2024年11月9日
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张志利
作品数:
24
被引量:5
H指数:2
供职机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
于国浩
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
张宝顺
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
蔡勇
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
付凯
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
宋亮
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
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GaN增强型遂穿HEMT及通过自对准实现GaN增强型遂穿HEMT的方法
本发明公开了一种GaN增强型遂穿HEMT及通过自对准实现GaN增强型遂穿HEMT的方法。所述方法包括:在衬底上生长形成主要由第一、第二半导体组成的异质结构,第二半导体形成于第一半导体表面,并具有宽于第一半导体的带隙;在第...
张志利
蔡勇
张宝顺
付凯
于国浩
孙世闯
宋亮
邓旭光
文献传递
Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法
本发明公开了一种Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法。该集成单片包括集成设置的Ⅲ族氮化物HEMT和GaN激光器,其中GaN激光器包括从下向上依次设置的N型氮化镓层、量子阱结构以及P型氮化镓层等,所述Ⅲ族...
张志利
蔡勇
张宝顺
付凯
于国浩
孙世闯
宋亮
文献传递
改善Ⅲ族氮化物MIS-HEMT欧姆接触的方法及MIS-HEMT器件
本发明公开了一种改善III族氮化物MIS‑HEMT欧姆接触的方法及MIS‑HEMT器件。所述方法包括:提供主要由第二半导体和第三半导体组成的异质结构,所述第三半导体分布于第二半导体上,且所述异质结构中形成有二维电子气;在...
李夏珺
张宝顺
蔡勇
于国浩
付凯
张志利
孙世闯
宋亮
基于Si衬底的GaN外延结构及其制备方法
本发明属于半导体技术领域,尤其公开了一种基于Si衬底的GaN外延结构,其包括在Si衬底上依次叠层设置的第一AlN缓冲层、层状滑移层、第二AlN缓冲层、Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N缓冲层以...
邓旭光
张宝顺
蔡勇
范亚明
付凯
于国浩
张志利
孙世闯
宋亮
文献传递
改善III族氮化物MIS-HEMT欧姆接触的方法及MIS-HEMT器件
本发明公开了一种改善III族氮化物MIS‑HEMT欧姆接触的方法及MIS‑HEMT器件。所述方法包括:提供主要由第二半导体和第三半导体组成的异质结构,所述第三半导体分布于第二半导体上,且所述异质结构中形成有二维电子气;在...
李夏珺
张宝顺
蔡勇
于国浩
付凯
张志利
孙世闯
宋亮
文献传递
通过极性控制实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT
本发明公开了一种增强型HEMT,包括主要由第一、第二半导体层组成的异质结构和与异质结构连接的源、漏、栅电极;该源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接,该栅电极分布于源、漏电极之间;分布于栅电极正下方的第一、第二...
张志利
蔡勇
张宝顺
付凯
于国浩
孙世闯
宋亮
邓旭光
文献传递
降低注入损伤实现增强型HEMT器件的方法及增强型HEMT器件
本发明公开了一种降低注入损伤实现增强型HEMT器件的方法,其包括:至少提供主要由第一、第二半导体组成的异质结构,其中,所述第二半导体形成于第一半导体表面,并具有宽于第一半导体的带隙,且所述异质结构内还分布有二维电子气;以...
于国浩
张志利
蔡勇
张宝顺
付凯
孙世闯
宋亮
文献传递
SiNx介质层对AlGaN/GaN HEMT的漏电和转移特性的影响
以AlGaN/GaN HEMT为代表的GaN基功率晶体管由于具有宽带隙、高工作结温、高击穿场强和高电子迁移率等优点,因而在功率开关和射频器件中具有极大的应用前景和市场价值,成为当前功率器件研究的热点.在GaN基功率晶体管...
付凯
谭庶欣
张志利
于国浩
蔡勇
张宝顺
二次外延P型氮化物实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT
本发明公开了一种二次外延P型氮化物实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT。该方法包括:提供异质结构,并在所述异质结构上制作源、漏电极,使源、漏电极与异质结构表面形成欧姆接触且还均与异质结构中的二维电子气连接;对异质结构...
于国浩
张志利
蔡勇
张宝顺
付凯
孙世闯
宋亮
文献传递
二次外延P型Ⅲ族氮化物实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT
本发明公开了一种二次外延P型Ⅲ族氮化物实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT。在一实施案例之中,该方法包括:提供主要由Ⅲ族氮化物组成的异质结构,并在所述异质结构上制作表面钝化层和源、漏电极,使源、漏电极与异质结构表面形...
于国浩
张志利
张宝顺
蔡勇
付凯
孙世闯
宋亮
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