高金环
- 作品数：48 被引量：42H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 氢效应试验箱和系统
- 本发明适用于电子元器件可靠性评价技术领域，提供了一种氢效应试验箱和系统。该系统包括：供电模块、氢浓度控制模块、控温模块、抽真空模块、参数测试模块和氢效应试验箱；其中，抽真空模块将氢效应试验箱内部设置为真空状态，以使氢浓度...
- 席善斌裴选彭浩高金环张魁高东阳
- 文献传递
- 微波半导体器件加速应力筛选技术研究
- 童亮彭浩张瑞霞张艳杰高金环迟雷晋李华黄杰
- 该项目为工业和信息化部国防科学技术工业局下达的技术基础科研任务-质量与可靠性类别中的一项，项目名称为微波半导体器件加速应力筛选技术研究。项目编号为：Z202009B001，研制起止时间为：2009年～2011年。随着可靠...
- 关键词：
- 关键词：微波半导体器件微波功率器件
- 微波晶体管高温老炼装置
- 本实用新型公开了一种微波晶体管高温老炼装置，包括铝制外壳、下陶瓷基板、两个L型铜柱和上陶瓷基板。所述上陶瓷基板、两个L型铜柱和下陶瓷基板由上至下依次放置于铝制外壳内；所述两个L型铜柱放在上陶瓷基板和下陶瓷基板之间的凹槽内...
- 彭浩黄杰童亮张艳杰高金环
- 文献传递
- 微波单片电路抗扰度测试夹具
- 本实用新型提供了一种微波单片电路抗扰度测试夹具，用于夹持微波单片电路并进行抗扰度测试，包括底座主体、PCB电路板、定位块、可拆卸连接在底座主体上的金属盒盖、设置在金属盒盖上的并用于压靠固定微波单片电路的压块，定位块上设有...
- 迟雷高金环黄杰杨洁张希军
- 文献传递
- 国产半导体器件长期贮存试验研究被引量：5
- 2010年
- 分析了在北方实验室条件下,贮存25年的国产商用高频小功率晶体管的特性与可靠性,通过对10批共1 460只器件的试验、检测,并与25年前的原始数据进行对比分析,发现了贮存器件存在直流放大倍数(HFE)退化、内引线开路、外引线可焊性失效三种失效模式,并对其失效原因、失效机理进行了分析。在考虑到现代技术可以消除的因素(用充干N2封装或已焊接使用),预计80年代的国产商用高频小功率晶体管贮存失效率水平小于10-7。用贮存25年的实物揭示了国产半导体器件贮存存在的主要失效模式,为国产半导体器件提高贮存可靠性提供了真实可靠的依据。
- 高兆丰童亮高金环徐立生
- 关键词：可靠性失效率可焊性水汽含量
- 微波晶体管高温老炼装置
- 本发明公开了一种微波晶体管高温老炼装置，包括铝制外壳、下陶瓷基板、两个L型铜柱和上陶瓷基板。所述上陶瓷基板、两个L型铜柱和下陶瓷基板由上至下依次放置于铝制外壳内；所述两个L型铜柱放在上陶瓷基板和下陶瓷基板之间的凹槽内；所...
- 彭浩黄杰童亮张艳杰高金环
- 文献传递
- 共振隧穿二极管的设计、研制和特性分析
- 2007年
- 用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长制备了不同结构的AlAs/GaAs/InGaAs两垒一阱RTD单管.经过材料生长设计和工艺的改进,测得室温下器件的最高PVCR为2·4,峰值电流密度达到36·8kA/cm2.进行直流参数测试,得到RTD的I-V特性曲线,对量子阱宽度和帽层厚度对I-V特性的影响进行了分析.
- 张磊杨瑞霞武一宾商耀辉高金环
- 关键词：共振隧穿二极管峰谷电流比负微分电阻
- GaN外延材料测试技术的研究
- 2008年
- 分别用金属In和Ti/Al/Ni/Au合金层制备GaN HEMT结构外延片的霍尔测试电极,并对样品进行霍尔测试。发现In金属与外延片形成非欧姆接触,Ti/Al/Ni/Au合金层与外延片形成良好的欧姆接触。用电化学C-V方法测试样品,得到的载流子浓度与合金电极制备的样品经霍尔测试得到的载流子浓度一致,从而验证了此种霍尔测试方法的准确性,为GaN外延材料的测试提出了准确可行的测试方法。
- 刘岳巍陈宏江高蒙张志国高金环闫德利杨勇
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管原子力显微镜
- 微波单片电路抗扰度测试夹具
- 本发明提供了一种微波单片电路抗扰度测试夹具，用于夹持微波单片电路并进行抗扰度测试，包括底座主体、PCB电路板、定位块、可拆卸连接在底座主体上的金属盒盖、设置在金属盒盖上的并用于压靠固定微波单片电路的压块，定位块上设有用于...
- 迟雷高金环黄杰杨洁张希军
- 文献传递
- 高功率微波下GaAs PIN限幅器的损伤机理分析被引量：1
- 2019年
- GaAs PIN限幅器是置于通信接收前端抗电磁扰动的重要部件。本文对经受高功率微波后GaAs PIN限幅器损伤形貌的观察,结合其损伤机理分析,揭示了PIN二极管易于损伤的位置以及造成界面损伤的机理,对于GaAs PIN限幅器设计和工艺改进具有一定的指导意义。
- 高金环黄杰席善斌
- 关键词：限幅器高功率微波损伤形貌
