陈开茅
- 作品数：35 被引量：21H指数：4
- 供职机构：北京大学物理学院更多>>
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- 相关领域：电子电信理学机械工程电气工程更多>>
- 掺杂浓度对p型砷化镓（100）表面隧道谱的影响
- 1995年
- 利用扫描隧道显微镜／扫描隧道谱研究了掺杂浓度对砷化镓（１００）抛光片真实表面电子特性的影响。在针尖样品间距一定时，ｎ型与Ｂ型砷化镓电导隙都随掺杂浓度的降低而显著增大。ｎ型砷化镓的隧道电流／电压特性曲线变化规律与ｐ型的相似但是也存在明显的差异，特别是在正向偏置时掺杂浓度对ｐ型砷化镓隧道电流的影响远比ｎ型的大。隧道谱线形状的差异可以用于定性地区分浅掺杂ｐ－ｎ结ｎ型与ｐ型半导体表面，因此ＳＴＭ／ＳＴＳ有希望成为研究ｐ－ｎ结、超晶格截面和界面特性的重要手段。
- 刘鸿飞杨润怀陈开茅
- 关键词：砷化镓STM半导体掺杂
- 固体C<,70>薄膜相变
- 固体C<,70>(或C<,60>)是碳元素除石墨,金刚石之外的第三种同素异构体,它具有若干重要性质,比如它可以被做成超导体,其超导温度高于50K,又如可以做成半导体,它易于和多种重要半导体(Si,GaAs,GaN,InP...
- 陈开茅冉广照陈源付济时张伯蕊朱美栋乔永平武兰青
- 关键词：相变异质结
- 文献传递
- Nb／C_（60）／p型Si结构的特性被引量：4
- 1994年
- 研究了Ｎｂ／Ｃ６０／Ｐ型Ｓｉ结构的电学特性．Ｉ－Ｖ结果表明这一结构具有强整流效应，这意味着在Ｃ６０／Ｓｉ界面附近存在着一个势垒，或称Ｃ６０／Ｓｉ异质结．高频Ｃ－Ｖ结果表明在Ｃ６０层中存有约１０１２～１０１３ｃｍ－２的可动负离子．这些离子的松弛温度高于３５０Ｋ，冻结温度低于２６０Ｋ，以及在３００－３７０Ｋ的测量温度范围内，Ｃ６０膜的相对介电常数与温度无关，即εＣ６０＝３．７±０．１．
- 陈开茅金泗轩贾勇强吴克李传义顾镇南周锡煌
- 关键词：电学特性异质结
- 固体C_(70)/GaAs接触的界面态及整流特性
- 2000年
- 在高真空系统中 ,将C70 膜淀积在 (1 0 0 )晶向n型和p型GaAs衬底上 ,形成固体C70 n GaAs和C70 p GaAs两种接触。电学测量表明两种接触均是强整流结 ,在偏压为± 1V时 ,它们的整流比分别大于 1 0 6和 1 0 4 ,以及在固定正向偏压下 ,它们的电流都是温度倒数的指数函数 ,从中确定了它们的有效势垒高度分别为 0 .784eV和0 .5 31eV。深能级瞬态谱 (DLTS)和C -t测量发现在C70 GaAs界面上存在一个电子陷阱E(0 .6 40eV)和一个空穴陷阱H3(0 .82 2eV) ,以及在近界面的固体C70 中存在两个空穴陷阱H4 (1 .1 5 5eV)和H5(0 .85 6eV)。
- 陈开茅孙文红武兰青张伯蕊吴恩孙允希乔永平
- 关键词：GAAS界面态
- 扫描隧道显微镜重掺硅（111）表面微缺陷研究被引量：1
- 1996年
- 利用电化学扫描隧道显微镜（ＥＣ－ＳＴＭ）初步研究了重掺锑硅（１１１）抛光片表面的微结构．多数硅晶片表面不同部位的ＳＴＭ形貌相表明，表面处理过程产生的微缺陷远比晶体生长过程产生的微缺陷多；粗糙度约为几个纳米的大面积平整区域与面积虽小但缺陷密度很高而且无规则分布的微区共存．微缺陷密度与晶体完整性、掺杂浓度和抛光条件有关．轻掺锑硅（１１１）表面相对平整，微结构尺寸较大（１００ｎｍ左右）边缘较平滑；重掺锑硅表面微缺陷密度很高，结构复杂，平整度明显降低．表面机械损伤，杂质条纹，过腐蚀等缺陷密度通过优化表面抛光条件可以有效降低或避免．
- 刘鸿飞秦福朱悟新尤重远陈开茅
- 关键词：扫描隧道显微镜
- 硅中E_c-O.18 eV铜能级的单轴应力深能级瞬态谱研究
- 1989年
- 首次用单轴应力下的深能级瞬态谱法研究了N型直拉硅中与铜有关的主要深能级E_c-0.18eV.由实验结果推断,这个能级对应于硅中两个不同的铜中心,其深能级的激活能十分接近,单轴应力使偶然简并解除从而将它们分开.
- 姚秀琛王雷陈开茅秦国刚
- 关键词：硅深中心铜
- 注碳GaN的拉曼散射谱研究被引量：1
- 1999年
- 本文研究了离子注入碳的GaN材料的Raman光谱。观察到离子注入碳的GaN在800℃退火后其拉曼光谱在1350和1600cm-1处出现两个峰。分析指出它们很可能分别来自GaN的CN和C=C局域伸缩振动。
- 孙文红王孙涛段家忯陈开茅濮玉梅王敬秦国刚
- 关键词：GAN拉曼光谱碳发光器件
- 在MOS结构Si-SiO_2界面上的一个主界面缺陷被引量：1
- 1989年
- 本文用DLTS测量了P型硅MOS结构Si-SiO_2界面的缺陷,发现了一个主界面缺陷H_(it)(0.503),其特点是:在测量温度范围内,它的平均空穴离化吉布斯自由能ΔG_P≥0.503eV;当栅压使Si-SiO_2界面处Fermi能级与硅价带顶的距离明显小于ΔG_P时,它仍然具有很高的DLTS峰;随着半导体表面电位势的缩小,它的空穴表现激活能明显增大;它对空穴的俘获过程造成合脉冲宽度的多指数电容瞬态,难于用有限宽度的脉冲电压引进的空穴对其作饱和填充。上述实验结果表明:热氧化生长形成的Si-SiO_2系统的能带是从共价键硅的能带连续过渡到SiO_2的能带;H_(it)(0.503)分布在其中的过渡区中,它的能级与价带的距离随着离开硅表面越远而越大。
- 陈开茅卢殿通
- 关键词：MOS结构
- 固体C_（70）／P型Si接触的电学性质
- 1995年
- 我们制成固体Ｃ７０／ｐ型Ｓｉ单晶半导体异质结电流电压（Ｊ－Ｖ）测量表明该结具有强整流作用，当偏压为±２Ｖ时，其整流比大于１０４倍电流温度（Ｊ－Ｔ－１）测量表明结的正向电流与温度的倒数呈指数关系，从中可得接触势垒的有效高度为０．２７ｅＶ．
- 陈开茅贾勇强吴克金泗轩李传义周锡煌顾镇南
- 关键词：电学性质硅碳70P型异质结
- p型硅MOS结构Si/SiO_2界面及其附近的深能级与界面态被引量：1
- 1992年
- 用深能级瞬态谱(DLTS)技术系统研究了Si/SiO_2界面附近的深能级和界面态。结果表明,在热氧化形成的Si/SiO_2界面及其附近经常存在一个浓度很高的深能级,它具有若干有趣的特殊性质,例如它的DLTS峰高度强烈地依赖于温度,以及当栅偏压使费密能级与界面处硅价带顶的距离明显小于深能级与价带顶的距离时,仍然可以观测到一个很强的DLTS峰。另外,用最新方法测量的Si/SiO_2界面连续态的空穴俘获截面与温度有关,而与能量位置无明显关系,DLTS测量的界面态能量分布与准静态C-V测量的结果完全不一致。本文提出的Si/SiO_2界面物理模型能合理地解释上述问题。
- 陈开茅武兰青彭清智刘鸿飞
- 关键词：能级界面态MOS系统
