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冯欧

作品数:10 被引量:9H指数:2
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
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领域

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机构

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资助

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地区

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  • 3个四川省
20 条 记 录,以下是 1-10
陈堂胜
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦世龙
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:光接收机前端 单片集成 分布放大器 眼图 PHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋幼泉
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
叶玉堂
供职机构:电子科技大学
研究主题:PCB 图像采集 图像 FPGA 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨立杰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 GAAS 可变衰减器 相移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯忠
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:S波段 功率管 脉冲 SIC 光接收机前端
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
供职机构:东南大学
研究主题:高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范超
供职机构:电子科技大学
研究主题:光电子 半导体化合物 半导体 光接收机前端 PHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈新宇
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 开关 GAAS_MMIC 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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