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付凯

作品数:62 被引量:20H指数:3
供职机构:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金江苏省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学核科学技术电气工程更多>>

文献类型

  • 43篇专利
  • 11篇期刊文章
  • 8篇会议论文

领域

  • 20篇电子电信
  • 3篇核科学技术
  • 3篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 16篇探测器
  • 14篇增强型
  • 14篇二维电子
  • 14篇二维电子气
  • 12篇HEMT器件
  • 11篇GAN
  • 10篇HEMT
  • 9篇半导体
  • 8篇氮化物
  • 8篇电极
  • 8篇迁移率
  • 8篇肖特基
  • 7篇氮化
  • 7篇晶体管
  • 7篇化物
  • 6篇电子迁移率
  • 6篇红外
  • 5篇氮化镓
  • 5篇多量子阱
  • 5篇石墨

机构

  • 62篇中国科学院
  • 3篇中国科学院研...
  • 3篇苏州工业园区...
  • 2篇北京大学
  • 2篇南京理工大学
  • 1篇哈尔滨理工大...
  • 1篇华中科技大学
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇苏州大学
  • 1篇重庆师范大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇苏州苏纳光电...

作者

  • 62篇付凯
  • 47篇张宝顺
  • 32篇于国浩
  • 24篇蔡勇
  • 23篇张志利
  • 22篇宋亮
  • 10篇杨乐臣
  • 9篇李海军
  • 8篇邓旭光
  • 7篇刘冬
  • 6篇陆敏
  • 6篇熊敏
  • 4篇曾春红
  • 4篇高华杰
  • 3篇李淑萍
  • 3篇王逸群
  • 3篇张晓东
  • 3篇刘帆
  • 3篇范亚明
  • 2篇李晓伟

传媒

  • 3篇发光学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇光学学报
  • 1篇红外技术
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇核电子学与探...
  • 1篇电子器件
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇2014`全...
  • 1篇第12届全国...
  • 1篇2010中国...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2021
  • 6篇2020
  • 8篇2019
  • 8篇2018
  • 8篇2017
  • 9篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 6篇2011
  • 5篇2010
62 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
降低注入损伤实现增强型HEMT器件的方法及增强型HEMT器件
本发明公开了一种降低注入损伤实现增强型HEMT器件的方法,其包括:至少提供主要由第一、第二半导体组成的异质结构,其中,所述第二半导体形成于第一半导体表面,并具有宽于第一半导体的带隙,且所述异质结构内还分布有二维电子气;以...
于国浩张志利蔡勇张宝顺付凯孙世闯宋亮
文献传递
基于Plasmon增强的量子阱红外探测器及其制备方法
本发明公开了基于Plasmon增强的量子阱红外探测器及其制备方法,其包括:一Si-GaAs衬底;一位于所述衬底上的AlAs缓冲层;一位于所述缓冲层上的AlAs:Si下接触层;一位于所述下接触层上的多量子阱层;一位于所述多...
李海军刘冬杨乐臣付凯王逸群
文献传递
金属-半导体-金属结构A1GaN/GaN异质结紫外探测器技术及特性被引量:3
2014年
制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的A1GaN/GaN异质结紫外探测器,探测器采用Ni/Au金属作为电极。实验研究了探测器的光电响应特性和I-V特性。此探测器具有两个光谱响应范围,光谱响应的峰值响应率分别为288nm处0.717A/W和366nm处0.641A/W,峰值处的量子效率分别为288nm处308oA和366nm处217%。
杨乐臣付凯史学舜陈坤峰李立功张宝顺
关键词:探测器紫外GAN光电探测器
利用核废料发电的GaN辐射伏特效应核电池研究
了GaN材料作为核电池的潜在优势和国内外的研究状况,并报道了我们的最新研究结果。同时还根据研究的现状提出了在GaN材料生长和器件制作方面存在的问题和解决的方向。
陆敏付凯
关键词:核废料氮化镓核电池
两种不同结构n型GaN基肖特基二极管电学特性
2010年
实验研究了两种由ICP刻蚀不同结构的n型GaN材料与金属接触形成的肖特基二极管的I-V特性,分析计算了GaN基肖特基二极管的势垒高度和理想因子。研究发现n型GaN半导体材料表面费米能级钉扎,且费米能级的钉扎对n型GaN材料表面的金半接触所形成的肖特基势垒高度起决定性作用;结果表明表面经过ICP刻蚀后,n型GaN表面的氧化层消除,价带中态密度增多,有利于载流子的遂道效应与金属较易形成欧姆接触。
于国浩付凯陆敏苑进社
关键词:肖特基二极管伏安特性
紫外增强的UV探测器
随着社会的发展,紫外探测器的应用已经遍及工作与生活的各个角落。其中,由于臭氧层的吸收波长是在220~280 nm 的范围,导致太阳辐射在12 km 以下的低空极其微弱,被称为太阳辐射盲区或日盲区。在背景相对洁净的日盲区,...
王荣新杨乐臣付凯杨辉
三维金属光栅的制作方法
本发明公开一种三维金属光栅的制作方法,包括步骤:在外延片上形成间隔排列的多个挡体;在所述挡体之间形成三维金属结构;将所述挡体剥离去除,以在所述外延片上形成三维金属光栅。本发明利用表面等离子体激元将能量束缚在金属表面,在近...
曾春红付凯李晓伟林文魁陆增天张宝顺
文献传递
改善Ⅲ族氮化物MIS-HEMT欧姆接触的方法及MIS-HEMT器件
本发明公开了一种改善III族氮化物MIS‑HEMT欧姆接触的方法及MIS‑HEMT器件。所述方法包括:提供主要由第二半导体和第三半导体组成的异质结构,所述第三半导体分布于第二半导体上,且所述异质结构中形成有二维电子气;在...
李夏珺张宝顺蔡勇于国浩付凯张志利孙世闯宋亮
GaN肖特基核辐射探测器对X射线的响应时间特性研究被引量:2
2010年
通过制作大面积GaN肖特基X射线探测器,研究了GaN肖特基探测器对X射线的时间响应特性。实验采用Fe掺杂的高阻自支撑GaN片来制备器件,对不同偏压下的时间响应进行了测试。针对所测得的实验结果,对其内部机理进行了分析,提出了1个GaN肖特基探测器对X射线照射下的时间响应的理论模型,得到非常好的拟合结果。实验发现,由于高阻层的存在,GaN肖特基探测器具有很高的信噪比,即使在可能的光淬灭效应的影响下,探测器在200V反向偏压下的信噪比仍可达到80左右。
付凯于国浩陆敏
关键词:GANX射线
基于Si衬底的GaN外延结构及其制备方法
本发明属于半导体技术领域,尤其公开了一种基于Si衬底的GaN外延结构,其包括在Si衬底上依次叠层设置的第一AlN缓冲层、层状滑移层、第二AlN缓冲层、Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N缓冲层以...
邓旭光张宝顺蔡勇范亚明付凯于国浩张志利孙世闯宋亮
文献传递
共7页<1234567>
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