和强度增加了近一倍 ,极向和纵向克尔角也增加了 ,但不到一倍 .这表明磁化强度和克尔角两者均依赖于多层摸的厚度 ,但不是简单的正比于厚度的关系 .增加Mn/Sb多层膜的厚度能增强饱和磁化强度和极向和纵向克尔饱和角 .X射线衍射谱图结果表明高质量单晶结构的Mn/Sb多层膜能用超高真空蒸发技术生长 ,对较厚的多层薄膜 ,热退火的时间可很短(约 1min) .
陈辰嘉王学忠蔡明吴克丁晓民孙允希Filippo MagliaA.Stella
关键词:铁磁性磁光克尔效应X射线衍射
固体C_(70)/GaAs接触的界面态及整流特性
2000年
在高真空系统中 ,将C70 膜淀积在 (1 0 0 )晶向n型和p型GaAs衬底上 ,形成固体C70 n GaAs和C70 p GaAs两种接触。电学测量表明两种接触均是强整流结 ,在偏压为± 1V时 ,它们的整流比分别大于 1 0 6和 1 0 4 ,以及在固定正向偏压下 ,它们的电流都是温度倒数的指数函数 ,从中确定了它们的有效势垒高度分别为 0 .784eV和0 .5 31eV。深能级瞬态谱 (DLTS)和C -t测量发现在C70 GaAs界面上存在一个电子陷阱E(0 .6 40eV)和一个空穴陷阱H3(0 .82 2eV) ,以及在近界面的固体C70 中存在两个空穴陷阱H4 (1 .1 5 5eV)和H5(0 .85 6eV)。
陈开茅孙文红武兰青张伯蕊吴恩孙允希乔永平
关键词:GAAS界面态
钴铬垂直磁化膜的显微形貌和磁畴结构
张小平潘国宏孙允希王勤堂雷晓钧孙玉秀田芳
文献传递
新的空间调制光谱技术在半导体超晶格量子阱中的应用
1999年
报道一种通过转动样品来实现空间调制微分反射(DR)光谱技术,给出GaAs/AlGaAs多量子阱和应变InGaAs/GaAs多量子阱在室温下的DR谱实验测量结果,并与光调制反射谱(PR)实验和理论计算结果相比较.实验证明DR谱的信号比PR谱更强,可达10-2量级,两者一致并与理论计算结果符合得很好.
陈辰嘉王学忠孙允希林春韩一龙李海涛蔡明
关键词:半导体多量子阱超晶格
YBa_2Cu_3O_(-7)超导体的低场磁性及临界电流密度
1989年
在液氮温度下测量了几种不同工艺制备的 YBa_2Cu_3O_(~7)样品的临界电流 Jc。结果发现Jc 与相应的环状样品进行低场磁性测最所得到的一些物理参量呈单调变化关系。在这种意义上,这些参量可以定量地表征材料中弱连接的性质。
张宏阎守胜温庆哲张文彬孙允希李国忠彭金林俞定安布凤山
关键词:临界电流
VUV/XUV波段非线性过程的相位匹配及其应用
<正>在可见区,人们对非线性光学过程中的相位匹配问题已经有相当透彻的了解,有关相位匹配的理论和技术已在实际中得到广泛应用并取得相当好的效果.但是。在波长短于200nm 范围却研究甚少,特别是波长短于100nm 的 XUV...
孙騊亨王学忠孙允希张毓英
文献传递
Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnTe/Zn_(1-x)Mn_xTe超晶格光学性质的研究被引量:1
1999年
在11K-80K温度范围内研究了用MBE生长的ZnTe/Zn1-xMnxTe超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱.在考虑了样品中晶格失配所致的应力效应后对激子能级进行了理论计算,并讨论了导带偏移Qc和平均晶格常数的取值对计算结果的影响,还研究了x值对轻、重空穴激子能级位置的影响.在拉曼散射实验结果中不仅观测到高阶声子(6阶)。
李海涛陈辰嘉王学忠王学忠孙允希刘继周王迅孙允希孔祥贵
关键词:稀磁半导体超晶格光学性质
钴铬垂直磁化膜的显微形貌和磁畴结构
2000年
张小平潘国宏孙允希王勤堂雷晓钧孙玉秀田芳
关键词:显微形貌
Zn_(1-x)Mn_xTe/ZnTe超晶格的多声子拉曼谱
1997年
Zn1-xMnxTe/ZnTe超晶格的多声子拉曼谱陈辰嘉李海涛王学忠李晓莅孙允希王晶晶周赫田(北京大学物理系北京100871)Multi┐phononRamanSpectraofZn1-xMnxTe/ZnTeSuperlaticeChenChenj...
陈辰嘉李海涛王学忠李晓莅孙允希王晶晶周赫田
关键词:超晶格
共3页<123>
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