王学忠
- 作品数：35 被引量：32H指数：3
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- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- 稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延膜的反射和光致发光谱被引量：1
- 1995年
- 测量了用热壁外延（ＨＷＥ）生长的不同组分（０≤ｘ≤０．９８）的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ薄膜在温度为３００Ｋ下的反射光谱，用Ｘ射线能借测定样品实际的组分ｘ值，由此获得了其能隙Ｅｇ与组分ｘ的关系：在Ｏ＜Ｘ＜０．２组分范围，Ｅｇ随ｘ的变化显示了反常现象，当Ｘ＞０．２时，能隙Ｅｇ随ｘ线性增大。在室温和低温下测量了样品的光致发光，除观测到Ｍｎ２＋离子内部４Ｔ１→６Ａ１发光峰外，在其低能边观测到一个较宽的发光峰，对结果进行了分析讨论。
- 王学忠陈辰嘉刘国彬曹阳王杰王迅
- 关键词：稀磁半导体反射光谱光致发光
- GaAs衬底上Mn/Sb多层铁磁膜的磁光克尔效应
- 2001年
- 利用超高真空电子束蒸发技术在 Ga As(10 0 )上生长 Mn/ Sb多层膜 ,并经短时间热退火处理分别研究了其退火前后的磁性、磁光克尔效应及相应规律 .退火前 Mn/ Sb膜在室温下即具有较强的铁磁特性 ,其易磁化轴在膜面内 ,样品表面由密集的岛状铁磁颗粒组成 ,未能观测到纵向 (H∥平面 )克尔效应 .经 35 0℃、2 0 m in退火的样品显示了最大饱和磁化强度 Ms和最小矫顽力 H c,X射线衍射测量表明膜为 Mn Sb单晶并具有均匀的铁磁特性 ,能观测到显著的极向和纵向磁光克尔效应 。
- 王学忠蔡明陈辰嘉孙允希孙騊亨张毓英
- 关键词：铁磁性磁光克尔效应GAAS衬底
- Mn/Sb多层膜的磁性和磁光特性(英文)被引量：1
- 2004年
- 用超高真空蒸发技术在GaAs(10 0 )和玻璃衬底上生长不同厚度Mn/Sb多层膜 ,并经短时间热退火 (～ 1,2 0min) .磁化强度测量显示具有很强的室温铁磁特性 .当多层膜厚度从 70 0 增至 16 0 0 时 ,饱和强度增加了近一倍 ,极向和纵向克尔角也增加了 ,但不到一倍 .这表明磁化强度和克尔角两者均依赖于多层摸的厚度 ,但不是简单的正比于厚度的关系 .增加Mn/Sb多层膜的厚度能增强饱和磁化强度和极向和纵向克尔饱和角 .X射线衍射谱图结果表明高质量单晶结构的Mn/Sb多层膜能用超高真空蒸发技术生长 ,对较厚的多层薄膜 ,热退火的时间可很短(约 1min) .
- 陈辰嘉王学忠蔡明吴克丁晓民孙允希Filippo MagliaA.Stella
- 关键词：铁磁性磁光克尔效应X射线衍射
- 稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延薄膜与超晶格的光学特性研究被引量：2
- 1996年
- 用分子束外延生长了不同组分ｘ的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ外延膜和Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格．由于Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的能隙Ｅｇ随组分变化在低组分区形成弓形，且弓形的范围随温度变化的反常特性，首次在光致发光谱（ＰＬ）中观测到当温度升高时，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／Ｚｎｓｅ超晶格中由ＺｎＳｅ为阱、Ｚｎ１－ｘＳｅ为垒转换成Ｚｎ１－ｘＳｅ为阱，ＺｎＳｅ为垒．瞬态光致发光结果表明，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格中Ｍｎ＋＋离子的激发态弛豫时间远大于Ｚｎ１＝ｘＭｎｘＳｅ外延模中Ｍｎ＋＋离子的弛豫时间，这可能是由于超晶格中界面效应引起Ｍｎ＋＋离子间交换相互作用改变所致．
- 陈晞王学忠刘继周陈辰嘉王杰凌震王迅王淑梅吕少哲
- 关键词：稀磁半导体超晶格
- 半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe的磁光开关效应
- 1993年
- 在半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe中实现了不需改变施加磁场方向的新型磁光开关效应,该效应是由Cd_(1-x)Mn_xTe的巨大法拉弟效应和磁光反馈系统的饱和特性产生的。讨论了该效应用于光控、温控磁光开关及混合型磁光光学双稳态的可能性。
- 刘继周王传敏王学忠陈辰嘉
- 关键词：半磁半导体磁光效应开关控制
- 非对称GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As双量子阱的光学特性和光学非线性
- 1993年
- 报道用光调制反射谱和光致发光方法对非对称的GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As耦合双量子阱研究的实验结果。在300K和77K下测量了光调制反射谱,对实验结果的线形拟合确认了在双量子阱中分别对应子能级11H、11L、13H、22H等的跃迁,并与理论计算结果作了比较。以氩离子激光器488nm激发测量了双量子阱中基态(n=1)荧光峰强度随激发光密度的变化,研究了其非线性效应。用632.8nm激光在弱激发下测量了3.8～300K范围内相应荧光峰随温度的变化,对实验结果作了分析讨论。
- 陈辰嘉王学忠高蔚黄德平米立志
- 关键词：双量子阱光致发光非线性光学
- 稀磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe的巨法拉第效应被引量：5
- 1995年
- 在７０－３００Ｋ温度范围内测量研究了组分ｘ为０．０１，０．００３和０．０６的稀磁半导体Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ的法拉第旋转与入射光子能量、温度和组分的关系．首次用多振子模型拟合实验结果，获得了布里渊区Γ点的激子能量Ｅθ和Ｌ点的能隙Ｅ１随组分ｘ的变化规律和Ｅ０的温度关系．讨论了Ｆｅ＋＋离子内部能级间跃迁对实验结果的影响．
- 王学忠王荣明陈辰嘉马可军
- 关键词：稀磁半导体半导体材料
- VUV/XUV波段非线性过程的相位匹配及其应用
- ＜正＞在可见区,人们对非线性光学过程中的相位匹配问题已经有相当透彻的了解,有关相位匹配的理论和技术已在实际中得到广泛应用并取得相当好的效果．但是,在波长短于200nm 范围却研究甚少,特别是波长短于 100 nm 的 X...
- 孙陶亨王学忠张毓英
- 文献传递
- 稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xTe的巨法拉第旋转和激子能量
- 1995年
- 在９０～３００Ｋ温度范围测量和研究了组分为０．２≤ｘ≤０．６的稀磁半导体Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ的法拉第旋转随入射光子能量和组分的变化．利用单振子模型获得了激子能量与组分的关系．还研究了法拉第旋转随温度的变化，得到激子能量的温度系数为－７．３×１０－６ｅＶ／Ｋ（ｘ＝０．３），首次从法拉第旋转测量获得了该晶体的居里温度．
- 王学忠王荣明刘继周陈辰嘉
- 关键词：稀磁半导体激子能量
- 新的空间调制光谱技术在半导体超晶格量子阱中的应用
- 1999年
- 报道一种通过转动样品来实现空间调制微分反射（ＤＲ）光谱技术，给出ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱和应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ多量子阱在室温下的ＤＲ谱实验测量结果，并与光调制反射谱（ＰＲ）实验和理论计算结果相比较．实验证明ＤＲ谱的信号比ＰＲ谱更强，可达１０－２量级，两者一致并与理论计算结果符合得很好．
- 陈辰嘉王学忠孙允希林春韩一龙李海涛蔡明
- 关键词：半导体多量子阱超晶格
