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蔡勇

作品数：137 被引量：21H指数：3
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张宝顺
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：二维电子气 电极 HEMT器件 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于国浩
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：二维电子气 HEMT器件 氮化物 增强型 半导体表面
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋亮
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：二维电子气 HEMT器件 氮化物 增强型 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
付凯
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：增强型 二维电子气 HEMT器件 GAN HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张志利
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：二维电子气 HEMT器件 HEMT 增强型 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张亦斌
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：晶圆 半导体器件 单胞 大功率 LED器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐飞
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：晶圆 半导体器件 单胞 大功率 LED器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张晓东
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：氧化镓 电极 二维电子气 势垒层 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王越
供职机构：中国科学院
研究主题：二维电子气 氮化物 半导体表面 介质层 电流崩塌效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董志华
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：二维电子气 氮化物 半导体表面 介质层 电流崩塌效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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