陈辰嘉
- 作品数：47 被引量：43H指数：5
- 供职机构：北京大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程历史地理更多>>
- Cd_（1－x）Mn_xTe的巨大法拉第旋转与激子跃迁被引量：5
- 1994年
- 在８０Ｋ－３５０Ｋ温度范围内测量研究了组分ｘ＝０．１、０．２、０．３、０．４、０．４５、０．５、０．６、０．７的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ系列样品的法拉第旋转随入射光子能量、组分和温度的变化规律．用单振子模型拟合实验结果，给出了激子能量随组分和温度的变化规律．本文还讨论了锰离子内能级间跃迁对高组分样品中法拉第效应的影响．
- 王学忠马可军W.Giriat陈辰嘉王荣明阎志成
- 关键词：半磁半导体半导体材料
- 新型稀磁半导体Zn＿（1－x）Co＿xS光谱特性的实验研究被引量：2
- 1995年
- 在７３～３００Ｋ温度范围内，首次测量了不同组分的新型稀磁半导体Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳ（ｘ＝０．００１，０．０１，０．０３，０．０４８，０．０５３，０．０６３）的近红外和可见区的吸收光谱和磁圆二色谱。观测到一系列吸收峰和磁圆二色谱峰，两者互相对应，其峰位与样品组分ｘ值无关。它们分别对应于Ｃｏ￣（２＋）离子在Ｔ＿ｄ对称的晶体场中不同能级间的跃迁。
- 王学忠陈辰嘉刘国彬
- 关键词：稀磁半导体吸收光谱半导体
- 稀磁半导体Cd＿（1－x）Mn＿xTe，Cd＿（1－x）Fe＿xTe的巨法拉第效应被引量：2
- 1995年
- 用消光法、交替磁场法和磁光调制法测量了不同温度下、不同组分的稀磁半导体Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｍｎ＿ｘＴｅ和Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｆｅ＿ｘＴｅ的巨法拉第效应。实验表明：对较高组分的，法拉第旋转角为负，用单振子模型能很好地描述实验结果。稀磁半导体Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｆｅ＿ｘＴｅ表现出与Ｃｄ＿（１－ｘ）Ｍｎ＿ｘＴｅ同量级的巨法拉第效应，当组分较低时，法拉第旋转角随入射光子能量出现由正到负的变化，必须用多振子模型才能很好解释实验结果。当样品很薄或磁场较低时，磁光调制法以其很高的测量精度显示出巨大的优越性。
- 王荣明王学忠陈辰嘉
- 关键词：稀磁半导体磁光调制半导体
- 新型稀磁半导体Zn＿（1－x）Co＿xSe和Zn＿（1－x）Co＿xS的能谱被引量：1
- 1995年
- 本文报道用晶体场理论对新型稀磁半导体Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳｅ和Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳ中Ｃｏ￣（２＋）离子不同能级间的跃迁进行计算的结果。与实验观测结果进行了比较，获得了相应的晶场参量Ｄ＿ｑ，Ｒａｃａｈ静电参量Ｂ，Ｃ和自旋－轨道耦合参数λ。本文对Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳｅ和Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｃｏ＿ｘＳ分别指认了观测到的Ｃｏ￣（２＋）离子能级间的跃迁。对较低能级部分，实验结果与理论计算符合较好。
- 陈辰嘉王学忠刘国彬
- 关键词：稀磁半导体自旋-轨道耦合能谱
- Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnTe/Zn_(1-x)Mn_xTe超晶格光学性质的研究被引量：1
- 1999年
- 在１１Ｋ－８０Ｋ温度范围内研究了用ＭＢＥ生长的ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱．在考虑了样品中晶格失配所致的应力效应后对激子能级进行了理论计算，并讨论了导带偏移Ｑｃ和平均晶格常数的取值对计算结果的影响，还研究了ｘ值对轻、重空穴激子能级位置的影响．在拉曼散射实验结果中不仅观测到高阶声子（６阶）。
- 李海涛陈辰嘉王学忠王学忠孙允希刘继周王迅孙允希孔祥贵
- 关键词：稀磁半导体超晶格光学性质
- 高组分稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe超晶格的荧光谱研究被引量：2
- 2006年
- 报道用分子束外延(MBE)技术生长的x=0.4,0.8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格低温和室温荧光谱研究结果。基态激子跃迁能级荧光谱实验结果显示高组分超晶格中具有高量子效率和高质量光发射。对激子能级随温度的变化进行了详细研究,给出激子跃迁能量的温度系数。激子能级线型的展宽随温度变化关系可用激子-纵向光学声子耦合模型解释。与光调制反射谱实验结果进行了比较。
- 陈辰嘉王学忠Bellani VStella A
- 关键词：荧光谱超晶格稀磁半导体光学声子
- 稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延膜的反射和光致发光谱被引量：1
- 1995年
- 测量了用热壁外延（ＨＷＥ）生长的不同组分（０≤ｘ≤０．９８）的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ薄膜在温度为３００Ｋ下的反射光谱，用Ｘ射线能借测定样品实际的组分ｘ值，由此获得了其能隙Ｅｇ与组分ｘ的关系：在Ｏ＜Ｘ＜０．２组分范围，Ｅｇ随ｘ的变化显示了反常现象，当Ｘ＞０．２时，能隙Ｅｇ随ｘ线性增大。在室温和低温下测量了样品的光致发光，除观测到Ｍｎ２＋离子内部４Ｔ１→６Ａ１发光峰外，在其低能边观测到一个较宽的发光峰，对结果进行了分析讨论。
- 王学忠陈辰嘉刘国彬曹阳王杰王迅
- 关键词：稀磁半导体反射光谱光致发光
- GaAs衬底上Mn/Sb多层铁磁膜的磁光克尔效应
- 2001年
- 利用超高真空电子束蒸发技术在 Ga As(10 0 )上生长 Mn/ Sb多层膜 ,并经短时间热退火处理分别研究了其退火前后的磁性、磁光克尔效应及相应规律 .退火前 Mn/ Sb膜在室温下即具有较强的铁磁特性 ,其易磁化轴在膜面内 ,样品表面由密集的岛状铁磁颗粒组成 ,未能观测到纵向 (H∥平面 )克尔效应 .经 35 0℃、2 0 m in退火的样品显示了最大饱和磁化强度 Ms和最小矫顽力 H c,X射线衍射测量表明膜为 Mn Sb单晶并具有均匀的铁磁特性 ,能观测到显著的极向和纵向磁光克尔效应 。
- 王学忠蔡明陈辰嘉孙允希孙騊亨张毓英
- 关键词：铁磁性磁光克尔效应GAAS衬底
- 半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe的磁光开关效应
- 1993年
- 在半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe中实现了不需改变施加磁场方向的新型磁光开关效应,该效应是由Cd_(1-x)Mn_xTe的巨大法拉弟效应和磁光反馈系统的饱和特性产生的。讨论了该效应用于光控、温控磁光开关及混合型磁光光学双稳态的可能性。
- 刘继周王传敏王学忠陈辰嘉
- 关键词：半磁半导体磁光效应开关控制
- 非对称GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As双量子阱的光学特性和光学非线性
- 1993年
- 报道用光调制反射谱和光致发光方法对非对称的GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As耦合双量子阱研究的实验结果。在300K和77K下测量了光调制反射谱,对实验结果的线形拟合确认了在双量子阱中分别对应子能级11H、11L、13H、22H等的跃迁,并与理论计算结果作了比较。以氩离子激光器488nm激发测量了双量子阱中基态(n=1)荧光峰强度随激发光密度的变化,研究了其非线性效应。用632.8nm激光在弱激发下测量了3.8～300K范围内相应荧光峰随温度的变化,对实验结果作了分析讨论。
- 陈辰嘉王学忠高蔚黄德平米立志
- 关键词：双量子阱光致发光非线性光学
