彭浩
- 作品数：81 被引量：62H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>
- 六角基板大功率LED器件测试夹具
- 本发明公开了一种六角基板大功率LED器件测试夹具：涉及LED测试辅助装置技术领域；包括基座和盖帽；所述基座顶部设有用于承载LED器件的凸台，所述凸台顶部边缘对称设有两个电极，基座顶面设有用于锁定盖帽的夹紧机构；所述盖帽为...
- 黄杰林齐全刘东月彭浩
- 文献传递
- 基于LabVIEW的微波功率监测系统设计
- 2014年
- 功率监测是检验微波系统是否正常工作最常用又比较有效的技术手段。对于复杂的微波系统需要对多个微波信号端口同时进行监测的情况来说,传统的功率监测方法成本太高,很难满足使用的要求。为了满足多系统长时间监测微波功率的需求,基于LabVIEW软件设计了一种微波功率监测系统。系统利用HMC602对数检波器优秀的检波性能,先将微波功率信号转换为与之呈对数线性关系的电压信号,然后利用LabVIEW软件将电压信号计算转换成微波功率值,进行实时显示和保存。本文设计的微波功率监测系统带宽为1 MHz^8 GHz,动态范围50 dB,具有友好的交互界面和较高的测量精度。
- 张瑞霞迟雷黄杰彭浩沈育蓉
- 关键词：微波信号LABVIEW
- 一种测量报告生成系统
- 本发明适用于数据测量技术领域，提供了一种测量报告生成系统，包括：检索模块、语音模块、测量模块和报告生成模块；检索模块用于根据待测产品的标识信息生成测量参数，并向测量模块和报告生成模块发送测量参数；测量模块用于根据测量参数...
- 柳华光武利会张魁黄杰彭浩冉红雷赵海龙尹丽晶
- 文献传递
- 三维封装微系统中TSV技术研究被引量：3
- 2018年
- 对基于TSV技术的某微系统中的核心结构TSV转接板进行了研究,建立1层TSV转接板的电磁模型并进行仿真分析。其次在1层TSV转接板的基础上进行改进,分别建立2层TSV转接板和3层TSV转接板,通过仿真分析可知,3层TSV转接板的电学特性相比1层TSV转接板电学特性有明显提升。最后使用探针台对3层TSV转接板进行电学特性测试,通过对比发现,3层转接板的电学特性测试结果与仿真结果相吻合。
- 冉红雷彭浩黄杰
- 关键词：电磁仿真
- S波段硅微波功率晶体管的加速寿命试验
- 2012年
- 为了在尽量短的时间内对S波段硅微波功率晶体管的长期可靠性进行研究,依据温度应力阿列尼乌斯(Arrhenius)模型,进行了两种S波段硅微波功率晶体管的可靠性寿命评价试验。试验采用步进应力加速寿命试验摸底,找出了最高试验应力水平,并根据摸底结果分别进行了3组恒定应力加速寿命试验,最高试验壳温分别为250℃和220℃,大幅度提高了温度应力,加快了试验速度。试验全程采用数据采集卡实施实时监测,并对失效样品进行了失效分析,最大程度地保证了试验数据的准确性。通过对试验结果的统计分析,推算出了两种S波段硅微波功率晶体管的平均寿命。
- 童亮彭浩高金环黄杰
- 关键词：加速寿命试验可靠性S波段
- SiC MOSFET的退化或失效识别电路及方法
- 本发明提供一种SiC MOSFET的退化或失效识别电路及方法。该电路包括待测SiC MOSFET、电流源、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、电压采集模块、栅极驱动电路、第一电源和第二电源。本申请基于SiC MOSF...
- 迟雷桂明洋安伟彭浩高金环沈彤茜陈龙坡焦龙飞
- SiN钝化层对GaN HEMT辐射效应的影响被引量：1
- 2019年
- GaN HEMT具有的大功率、高频率特性使其在空间应用中具有广阔的前景,GaN HEMT的空间辐射效应也引起了人们的广泛关注。然而GaN HEMT器件并没有完全体现出其材料优越的抗辐射能力,研究认为器件结构和制造工艺是导致器件和材料间抗辐射能力差距的主要原因之一。半导体制造工艺中通常采用钝化层进行隔离、保护以及调整反射率等来近一步提升器件性能,本文分析了钝化层对二维电子气(2DEG)和AlGaN/GaN异质结表面势垒高度的影响,讨论了不同钝化层结构GaN HEMT的辐射响应及退化机理,认为钝化层可有效改善GaN HEMT的抗辐射能力。
- 席善斌裴选迟雷迟雷尹丽晶彭浩黄杰
- 关键词：钝化层二维电子气可靠性
- 三维集成器件焊接可靠性试验方法及监测系统
- 本发明提供了一种三维集成器件焊接可靠性试验方法，属于电子元器件技术领域，包括以下步骤：确定植球应力敏感区域；获取第一菊花链；获取第二菊花链；获取第三菊花链；通过万用表分别测量第一菊花链、第二菊花链、第三菊花链的电阻值；将...
- 冉红雷张魁黄杰彭浩盛晓杰柳华光赵海龙尹丽晶
- 文献传递
- 三维封装微系统TSV转接板技术研究被引量：3
- 2019年
- 首先,对基于TSV技术的某微系统中的TSV转接板进行了研究,建立了普通TSV转接板的电磁模型并进行了仿真分析;其次,设计了改进的双金属屏蔽结构TSV转接板,通过仿真分析发现,双金属屏蔽结构TSV转接板的电学性能显著地提升;最后,以双金属屏蔽结构TSV转接板为基础,研究了TSV转接板传输性能的影响因素。结果表明,当f≤20 GHz时,金属屏蔽层的厚度对双金属屏蔽结构TSV转接板的传输性能影响较小,金属屏蔽层与硅衬底之间的绝缘层厚度对TSV转接板的传输性能影响较小;当10 GHz≤f≤20 GHz时,金属屏蔽层与RDL布线层之间的厚度与TSV转接板的传输损耗参数成反比。该研究对提高TSV结构的设计可靠性有参考作用。
- 冉红雷彭浩黄杰黄杰
- 关键词：电磁仿真传输特性
- 水汽标准气体的制备装置及制备方法
- 本申请适用于微电子器件的检测试验技术领域，提供了水汽标准气体的制备装置及制备方法，该水汽标准气体的制备装置包括：第一腔体、第二腔体、进气阀、第一排气阀、第二排气阀和机械活塞；第一腔体的左侧通过进气口与进气阀连接，第一腔体...
- 桂明洋安伟迟雷焦龙飞沈彤茜陈龙坡彭浩周晓黎刘涛
