娄建忠
- 作品数：44 被引量：40H指数：4
- 供职机构：河北大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金河北省高等学校科学技术研究指导项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 一种纳米级三态阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种纳米级三态阻变存储器，其是在Pt/Ti/SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底的Pt膜层上依次沉积有nc-Si:H膜和Ag电极膜。本发明同时公开了其制备方法，具体是采用PECVD方法在Pt/Ti/SiO...
- 闫小兵陈英方郝华娄建忠
- 周期性空间驱动下的复杂斑图
- 2011年
- 采用耦合的反应扩散系统,研究了周期性空间驱动下的图灵模之间的作用以及时空斑图的形成机理.研究发现,通过空间周期性外界驱动,可以引入一个新的图灵模,该模式和系统本征模之间相互作用,可以形成空间上更为复杂的斑图,例如超黑眼斑图和超白眼斑图.此外,结果表明外界驱动的驱动强度也可以改变新斑图的类型.
- 王晓菲娄建忠哈艳
- 关键词：斑图
- 氧气气氛下退火温度对BST薄膜结构及物理性能的影响
- 2011年
- 利用溶胶凝胶法在Pt/TiO2/SiO2/Si(001)衬底上制备了(～70nm)的Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,采用磁控溅射法构建了Pt/BST/Pt/TiO2/SiO2/Si(001)电容器,研究了在氧气气氛中不同退火温度对BST薄膜结构及物理性能的影响.结果发现,650℃退火样品具有良好的结晶质量和介电性能.650℃退火样品在电场强度为200kV/cm时漏电流密度为3.06×10-6 A/cm2.
- 娄建忠李俊颖代鹏超孙杰刘保亭
- 关键词：BST薄膜溶胶凝胶
- 一种透明阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种透明阻变存储器，是在透明衬底上依次集成有下电极层、阻变层和上电极层，所述下电极层和上电极层为非晶的铟镓锌氧化物薄膜，所述阻变层为非晶的氧化镓薄膜。本发明同时提供了所述透明阻变存储器的制备方法，采用射频磁控...
- 闫小兵郝华娄建忠刘保亭
- nc-Si:H薄膜的微结构特征与光学特性被引量：1
- 2012年
- 利用射频等离子体增强型化学气相沉积(RF-PECVD)工艺,以SiH4和H2作为反应气体源,在玻璃和石英衬底上制备了氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜.采用Raman散射谱、原子力显微镜(AFM)、透射光谱方法对在不同衬底温度与不同H2稀释比条件下沉积生长薄膜的微结构和光学特性进行了实验研究.结果表明,nc-Si:H薄膜的晶粒尺寸为2.6～7.0nm和晶化率为45%～48%.在一定反应压强、衬底温度和射频功率下,随着H2稀释比的增加,薄膜的沉积速率降低,但晶化率和晶粒尺寸均有所增加,相应光学吸收系数增大.而在一定反应压强、射频功率和H2稀释比下,随着衬底温度的增加,沉积速率增加,薄膜晶化率提高.
- 娄建忠李钗马蕾王峰江子荣
- 关键词：RF-PECVDNC-SI微结构光学特性
- 低限流下含Ag电极的BiFeO_3薄膜的阻变开关特性
- 2015年
- 采用磁控溅射系统在Pt衬底上构建了Ag/BiFeO_3(BFO)/Pt三明治结构的阻变存储器件单元,该器件可以在较低的限制电流下实现阻变行为并显著降低功耗。在0.5μA的低限制电流下,器件具较好双极I-V滞回曲线,开关电阻比值超过1个数量级,有效开关次数达500次以上,阻态保持时间超过1.8×104s,有较好的保持特性。分析了该Ag/BFO/Pt器件的阻变开关机制,主要归因于Ag原子在BFO薄膜内的氧化还原反应引起的金属导电细丝的形成与断开。
- 闫小兵李玉成闫铭杨涛贾信磊陈英方赵建辉李岩娄建忠李小亭
- 衬底材料对Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜介电性能的影响
- 2016年
- 采用脉冲激光沉积系统分别在LaAlO_3(001)和MgO(001)衬底上沉积了Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST)薄膜,以Pt做电极分别构架了Pt/BST/MgO和Pt/BST/LaAlO_3叉指电容器。利用X射线衍射仪、原子力显微镜和Aglient E4980LCR表分别对两种薄膜的结构、表面形貌和介电特性进行表征。研究发现:两种衬底都可以实现BST(001)薄膜的外延生长,MgO和LaAlO_3衬底上BST薄膜的晶粒尺寸分别为52 nm和42 nm。在室温40 V偏置电压下,Pt/BST/MgO和Pt/BST/LaAlO_3的调谐率分别为39.68%和29.55%,最低损耗分别为0.029和0.053。这说明衬底材料的晶格常数不同,最终导致了BST薄膜介电性能的不同。
- 娄建忠李振娜方晓燕代秀红宋安英宋建民刘保亭
- 关键词：脉冲激光沉积介电性能
- 纳米级Li_(4)Ti_(5)O_(12)负极材料的制备及其输运特性被引量：5
- 2021年
- 以酞酸丁酯和乙酸锂为前驱体,通过溶胶凝胶法成功制备了纳米钛酸锂Li_4Ti_5O_(12)(LTO)负极材料。采用X射线衍射分析、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)分别对材料的物相与形貌进行了表征分析,并研究了煅烧条件和包覆改性对LTO输运特性的影响。研究表明,煅烧温度为800℃,时间为10 h条件下制备的样品的输运特性最佳,离子电导率为8.8×10^(-8) S/cm,电子电导率为8.53×10^(-10) S/cm。均匀的碳包覆层可以有效地改善样品的输运特性,LTO/C复合活性材料的离子与电子电导率分别达到4.35×10^(-7) S/cm和9.63×10^(-8) S/cm。电化学性能测试表明,碳包覆后的活性材料在0.1 C倍率下首次放电容量可达172.4 mAh/g;在5 C高倍率下循环充放电50次后,容量保持率可达94.4%,表现出较好的电化学性能。
- 廉恬柔卢玉晓吴冰石光跃马蕾刘磊娄建忠
- 关键词：溶胶凝胶法负极材料钛酸锂
- 外延CeO_2高k栅介质层的结构及介电性能被引量：1
- 2011年
- 利用脉冲激光沉积两步生长法在Si(111)衬底上制备了厚度为10～40 nm的外延CeO2薄膜,构建了Pt/CeO2/Si MOS结构,研究了CeO2薄膜的界面及介电性能。实验发现,界面处存在的电荷对MOS结构C-V特性的测量有较大影响,采用两步生长法制备的外延CeO2薄膜在保持较大介电常数的同时有效降低了界面态密度。由等效氧化物厚度-物理厚度曲线得出CeO2薄膜的介电常数为37;根据Hill-Coleman法计算出CeO2薄膜界面态密度为1012量级。
- 娄建忠代鹏超李曼赵冬月刘保亭
- 关键词：介电性能
- 水温控制系统被引量：1
- 2001年
- 介绍了用模糊控制思想对PID参数进行实时整定方法进行水温控制的单片机系统 ,介绍了PID参数模糊整定的方法和系统软、硬件的构成 .
- 娄建忠李彦波王永青孙荣霞郭宝增
- 关键词：模糊控制单片机PID调节水温控制系统
