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魏鸿源

作品数:63 被引量:7H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>

领域

  • 31个电子电信
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主题

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  • 17个生长温度
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  • 16个单晶
  • 16个电子器件

机构

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资助

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传媒

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地区

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39 条 记 录,以下是 1-10
杨少延
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 生长温度 非极性 氮化镓 协变
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘祥林
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 GAN 氮化物 MOVPE 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦春美
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 衬底 锌源 生长温度 氧化锌薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵桂娟
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:非极性 氮化镓基发光二极管 氮化镓 多量子阱 镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱勤生
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:镓 铟 非极性 金属有机化合物 锌源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪连山
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 氮化镓基发光二极管 多量子阱 MOVPE 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李辉杰
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:非极性 氮化铝 氢化物气相外延 氮化镓 生长温度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯玉霞
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓基发光二极管 氮化镓 氮化铝 硅衬底 一维纳米结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
桑玲
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:非极性 镓 蓝宝石衬底 锌源 GAN薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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