徐超
- 作品数：10 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 一种JTAG接口加密装置及方法
- 本发明涉及通讯技术领域，特别涉及一种JTAG接口加密装置及方法。包括：JTAG发生器模块和JTAG接收器模块；其中，所述JTAG发生器模块包括：指令发生器，用于产生JTAG指令信号；指令加密器，用于对JTAG指令进行加密...
- 谢雨蒙邹家轩江雪徐超王展锋姜赛男
- 一种基于RSA算法的IIC接口加密装置及方法
- 本发明公开一种基于RSA算法的IIC接口加密装置及方法，属于集成电路领域。所述IIC接口加密装置包括IIC加解密模块和IIC通信模块。所述IIC加解密模块包括数据发生器和数据加密解密器；所述IIC通信模块包括时钟控制器、...
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- 运动图像的实时稳像灰度投影系统设计
- 2018年
- 通过机载、弹载等军用摄像平台得到的视频信号,往往会因为摄像机意外的运动而发生颤抖。视频颤抖不仅会影响视觉的可观性,而且容易使分析者产生错误的判断,进一步给图像的信息捕捉带来难度。可见,如何将这些具有颤抖的影像或者图片转化为具有价值且可供参考的高清晰影像或图片,具有重要的实用意义。研究提出了一种基于美国TI公司的硬件平台,运用改进型的投射范围的选取和比对帧选择策略的电子稳像系统实现,作为实时电子稳像改进的算法实现。
- 徐超姚飞刘奇
- 一种新型CMOS器件长期贮存寿命评价试验方法被引量：1
- 2016年
- 介绍了一种新型的可对CMOS元器件长期贮存寿命做出评价的试验方法。对CMOS元器件样品分别进行常温贮存试验和高温贮存试验,通过常温贮存试验累积试验数据,并以此研究总结CMOS元器件长期贮存性能参数变化的规律,通过高温贮存试验加速元器件常温贮存过程,在实验过程中定期对样品器件进行测试。通过对常温贮存数据和高温加速贮存数据进行比对分析,并利用阿伦尼斯模型进行数据处理,从而在较短的时间内对元器件长期贮存寿命做出评价。
- 刘士全徐超秦晨飞王健军
- 关键词：CMOS器件数据处理
- 测试系统电路板维修探讨被引量：1
- 2012年
- 学习电路板维修并不只是单一的了解集成电路,而是要深入研究维修方法及各个功能模块。维修方法只是实现目的的一种手段,要想维修好电路板就必须要了解其功能模块。功能模块是由集成电路和相关元器件组合而成,通过研究集成电路的前后关系,便能知道此功能模块的作用。文章首先总结电路板的维修方法及故障分类,然后对测试系统电路板(DPS)的故障检修进行深入的研究,包括:绘制DPS板结构图,了解DPS板工作原理,深入研究DPS板各功能模块,其中包括逻辑控制单元、数模转换、电流采样、电流箝位,并对DPS板各功能模块的相应故障进行了详细的分析。
- 姚锐徐超
- 关键词：DPS逻辑控制单元数模转换电流采样
- 一种基于AES算法的加密SPI接口
- 本发明公开一种基于AES算法的加密SPI接口，属于集成电路领域，包括AES加密模块、AES解密模块、SPI接口模块；AES加密模块对上位机传输的SPI数据进行加密处理；AES解密模块对所述AES加密模块加密的数据进行解密...
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- 一种基于专用加密芯片的通用加密方案
- 2024年
- 嵌入式电子产品的研发,包含软件和硬件,花费大量时间、人力和物力。某些不良公司模仿,甚至是直接原封不动抄袭产品。为了有效抵御抄袭,本文基于专用加密芯片针对通用嵌入式软件设计了加密方案,该方案硬件通讯接口为单线制半双工串口,简易通用。加密方案的功能主要包含身份验证、数据加解密、核心数据存储、核心算法保护。其中嵌入式程序的核心算法可内置在加密芯片中,使用时进行调用从而有效保护核心程序。
- 徐超杭万里
- 关键词：嵌入式软件设计加密芯片身份验证嵌入式程序加密方案单线制
- 一种JTAG接口加密装置及方法
- 本发明涉及通讯技术领域，特别涉及一种JTAG接口加密装置及方法。包括：JTAG发生器模块和JTAG接收器模块；其中，所述JTAG发生器模块包括：指令发生器，用于产生JTAG指令信号；指令加密器，用于对JTAG指令进行加密...
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- 一种LVDS端口自测试装置及方法
- 本发明涉及微波射频及芯片可测性设计技术领域，特别涉及一种LVDS端口自测试装置及方法。包括：数据缓冲器，用于缓冲隔离内部输出信号D；数控振荡器，用于产生固定频率时钟信号；序列发生器，用于产生待输出的特定测试序列信号；选择...
- 谢雨蒙邹家轩徐超王展锋姜赛男
- LPCVD多晶硅薄膜发雾的形成与消除被引量：1
- 2012年
- LPCVD多晶硅薄膜发雾对CMOS器件性能有重大影响,文章分析了多晶硅薄膜发雾的形成机理与影响因素,指出了低温、低压以及保持气路系统的清洁是消除多晶"发雾"的有效措施。根据多晶硅薄膜雾状斑点的形状与分布位置,对硅片表面缺陷的来源进行了分类,并从清洗工艺、污染物成分分析、前道工序等方面提出了相应的解决措施。
- 许帅徐超王新胜刘国柱
- 关键词：LPCVD多晶硅薄膜发雾
