郝华
- 作品数：10 被引量：1H指数：1
- 供职机构：河北大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金河北省高等学校科学技术研究指导项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺经济管理更多>>
- In-Ga共掺杂ZnO的第一性原理计算被引量：1
- 2014年
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理,研究本征ZnO、In和Ga分别单掺杂及In-Ga共掺杂ZnO的电子结构和光学性质.结果表明：In掺杂的ZnO晶胞体积减小,Ga掺杂的ZnO晶胞体积增大,In-Ga共掺杂的ZnO晶胞体积增大是由掺入的Ga决定的;在ZnO禁带中引入杂质能级,禁带宽度变小,导电能力提高;In-Ga共掺杂后,ZnO吸收带边红移,在波长为302.3～766.8 nm的可见光范围内吸收减弱.
- 闫小兵史守山郝华
- 关键词：光学性质第一性原理
- 一种透明阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种透明阻变存储器，是在透明衬底上依次集成有下电极层、阻变层和上电极层，所述下电极层和上电极层为非晶的铟镓锌氧化物薄膜，所述阻变层为非晶的氧化镓薄膜。本发明同时提供了所述透明阻变存储器的制备方法，采用射频磁控...
- 闫小兵郝华娄建忠刘保亭
- 文献传递
- 一种阻变存储元件及其制备方法
- 本发明公开了一种阻变存储元件，其异质结构层形式为Ag/a-IGZO/Pt或Ag/a-IGZO/Au，其中的a-IGZO层为非晶的IGZO阻变存储层，所述a-IGZO层中In、Ga、Zn原子的摩尔比为1∶1∶1。本发明还公...
- 闫小兵贾长江郝华陈英方娄建忠刘保亭
- 文献传递
- 河北本土零售业连锁经营存在的问题及对策研究
- 加入WTO之后，零售市场面向全球开放，零售连锁经营为我国零售行业带来了先进的管理经验，进而成为我国目前国民生产经济中不可或缺的组成部分。它处于产业链的中间环节，是上游生产厂商和下游消费者之间的衔接者，起着承上启下的作用。...
- 郝华
- 关键词：零售业电子商务
- 一种阻变存储元件及其制备方法
- 本发明公开了一种阻变存储元件，其异质结构层形式为Ag/a-IGZO/Pt或Ag/a-IGZO/Au，其中的a-IGZO层为非晶的IGZO阻变存储层，所述a-IGZO层中In、Ga、Zn原子的摩尔比为1∶1∶1。本发明还公...
- 闫小兵贾长江郝华陈英方娄建忠刘保亭
- 文献传递
- 一种纳米级三态阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种纳米级三态阻变存储器，其是在Pt/Ti/SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底的Pt膜层上依次沉积有nc-Si:H膜和Ag电极膜。本发明同时公开了其制备方法，具体是采用PECVD方法在Pt/Ti/SiO...
- 闫小兵陈英方郝华娄建忠
- 文献传递
- 一种纳米级三态阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种纳米级三态阻变存储器，其是在Pt/Ti/SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底的Pt膜层上依次沉积有nc‑Si:H膜和Ag电极膜。本发明同时公开了其制备方法，具体是采用PECVD方法在Pt/Ti/SiO...
- 闫小兵陈英方郝华娄建忠
- 文献传递
- 基于In-Ga-Zn-O薄膜的透明阻变及自整流特性研究
- 阻变存储器(RRAM)因具有简单结构、低功耗和高速等优点而受到广泛关注。特别是透明阻变存储器(TRRAM)兼备高透明度的优点而引起人们兴趣。具有自整流特性的阻变存储器不仅可以实现高密度存储而且能减小串扰的影响。同时，非晶...
- 郝华
- 关键词：合金薄膜磁控溅射肖特基势垒
- 含Ag电极的非晶In-Ga-Zn-O薄膜的阻变开关特性
- 2014年
- 采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了非晶InGaZnO4(α-IGZO)薄膜,利用直流磁控溅射法制备的Ag金属薄膜作为反应上电极,构建了Ag/非晶InGaZnO4(α-IGZO)/Pt结构的阻变存储器件单元。所制备的器件具有双极型阻变特性,写入时间仅为107 ns,经过300次循环开关后,器件仍显示良好的开关效应。对置于高低阻态的器件使用5 mV横电压测量其电阻,电阻值经过1.2×104s无明显衰减趋势,表明器件具有较好的保持特性。阻变开关机制归因于在外加电场的作用下,由于电化学反应,使得Ag导电细丝在存储介质α-IGZO薄膜中形成和溶解。
- 娄建忠贾长江郝华张二鹏史守山闫小兵
- 一种透明阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种透明阻变存储器，是在透明衬底上依次集成有下电极层、阻变层和上电极层，所述下电极层和上电极层为非晶的铟镓锌氧化物薄膜，所述阻变层为非晶的氧化镓薄膜。本发明同时提供了所述透明阻变存储器的制备方法，采用射频磁控...
- 闫小兵郝华娄建忠刘保亭
- 文献传递
