龚亚飞
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学更多>>
- Au-Sn共晶键合工艺参数对MEMS器件性能的影响研究
- 2024年
- 本文研究了Au-Sn共晶键合工艺参数对MEMS(微机电系统)器件性能的影响。通过设计并优化Au-Sn共晶键合多层材料结构和密封环图形,分析了组分配比、键合前处理、键合温度等关键参数对MEMS器件气密性、剪切强度及漏率等性能指标的影响。实验结果表明,在峰值温度为300℃、持续时间为2分钟的条件下,实现了良好的键合效果,剪切力平均值达到16.663kg,漏率小于2×10-3 Pa·cm3/s,满足GJB548A检验标准。本研究验证了Au-Sn共晶键合技术在MEMS气密封装中的适用性,并为其工艺参数的进一步优化提供了理论依据。
- 戴诗歌龚亚飞华秀竹翟豪
- 关键词：MEMS器件漏率
- 用于3D集成的精细节距Cu/Sn微凸点倒装芯片互连工艺研究被引量：4
- 2021年
- 芯片异构集成的节距不断缩小至10μm及以下,焊料外扩、桥联成为焊料微凸点互连工艺的主要技术问题。通过对微凸点节距为8μm的Cu/Sn固液扩散键合的工艺研究,探索精细节距焊料微凸点互连工艺存在的问题,分析Cu/Sn微凸点键合界面金属间的化合物,实现了精细节距和高质量的Cu/Sn微凸点互连,获得了节距为8μm、微凸点数为1900个、总面积为3 mm×3 mm的不均匀微凸点阵列,该阵列互连对准误差小于0.5μm,含有200个微凸点菊花链结构的电学导通。
- 黄宏娟赵德胜龚亚飞张晓东时文华张宝顺
- 关键词：倒装芯片
- 基于混合曝光技术的新型亚微米图形制作方法
- 2014年
- 提出了一种基于投影式光刻机和电子束光刻机混合曝光技术的新型亚微米图形制作方法,该方法可用于制作对精度要求比较高的亚微米图形。具体的做法是将亚微米图形分解成高精度图层和普通精度图层,并将两个图层分别采用电子束直写和投影式光刻机依次在同一层光刻胶曝光后,经过一次显影得到完整图形。通过该方法不仅可以大幅减少采用电子束直写亚微米图形所需的时间,还可以有效地保证图形的线宽精度。从图形的数据处理和实验制作两个方面,详细地介绍了采用该方法在硅衬底上制作SU-8亚微米图形的过程。经SEM测试得出,本方法制作的图形尺寸精度和棱角的锐度都非常精确,可比较理想地实现设计者的设计要求。
- 李淑萍林文魁王德稳周震华龚亚飞
- 关键词：电子束曝光SU-8
- 一种微凸点连接结构
- 本发明公开了一种微凸点连接结构，其中，微凸点连接结构的微凸点包括用于维持微凸点的预设高度的支撑结构。该支撑结构在电子元件的电极和微凸点的对接过程中，微凸点挤压到一定程度后能够阻止该微凸点的进一步的挤压，从而减小了微凸点的...
- 黄宏娟赵德胜时文华龚亚飞张宝顺
- 文献传递
