黄荣芳
- 作品数：112 被引量：496H指数：14
- 供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省科委资助项目沈阳市科技攻关计划项目更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺电子电信一般工业技术更多>>
- 纳米科技普遍性原理的探讨
- 2007年
- 在纳米科技研究中，我们有机会接触多个纳米科技领域的理论，它们都是针对纳米科技的某一领域的某个特殊问题提出，并且适用于该局部领域，例如：金属薄膜电导率尺寸效应理论：半导体表面纳米光催化理论；半导体超晶格物理：纳米结构增强原理；X射线反射多层膜原理；介观物理；纳米多层膜磁阻效应及其信息存储技术原理：纳米结构电磁工程原理；电磁波局域化理论；光子晶体和微腔技术理论。这类理论通常称之为纳米科技的特殊性原理。
- 闻立时黄荣芳
- 关键词：信息存储技术半导体表面纳米多层膜
- 金属微粒－绝缘媒质复合体的远红外吸收
- 1996年
- 利用有效媒质理论计算金属微粒─绝缘媒质的远红外吸收，发现当微粒形状均匀连续分布时，可使微粒表面等离子体出现共振吸收谱，进而使复合体的吸收峰宽化．
- 曹晓晖黄荣芳闻立时师昌绪
- 偏压对电弧离子镀沉积类金刚石膜的影响被引量：9
- 2004年
- 采用电弧离子镀方法,在Si(100)基底上沉积了类金刚石(DLC)膜,用激光Raman谱和X射线光电子能谱(XPS)对不同偏压下沉积的类金刚石膜的结构进行了分析。结果表明,Raman谱的D峰和G峰的强度之比,I_D/I_G随着脉冲负偏压的增加先减小后增大,sp^3键含量随着负偏压的增加先增加后减小。偏压为-200 V时,I_D/I_G值最小为0.70,sp^3键含量最大为26.7％。纳米压痕仪测量结果表明,随着脉冲负偏压增加,硬度和弹性模量先增加后下降,偏压为-200 V时,DLC膜的硬度和弹性模量最大,分别为30.8和250.1 GPa。
- 邹友生汪伟郑静地孙超黄荣芳闻立时
- 关键词：类金刚石膜电弧离子镀脉冲偏压力学性能
- Ti/TiN多层膜显微结构的研究
- 1992年
- 用透射电镜研究了Ti/TiN多层膜的显微形貌,并用X射线衍射与透射电镜的微束电子衍射相结合的方法获得多层膜的晶体结构、相组成及其空间分布的信息。证明了Ti/TiN多层膜有明显的分层结构,在每对相邻的Ti层和TiN层之间,均存在Ti_2N界面过渡层,在膜基界面处存在FeTi过渡层。多层膜的晶粒呈纤维状,其尺寸随单层厚度的降低而减小,此即多层膜的晶粒细化效应,它伴随着膜层硬度的增加。
- 黄荣芳郭丽萍宫骏于宝海闻立时
- 关键词：钛氮化钛晶粒显微构造
- Ti-N多层膜的显微结构和压痕行为被引量：2
- 1992年
- 研究了Ti/TiN多层膜的显微结构,横截面试样的透射电镜研究和二次离子质谱深度分析均表明,该膜具有周期变化的多层结构,即:基体/FeTi/Ti/Ti_2N/TiN/Ti_2N/Ti/Ti_2N/TiN…Ti/Ti_2N/TiN.制备了压痕试样的断口试样,并用扫描电镜进行了观察.结果表明,多层硬膜在压痕试验时发生形变,出现压痕坑,在其周围形成材料堆积.随着所加载荷的增加,形变区扩大,越过膜/基界面进入基体,引起膜内的层间开裂和在膜/基界面上形成孔洞,研究结果表明,和单层TiN相比,Ti/TiN多层膜具有较好的韧性.
- A.WAGENDRISTEL黄荣芳H.BANGERT杨霞吴立航王海峰H.PANGRATZP.SKALICKY
- 关键词：显微结构压痕
- 电弧离子镀沉积Cr-O-N活性扩散阴挡层被引量：7
- 2004年
- 采用电弧离子镀技术在NiCoCrAlY涂层与高温合金基材DSMll间沉积不同成分的Cr-O-N薄膜作为扩散阻挡 层,研究了900℃下氧化1400 h后DSMll／Cr-O-N／NiCoCrAlY体系中Cr-O-N层阻挡合金元素互扩散的行为以及阻 挡层对涂层氧化动力学曲线的影响.结果表明, Cr-O-N层在高温氧化过程中生成与涂层和基材有良好结合的富Al氧化物层, 可以阻挡DSMll基体与NiCoCrAlY涂层间的元素互扩散,起到活性阻挡层的作用;Cr-O-N层中O和N含量影响生成 富Al氧化物层的连续性和致密性,从而影响其阻挡元素互扩散的性能.几种成分的Cr-O-N活性扩散阻挡层对NiCoCrAlY 涂层900℃下的高温氧化性能都有一定的改善作用,改善程度与阻挡层阻挡合金元素互扩散的程度保持一致.
- 王启民郭明虎柯培玲孙超黄荣芳闻立时
- 关键词：电弧离子镀
- 柔性基片上In_2O_3:Sn和ZnO:Al薄膜的制备及其电学和光学特性被引量：11
- 1999年
- 利用直流磁控反应溅射钢锡合金靶和锌铝合金靶，在软基片上低温沉积了Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）和ＺｎＯ：Ａｌ（ＺＡＯ）透明导电薄膜．结果表明，ＩＴＯ和ＺＡＯ薄膜均出现晶格畸变：柔性基片上低温沉积薄膜的电阻率对氧分压的依赖性远低于硅和玻璃衬底；尺度效应对薄膜电阻率有重要的影响实验测得ＩＴＯ薄膜在６０ｎｍ厚时获得最低电阻率为４．２３×１０－４·ｃｍ，ＺＡＯ薄膜在２０ｎｍ厚时获得最低电阻率为８．０９×１０－４·ｃｍ．无论ＩＴＯ或是ＺＡＯ，其可见光区的平均透射率均大于７５％基于薄膜吸收系数的研究表明，ＩＴＯ薄膜的光学直接能隙在３．６５－４．００ｅＶ之间，间接跃迁在２．５０—２７５ｅＶ之间ＺＺＡＯ薄膜的光学直接能隙在３．２０—３；６０ｅＶ之间，间接跃迁在２５０—２．
- 陈猛白雪冬黄荣芳闻立时
- 关键词：半导体薄膜ITO
- Ni-Cr-Al-Y涂层真空热处理过程中元素的行为被引量：9
- 2000年
- 采用电弧离子镀技术在铸造镍基合金 Ｋ１７和 Ｎｉ３Ａｌ基合金 ＩＣ－６上沉积 Ｎｉ－Ｃｒ－Ａｌ－Ｙ涂层结果表明，在沉积过程中由于电弧离子镀的“溅射”和“反溅射”效应以及基体和涂层发生互扩散的共同作用下，沉积的 Ｎｉ－Ｃｒ－Ａｌ－Ｙ涂层在靠近基体区含有少量基体元素，如 Ｃｏ， Ｔｉ和 Ｍｏ等 Ｋ１７合金中的 Ａｌ元素可抑制 Ｃｒ由涂层向基体扩散 ＩＣ－６合金中由于还含有 Ｍｏ元素，使这种抑制作用进一步增强在 １０５０ ℃真空热处理时，各元素互扩散能力增强，大量的 Ｃｒ克服 Ａｌ和 Ｍｏ元素的束缚向基体扩散，最终使两种合金上沉积的Ｎｉ－Ｃｒ－Ａｌ－Ｙ涂层中的元素均匀分布。
- 王冰黄荣芳宫骏王启民梁越孙超闻立时韩雅芳
- 关键词：真空热处理互扩散微观结构
- 透明导电膜ZnO:Al(ZAO)的组织结构与特性 被引量：38
- 2002年
- ＺｎＯ：Ａｌ（ＺＡＯ）是一种简并半导体氧化物薄膜材料，具有高的载流子浓度和大的光学禁带宽 度，因而具有优异的电学和光学性能，极具应用价值．对于其能级高度简并的ＺＡＯ半导体薄膜材料，在 较低的温度下，离化杂质散射占主导地位；在较高的温度下，晶格振动散射将成为主要的散射机制；晶界散 射仅当晶粒尺寸较小（与电子的平均自由程相当）时才起作用， 本文介绍了ＺＡＯ薄膜的制备方法、晶体 结构特性。
- 孙超陈猛裴志亮曹鸿涛黄荣芳闻立时
- 关键词：透明导电氧化物ZAO薄膜散射机制电学性质
- 一种热丝化学气相沉积金刚石的设备
- 一种热丝化学气相沉积金刚石的设备,由反应气体入口,热丝加热器,样品座等部分构成,其特征在于:反应气体入口下方安装有气体分配器,气体分配器上部为塔式结构,内装1—10层多孔节流隔板,分配器的下端为筒式结构,正对下方的热丝加...
- 闻立时黄荣芳陈岩刘德义程新红
- 文献传递
