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闫小兵

作品数:129 被引量:92H指数:5
供职机构:河北大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金河北省自然科学基金河北省高等学校科学技术研究指导项目更多>>
相关领域:理学自动化与计算机技术电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 99篇专利
  • 28篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 22篇理学
  • 19篇自动化与计算...
  • 7篇电气工程
  • 6篇一般工业技术
  • 5篇文化科学
  • 4篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇轻工技术与工...
  • 1篇化学工程

主题

  • 38篇存储器
  • 24篇溅射
  • 24篇磁控
  • 22篇磁控溅射
  • 18篇突触
  • 18篇退火
  • 14篇量子
  • 14篇量子点
  • 13篇电阻
  • 13篇隧穿
  • 12篇底电极
  • 11篇SUB
  • 10篇铁电
  • 9篇第一性原理
  • 9篇纳米
  • 8篇预聚
  • 8篇预聚合
  • 8篇掺杂
  • 7篇第一性原理计...
  • 7篇开关电压

机构

  • 129篇河北大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇华北电力大学

作者

  • 129篇闫小兵
  • 23篇赵建辉
  • 18篇娄建忠
  • 17篇王宏
  • 16篇刘保亭
  • 15篇任德亮
  • 12篇郑树凯
  • 9篇王淑芳
  • 8篇张磊
  • 8篇贾长江
  • 8篇周振宇
  • 8篇郝华
  • 7篇陈英方
  • 7篇李小燕
  • 7篇李玉成
  • 7篇张二鹏
  • 6篇张园园
  • 6篇史守山
  • 5篇郭建新
  • 4篇赵庆勋

传媒

  • 7篇人工晶体学报
  • 5篇中国粉体技术
  • 4篇河北大学学报...
  • 3篇物理学报
  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇中国教育技术...
  • 1篇实验技术与管...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇微纳电子与智...

年份

  • 6篇2024
  • 14篇2023
  • 4篇2022
  • 11篇2021
  • 15篇2020
  • 15篇2019
  • 14篇2018
  • 14篇2017
  • 3篇2016
  • 10篇2015
  • 8篇2014
  • 7篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2008
  • 3篇2007
129 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
钝化叠层电池及其制备方法
本发明涉及太阳能电池技术领域,提出了钝化叠层电池及其制备方法,钝化叠层电池,包括叠层设置及串联或并联的第一电池组和第二电池组,第一电池组的侧面与第二电池组的侧面均设置有第一钝化层;第一电池组的上表面和第二电池组的下表面均...
陈剑辉陈兵兵鄢满张旭宁郭建新陈静伟闫小兵高青王淑芳
基于Pd导电细丝的仿生物突触器件及其制备方法和应用
本发明提供了一种基于Pd导电细丝的仿生物突触器件及其制备方法和应用。该仿生器件由掺铌钛酸锶(NSTO)衬底、硒化锡(SnSe)功能层和Pd顶电极层共同构成。本发明高质量SnSe层和Pd层分别是应用脉冲激光沉积和磁控溅射技...
闫小兵王宏王淑芳
文献传递
全印刷钙钛矿-碳硅异质结叠层电池及其叠瓦组件
本发明涉及光伏发电技术领域,提出了全印刷钙钛矿‑碳硅异质结叠层电池及其叠瓦组件,全印刷钙钛矿‑碳硅异质结叠层电池包括多层结构,所述多层结构自下而上依次包括背面金属电极、空穴传输/钝化层、硅片、电子传输/钝化层、复合结、钙...
陈剑辉陈兵兵高青张旭宁陈静伟郭建新王淑芳闫小兵许颖
基于钒酸铋颗粒薄膜的神经仿生器件、其制备方法及应用
本发明提供了一种基于钒酸铋颗粒薄膜的神经仿生器件、其制备方法及应用。本发明中的神经仿生器件包括底电极,在所述底电极上制有由BiVO<Sub>4</Sub>颗粒薄膜构成的功能层,在所述功能层上制有顶电极。底电极可以为FTO...
闫小兵任德亮赵孟柳
一种嵌入式电荷俘获型存储器及其制备方法
本发明提供了一种嵌入式电荷俘获型存储器及其制备方法,其是在Si衬底上依次形成有SiO<Sub>2</Sub>隧穿层、GQODs/Zr<Sub>0.5</Sub>Hf<Sub>0.5</Sub>O<Sub>2</Sub>俘...
闫小兵王宏
一种基于氧化石墨烯量子点的三态电荷俘获存储器及其制备方法
本发明提供了一种基于氧化石墨烯量子点的三态电荷俘获存储器及其制备方法,所述存储器是在Si衬底上依次形成氧化物介质层和Pd电极膜层;所述氧化物介质层依次由形成于Si衬底上的二氧化硅隧穿氧化层、ZnO/GOQDs/ZnO电荷...
闫小兵贾信磊王宏杨涛
一种避免误读的阻变存储器及其制备方法
本发明提供了一种避免误读的阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器的结构是在Pt/Ti/SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底的Pt膜层上依次形成有阻变介质层和Ag电极膜层;所述阻变介质层包括依次所形成的第一层铁酸铋膜层...
闫小兵陈建辉陈英方
一种纳米级三态阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种纳米级三态阻变存储器,其是在Pt/Ti/SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底的Pt膜层上依次沉积有nc-Si:H膜和Ag电极膜。本发明同时公开了其制备方法,具体是采用PECVD方法在Pt/Ti/SiO...
闫小兵陈英方郝华娄建忠
文献传递
一种有机电极阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种有机电极阻变存储器,其结构是在衬底上依次形成有PCBM有机电极介质层、Zr<Sub>0.5</Sub>Hf<Sub>0.5</Sub>O<Sub>2</Sub>阻变转换层和Ag电极层。同时公开了该阻变存储...
闫小兵张磊赵建辉
一种有机可降解阻变神经仿生器件及其制备方法和应用
本发明公开了一种有机可降解阻变神经仿生器件,包括ITO玻璃衬底、在ITO玻璃衬底的ITO膜上依次生长有复合有机蛋白膜和Ag电极膜;复合有机蛋白膜为掺有金纳米颗粒的羊毛角蛋白和蚕丝蛋白的复合膜。其制备方法为:a)制备羊毛角...
闫小兵赵建辉
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