杨少延
- 作品数：146 被引量：64H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法
- 一种制备氧化锌薄膜材料的方法，特别是指一种利用SOI可协变衬底，采用磁控溅射设备制备生长氧化锌薄膜材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选用顶部具有超薄硅单晶层的SOI材料作为硅基可协变衬底；步骤2：将溅射靶材装...
- 杨少延陈涌海李成明范海波王占国
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- 一种制备金属铪薄膜材料的方法
- 本发明提供一种制备金属铪薄膜材料的方法。利用具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度要求不高的低成本氯化铪为原材料，在用单束同位素纯低能氩离子轰击溅射清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属...
- 杨少延柴春林刘志凯陈涌海陈诺夫王占国
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- 一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置
- 本发明涉及离子束技术，是一种可在低能离子束材料制备方法中应用的离子源装置，包括弧室体和坩埚两部分，每部分配有辅助加热装置。弧室体与坩埚成一体且前后分离，之间有排进气孔连通；弧室体内装有上下双螺旋状灯丝，增大了弧室热功率和...
- 杨少延刘志凯柴春林蒋渭生
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- 制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法
- 本发明一种制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法，其中包括如下步骤：(1)选择一机械支撑衬底，该机械支撑衬底对于整个结构起机械支撑作用；(2)用分子束外延在机械支撑衬底上生长去耦合的中间层；(3)用分子束外延在去耦合的中间...
- 张志成杨少延黎大兵陈涌海朱勤生王占国
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- 离子束能量和衬底温度对氧化钆结构的影响
- 2005年
- 利用双离子束沉积技术,在Si(100)衬底上制备了氧化钆薄膜.离子束能量在100～500eV范围内,衬底温度较低时薄膜为(402)择优取向的单斜结构,随着衬底温度的增加,择优取向转为(202)方向.当衬底温度是700℃时,出现了立方结构,这是由于离子束加热的作用,导致低温下出现单斜结构.XPS研究表明薄膜中存在氧缺陷,改进工艺条件可消除部分缺陷.
- 周剑平柴春林杨少延刘志凯宋书林李艳丽陈诺夫林元华
- 关键词：晶体结构XPS
- 磁控溅射法生长CeO2/Si薄膜及其发光性质
- 2005年
- 利用反应磁控溅射法对CeO2薄膜的生长规律进行了研究.通过实验发现,溅射时氧气和氩气的比例对薄膜的成分和晶体质量有很大影响.在室温下测试了CeO2薄膜的PL谱,结果表明CeO2薄膜的发光主要来自于氧缺陷.
- 柴春林杨少延刘志凯陈诺夫
- 关键词：磁控溅射发光
- 粒子束能量和衬底温度对氧化钆结构的影响
- 利用双粒子束沉积技术,在Si(100)衬底上制备了氧化钆薄膜,离子束能量在100~500eV范围内,较低衬底温度时薄膜为(402)择优取向的单斜结构,随着衬底温度的增加,择优取向转为(202)方向,当衬底温度是700℃时...
- 周剑平柴春林杨少延刘志凯宋书林李艳丽陈诺夫林元华
- 关键词：晶体结构衬底温度
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- 缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法
- 本发明提供了一种缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法包括：于硅(111)衬底表面沉积金属铝层；通入的摩尔比介于2000～5000之间的氨气与三甲基铝，于1000℃～1500下在金属铝层上沉积氮化铝成核层；通...
- 冯玉霞杨少延魏鸿源焦春美孔苏苏
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- 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法
- 一种利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法，该方法包括以下步骤：步骤1：选用一衬底，并在MOCVD设备的低温生长区中对衬底进行锌化处理；步骤2：用载气将含锌源的金属有机化合物和笑气分别通入MOCVD设备的低温生长区中，在低...
- 时凯刘祥林魏鸿源焦春美王俊李志伟宋亚峰杨少延朱勤生王占国
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- 一种氢化物气相外延设备的反应室结构
- 本发明提供了一种氢化物气相外延反应室结构。其特征是由进气区、导流区和生长区组成。进气区包括进气区天棚、进气区底壁和多个进气隔板，用来分别导入不同种类气体；导流区包括天棚导流板和底层导流板，天棚导流板引导从吹扫气体进气通道...
- 胡君魏鸿源杨少延
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