蒋幼泉
- 作品数：94 被引量：105H指数：6
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
- 发文基金：微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程航空宇航科学技术自动化与计算机技术更多>>
- 移动通讯用GaAs MMIC开关
- 采用GaAs集成电路的自主技术,开发移动通讯用的GaAs SPST开关集成电路,在0.9GHz,插入损耗小于0.7dB,隔离度大于45dB.产品性能指标达到国外同类产品,并可以形成批量生产能力.
- 陈新宇陈辰陈继义李拂晓蒋幼泉许正荣袁江龙邵凯杨乃彬
- 关键词：砷化镓开关金属半导体场效应晶体管微波单片集成电路
- 文献传递
- 7～18GHz单片宽带大功率放大器被引量：6
- 2003年
- 张斌李拂晓蒋幼泉
- 关键词：功率放大器宽带大功率电子系统微波通信
- K波段单片功率放大器被引量：3
- 2000年
- 报道了K波段的PHEMTMMIC的设计与研制。PHEMT器件采用0.5μm栅长的3inchGaAs标准工艺制作。三级的MMIC放大器在18GHz处,线性增益17dB,输出功率P－1=19dBm。
- 陈新宇蒋幼泉黄念宁陈效建
- 关键词：PHEMTMMICK波段单片功率放大器
- 宽带GaAs MESFET开关模型被引量：4
- 2003年
- 提出了一种 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,适用于 MMIC电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性。在 0 .1～ 2 0 GHz频率范围内 。
- 陈新宇徐全胜陈继义陈效建郝西萍李拂晓蒋幼泉
- 关键词：开关模型MESFET金属半导体场效应晶体管GAAS砷化镓等效电路
- 硅LDMOS射频功率器件的发展历程与趋势被引量：8
- 2011年
- 从芯片结构的变化以及可靠性的提升角度简述了LDMOS射频功率器件的发展历程及趋势,给出了LD-MOS的最新研制结果。现在LDMOS射频功率器件在向高工作电压、高输出功率、高可靠以及脉冲应用等方向发展。
- 王佃利刘洪军吕勇严德圣盛国兴王因生蒋幼泉
- 关键词：硅射频功率
- 一种超低插损砷化镓射频开关被引量：4
- 2003年
- 报道了利用离子注入技术研制出一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关。该产品在82 0～ 95 0 MHz下 ,插入损耗≤ 0 .4 d B,回波损耗≥ 1 9.5 d B,反向三阶交调截距点≥ 67d Bm,隔离度≥ 1 5 .5 d B,控制电压为 (0 ,+4 .75 V)
- 蒋幼泉李拂晓黄念宁钮利荣陈新宇邵凯杨乃彬
- 关键词：砷化镓射频开关手机单刀双掷
- 高成品率砷化镓DPDT单片射频开关被引量：3
- 2003年
- 采用砷化镓 76mm 0 .7μm离子注入 MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓 DPDT单片射频开关(以下简称单片开关 )。该单片开关面积 1 3 1 0 μm× 1 2 5 0 μm,总栅宽 3 6mm,工作频率 DC～ 2 GHz,1 GHz下插入损耗 IL小于 0 .5 2 d B,隔离度 ISO大于 1 7d B,驻波 VSWR≤ 1 .3 ,2 GHz下 IL小于 0 .7d B,ISO大于 1 1 d B,驻波≤ 1 .3 ,反向三阶交调 PTOI优于 64 d Bm,1 W射频信号下的栅漏电小于 2 0 μA。连续五批共 60片的统计结果表明 ,该单片开关圆片上芯片的直流成品率最低 84 % ,最高 96% ;微波参数成品率在 75 %～ 86%之间 ,代表着国内 Ga
- 李拂晓蒋幼泉陈继义钮利荣高建峰邵凯杨乃彬
- 关键词：砷化镓射频开关单片开关GAAS
- S波段280W SiC内匹配脉冲功率管被引量：3
- 2008年
- 柏松吴鹏陈刚冯忠李哲洋林川蒋幼泉陈辰邵凯
- 关键词：S波段功率管SIC内匹配脉冲微波功率器件
- 5Gb/s GaAs MSM/PHEMT单片集成光接收机前端被引量：1
- 2006年
- 焦世龙陈堂胜蒋幼泉冯欧冯忠杨立杰李拂晓陈辰邵凯叶玉堂
- 关键词：单片集成PHEMTGAASMSM
- 高成品率手机用砷化镓单片开关
- 采用砷化镓3英寸0.7μm离子注入MESFET标准工艺技术研制出手机用砷化镓单片开关(以下简称单片开关)。该单片开关面积1310×1250μm,总栅宽36mm,工作频率DC-2GHz,1GHz下插入损耗I小于0.52dB...
- 李拂晓蒋幼泉陈继义钮利荣高建峰邵凯杨乃彬
- 关键词：砷化镓单片开关
- 文献传递
