您的位置: 专家智库 > >

童亮

作品数:7 被引量:9H指数:2
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金:河北省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇晶体管
  • 3篇电路
  • 3篇电路板
  • 3篇陶瓷
  • 3篇陶瓷基
  • 3篇陶瓷基板
  • 3篇微波晶体管
  • 3篇基板
  • 3篇加速寿命试验
  • 3篇高温
  • 2篇可靠性
  • 1篇电学
  • 1篇失效模式
  • 1篇热测试
  • 1篇热阻
  • 1篇热阻测试
  • 1篇自动监控
  • 1篇微波半导体器...
  • 1篇微波功率器件
  • 1篇稳态

机构

  • 7篇中国电子科技...

作者

  • 7篇童亮
  • 5篇黄杰
  • 5篇彭浩
  • 5篇张艳杰
  • 4篇高金环
  • 2篇张瑞霞
  • 2篇茹志芹
  • 2篇迟雷
  • 1篇徐立生

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子工艺技术
  • 1篇2003第十...

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2003
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
大功率晶体管稳态热阻测试
利用电学测量的方法成功地测量了大功率晶体管的稳态热阻,并通过大量的测试摸索出了一套有效、可靠的测量稳态热阻的方法,测试数据准确可靠.
张瑞霞童亮谭宗新徐立生
关键词:可靠性大功率晶体管
文献传递
微波半导体器件加速应力筛选技术研究
童亮彭浩张瑞霞张艳杰高金环迟雷晋李华黄杰
该项目为工业和信息化部国防科学技术工业局下达的技术基础科研任务-质量与可靠性类别中的一项,项目名称为微波半导体器件加速应力筛选技术研究。项目编号为:Z202009B001,研制起止时间为:2009年~2011年。随着可靠...
关键词:
关键词:微波半导体器件微波功率器件
微波晶体管高温老炼装置
本实用新型公开了一种微波晶体管高温老炼装置,包括铝制外壳、下陶瓷基板、两个L型铜柱和上陶瓷基板。所述上陶瓷基板、两个L型铜柱和下陶瓷基板由上至下依次放置于铝制外壳内;所述两个L型铜柱放在上陶瓷基板和下陶瓷基板之间的凹槽内...
彭浩黄杰童亮张艳杰高金环
文献传递
微波晶体管高温老炼装置
本发明公开了一种微波晶体管高温老炼装置,包括铝制外壳、下陶瓷基板、两个L型铜柱和上陶瓷基板。所述上陶瓷基板、两个L型铜柱和下陶瓷基板由上至下依次放置于铝制外壳内;所述两个L型铜柱放在上陶瓷基板和下陶瓷基板之间的凹槽内;所...
彭浩黄杰童亮张艳杰高金环
文献传递
LDMOS功率器件可靠性筛选技术研究被引量:2
2017年
为了获得良好的筛选效果,剔除早期失效产品,通过对LDMOS功率器件的失效情况进行调研分析,设计了LDMOS功率器件的筛选方案。主要研究了LDMOS功率器件失效模式和失效机理之间的对应关系、失效机理与试验项目之间的关系。选取可覆盖全部失效模式的试验项目,并根据各试验项目的特性和作用对其进行排序,形成合理有效的LDMOS功率器件可靠性筛选方案。选用100只某型号LDMOS功率器件按照此方案进行筛选,并对失效产品进行失效分析,验证了方案的有效性。
张艳杰茹志芹童亮
关键词:LDMOS失效模式可靠性
GaN HEMT器件热特性的电学测试法被引量:7
2017年
基于JEDEC颁布的结到壳热阻瞬态热测试界面法,对测试GaN HEMT器件热特性的电学法进行了研究。通过合理的测试电路设计,有效解决了GaN HEMT器件电学法测试中的栅极保护问题和自激问题,实现了GaN HEMT器件的界面热阻测量。根据测得的热阻-热容结构函数曲线可知,GaN HEMT器件结到壳热阻主要由金锡焊接工艺和管壳热特性决定。结合结构函数分析,对金锡焊接部分热阻和管壳热阻进行排序可剔除有工艺缺陷的器件。与红外热成像法的结温测试结果进行对比分析,证实了电学法测试结果的准确性。
迟雷茹志芹童亮黄杰彭浩
关键词:HEMT
微波晶体管高温老炼装置
本发明公开了一种微波晶体管高温老炼装置,包括铝制外壳、下陶瓷基板、两个L型铜柱和上陶瓷基板。所述上陶瓷基板、两个L型铜柱和下陶瓷基板由上至下依次放置于铝制外壳内;所述两个L型铜柱放在上陶瓷基板和下陶瓷基板之间的凹槽内;所...
彭浩黄杰童亮张艳杰高金环
共1页<1>
聚类工具0