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周震华
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3
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供职机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
王德稳
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
姜春宇
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
王逸群
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
侯克玉
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
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周震华
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基于混合曝光技术的新型亚微米图形制作方法
2014年
提出了一种基于投影式光刻机和电子束光刻机混合曝光技术的新型亚微米图形制作方法,该方法可用于制作对精度要求比较高的亚微米图形。具体的做法是将亚微米图形分解成高精度图层和普通精度图层,并将两个图层分别采用电子束直写和投影式光刻机依次在同一层光刻胶曝光后,经过一次显影得到完整图形。通过该方法不仅可以大幅减少采用电子束直写亚微米图形所需的时间,还可以有效地保证图形的线宽精度。从图形的数据处理和实验制作两个方面,详细地介绍了采用该方法在硅衬底上制作SU-8亚微米图形的过程。经SEM测试得出,本方法制作的图形尺寸精度和棱角的锐度都非常精确,可比较理想地实现设计者的设计要求。
李淑萍
林文魁
王德稳
周震华
龚亚飞
关键词:
电子束曝光
SU-8
电子束曝光方法
本发明公开了一种电子束曝光方法,包括:s1、在待加工样品上涂覆一层底层电子束抗蚀剂;s2、在底层的电子束抗蚀剂上形成金属层;s3、在金属层上涂覆一层顶层电子束抗蚀剂;s4、电子束曝光,在顶层电子束抗蚀剂上面形成所需要的纳...
侯克玉
王逸群
姜春宇
王德稳
周震华
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电子束曝光方法
本发明公开了一种电子束曝光方法,包括:s1、在待加工样品上涂覆一层底层电子束抗蚀剂;s2、在底层的电子束抗蚀剂上形成金属层;s3、在金属层上涂覆一层顶层电子束抗蚀剂;s4、电子束曝光,在顶层电子束抗蚀剂上面形成所需要的纳...
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