陈猛
- 作品数：13 被引量：194H指数：8
- 供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
- 发文基金：沈阳市科技攻关计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- In_2O_3:Sn(ITO)薄膜的光学特性研究被引量：30
- 1999年
- 对掺锡三氧化铟（Sn－dopedIn2O3，简称ITO）薄膜光学特性进行了研究结果表明，该薄膜在可见光区具有高的透射率；低电阻率的ITO薄膜在红外区的的反射率随薄膜方块电阻的减小而增大，表现出类金属性质，ITO薄膜的电磁本构特性参数光学折射率n和消光系数k在450－800nm区间的色散很弱，基于对薄膜光学吸收边附近吸收系数的线性拟合表明，薄膜在K＝0处价带至导带的跃迁是禁戒跃迁。
- 陈猛白雪冬裴志亮孙超宫骏黄荣芳闻立时
- 关键词：ITO光学特性
- 柔性基片上透明导电薄膜(In<,2>O<,3>:Sn和ZnO:Al)的直流磁控反应溅射
- 陈猛黄荣芳
- 关键词：表面镀膜反应堆
- ITO薄膜的XPS和AES研究被引量：23
- 2000年
- 分别用 ＸＰＳ和 ＡＥＳ分析了ＩＴＯ薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化和深度分布情况．研究表明，退火前后Ｓｎ和Ｉｎ处于各自相同的化学状态中．Ｏ以氧充足和氧缺乏两种化合状态存在，其结合能值分别为（５２９．９０±０．３０）ｅＶ和（５３１．４０±０．２０）ｅＶ．
- 陈猛裴志亮白雪冬黄荣芳闻立时
- 关键词：光电子能谱俄歇电子能谱ITO薄膜
- 透明导电氧化物ZnO:Al(ZAO)薄膜的研究被引量：32
- 2000年
- 用磁控反应溅射法制备了ＺｎＯ：Ａｌ（简称ＺＡＯ）薄膜，研究了薄膜方块电阻空间分布的均匀性及微观形貌、并对ＺｎＯ：Ａｌ薄膜表面各元素的化学状态和深度分布进行了 ＸＰＳ和 ＡＥＳ分析。
- 裴志亮谭明晖陈猛孙超黄荣芳闻立时
- 关键词：ZNO:AL薄膜光电性能导电薄膜
- In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制被引量：56
- 2000年
- 基于对锡掺杂三氧化铟 ( Sn- doped In2 O3,简称 ITO)和铝掺杂氧化锌 ( Al- doped Zn O,简称 ZAO)薄膜退火前后 XRD数据的分析 ,研究了薄膜晶格常数畸变的原因 ,同时讨论了 ITO和ZAO薄膜的导电机制 .结果表明 ,低温沉积 ITO薄膜的晶格膨胀来源于 Sn2 +对 In3-的替换 ,导电电子则由氧缺位提供 ;高温在位制备和退火处理后薄膜的晶格收缩来源于 Sn4 + 对 In3+ 的替换 ,导电电子则主要由 Sn4 + 取代 In3+ 后提供 .低温 ZAO薄膜的晶格畸变来源于薄膜中的残余应力 ,导电电子的来源则同高温在位和退火处理后的薄膜一致 ,即由 Al3+ 对 Zn2 +
- 陈猛白雪冬黄荣芳闻立时
- 关键词：导电薄膜导电机制氧化铟
- 软基片上ITO薄膜的光电特性被引量：4
- 1999年
- 利用直流反应磁控溅射技术，室温下在聚脂膜基片上制备了优良的ITO透明导电薄膜．研究了沉积速率，靶基距，氧流量以及厚度对薄膜光电性能的影响．所得薄膜的最低电阻率为4．23×10-4Ω·cm，可见光区平均透射率大于78％．对应于低电阻率（～10-4Ω·cm）和高透射率（～78＄）的反应窗口较文献中已报道的数据明显扩大．
- 陈猛白雪冬黄荣芳闻立时
- 关键词：ITO电阻率透射率光电特性
- ZnO:Al薄膜的组织结构与性能被引量：12
- 2000年
- 用直流磁控反应溅射合金靶制备了ＺｎＯ薄膜，研究了衬底温度和退火温度对薄膜的结构及电学和光学性能的影响．衬底温度升高能改善薄膜的电学特性，其原因是薄膜晶粒尺寸的增大温度升高导致薄膜基本光学吸收边向短波移动，但对高透射区（４５０～８５０ｎｍ）的透射率影响不大．
- 裴志亮谭明晖杜昊陈猛孙超黄荣芳闻立时
- 关键词：ZNO薄膜透射率
- 柔性基片上In_2O_3:Sn和ZnO:Al薄膜的制备及其电学和光学特性被引量：11
- 1999年
- 利用直流磁控反应溅射钢锡合金靶和锌铝合金靶，在软基片上低温沉积了Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）和ＺｎＯ：Ａｌ（ＺＡＯ）透明导电薄膜．结果表明，ＩＴＯ和ＺＡＯ薄膜均出现晶格畸变：柔性基片上低温沉积薄膜的电阻率对氧分压的依赖性远低于硅和玻璃衬底；尺度效应对薄膜电阻率有重要的影响实验测得ＩＴＯ薄膜在６０ｎｍ厚时获得最低电阻率为４．２３×１０－４·ｃｍ，ＺＡＯ薄膜在２０ｎｍ厚时获得最低电阻率为８．０９×１０－４·ｃｍ．无论ＩＴＯ或是ＺＡＯ，其可见光区的平均透射率均大于７５％基于薄膜吸收系数的研究表明，ＩＴＯ薄膜的光学直接能隙在３．６５－４．００ｅＶ之间，间接跃迁在２．５０—２７５ｅＶ之间ＺＺＡＯ薄膜的光学直接能隙在３．２０—３；６０ｅＶ之间，间接跃迁在２５０—２．
- 陈猛白雪冬黄荣芳闻立时
- 关键词：半导体薄膜ITO
- 透明导电膜ZnO:Al(ZAO)的组织结构与特性 被引量：38
- 2002年
- ＺｎＯ：Ａｌ（ＺＡＯ）是一种简并半导体氧化物薄膜材料，具有高的载流子浓度和大的光学禁带宽 度，因而具有优异的电学和光学性能，极具应用价值．对于其能级高度简并的ＺＡＯ半导体薄膜材料，在 较低的温度下，离化杂质散射占主导地位；在较高的温度下，晶格振动散射将成为主要的散射机制；晶界散 射仅当晶粒尺寸较小（与电子的平均自由程相当）时才起作用， 本文介绍了ＺＡＯ薄膜的制备方法、晶体 结构特性。
- 孙超陈猛裴志亮曹鸿涛黄荣芳闻立时
- 关键词：透明导电氧化物ZAO薄膜散射机制电学性质
- ITO透明导电薄膜的低温直流磁控反应溅射
- 利用直流磁控反应溅射铟锡合金靶在未加热的聚脂膜、玻璃和硅衬底上制备了ＩＴＯ透明导电薄膜。研究了氧分压和沉积时间对薄膜结构和电光特性的影响。结果表明，不同衬底上的ＩＴＯ薄膜均出现晶格膨胀；在相同条件下聚脂膜上制备的ＩＴＯ薄...
- 陈猛黄荣芳闻立时
- 关键词：磁控溅射导电薄膜透明导电薄膜
