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魏鸿源
作品数:
63
被引量:7
H指数:2
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
理学
一般工业技术
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合作作者
杨少延
中国科学院半导体研究所
刘祥林
中国科学院半导体研究所
王占国
中国科学院半导体研究所
焦春美
中国科学院半导体研究所
赵桂娟
中国科学院半导体研究所
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杨少延
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 生长温度 非极性 氮化镓 协变
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王占国
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
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刘祥林
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 GAN 氮化物 MOVPE 缓冲层
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焦春美
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 衬底 锌源 生长温度 氧化锌薄膜
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赵桂娟
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:非极性 氮化镓基发光二极管 氮化镓 多量子阱 镓
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朱勤生
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:镓 铟 非极性 金属有机化合物 锌源
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汪连山
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 氮化镓基发光二极管 多量子阱 MOVPE 成核
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李辉杰
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:非极性 氮化铝 氢化物气相外延 氮化镓 生长温度
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冯玉霞
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓基发光二极管 氮化镓 氮化铝 硅衬底 一维纳米结构
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桑玲
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:非极性 镓 蓝宝石衬底 锌源 GAN薄膜
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