姜春宇
- 作品数：15 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术环境科学与工程理学文化科学更多>>
- 一种晶圆级芯片尺寸原子蒸汽腔封装方法
- 本发明涉及MEMS器件制造领域，具体公开一种晶圆级芯片尺寸的原子蒸汽腔封装方法，包括步骤：S1通过阳极键合，将第一键合玻璃与带有通孔的硅晶圆的一侧表面键合，使得通孔形成各自独立的预成型腔；S2在部分预成型腔中，置入碱金属...
- 王逸群姜春宇付思齐林文魁王德稳张宝顺
- 文献传递
- 三维磁源反演装置及系统
- 本发明揭示了一种三维磁源反演装置及系统，包括：磁屏蔽桶、激励线圈、补偿线圈、支撑杆、若干磁性探测器及移动台。其中，激励线圈，沿磁屏蔽桶轴向固定安装于磁屏蔽桶中，用于产生位于激励线圈内部空间的激励磁场和位于激励线圈外部空间...
- 吴东岷刘宇荀宇洁王逸群姜春宇曾中明张宝顺
- 原子腔结构及其制作方法
- 本发明公开了一种原子腔结构，所述原子腔结构包括：基片，具有封闭的腔；至少三组反射结构，所述反射结构设置于所述腔的内壁上，所述反射结构至少用于对射入所述腔内的相应的第一光线进行反射，从而使所有的所述第一光线与射入所述腔内的...
- 姜春宇王逸群张宝顺翟豪
- 原子腔结构及其制作方法
- 本发明公开了一种原子腔结构，所述原子腔结构包括：基片，具有封闭的腔；至少三组反射结构，所述反射结构设置于所述腔的内壁上，所述反射结构至少用于对射入所述腔内的相应的第一光线进行反射，从而使所有的所述第一光线与射入所述腔内的...
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- 一种原子气室及其制作方法
- 提供了一种原子气室及其制作方法，所述原子气室包括第一玻璃片、第二玻璃片和硅晶圆，硅晶圆具有贯穿其彼此相对的第一硅晶圆表面和第二硅晶圆表面的通孔；第一玻璃片覆盖于第一硅晶圆表面上，且第二玻璃片覆盖于第二硅晶圆表面上，以使通...
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- 小尺度物体内部多磁源反演技术
- 2024年
- 为解决对小尺度物体内部多个磁场源反演能力差的问题,提出了小尺度物体内部多磁源反演技术。利用原子磁强计采集磁源信号,基于弱磁理论反演磁源分布,引入分布源模型、高斯-赛德尔迭代算法优化求解过程,开展正反演模型验证。同时,采用点源模型去卷积操作提升磁源的空间分辨率,去卷积前系统空间分辨率约为10 mm,去卷积后小于4 mm。结果显示磁源反演的空间位置分布大致接近真实,验证了反演技术的正确性,可用于精密仪器内部磁源的识别应用。该研究开辟了部分精密仪器内部多磁源探测的新途径。
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- 基于金刚石的氮空位色心的集成化磁力计设备
- 本发明公开了一种基于金刚石的氮空位色心的集成化磁力计设备。该集成化磁力计设备包括激光光源系统、微波产生装置、光电探测装置和具有氮空位色心的金刚石单元，所述激光光源系统的封装壳体上开设有通光孔，所述通光孔用于通过所述封装壳...
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- 一种用于多孔吸附装置上的样品承载结构
- 本发明公开了一种用于多孔吸附装置上的样品承载结构，包括载板，载板包括彼此相对的承载面和结合面，承载面上设置有第一凹槽，第一凹槽的外侧设置有第一吸孔，结合面上设置有第二凹槽，第二凹槽与第一吸孔相互连通；其中，第二凹槽用于覆...
- 姜春宇王逸群尹立航夏先海董艳翟豪张宝顺
- 退火对Ge掺杂SiO2薄膜的影响
- 2013年
- 用等离子体增强化学气相淀积制备了Ge掺杂SiO2薄膜,并对薄膜进行了不同温度的退火处理。采用棱镜耦合仪、原子力显微镜和傅里叶变换红外光谱分析技术研究了不同退火温度对Ge掺杂SiO2薄膜性质的影响。通过1 100℃退火处理后,正的折射率变化量和负的体积变化量随着GeH4流量增加而增大,Ge-O-Ge键增多;而通过900℃退火处理后,折射率没有随着GeH4流量增加而增大;薄膜的表面粗糙度随着退火温度升高而降低。研究结果表明,SiO2薄膜中Ge掺杂过量,其折射率反常下降;通过1 100℃退火处理后,折射率随着GeH4流量增加而增大,折射率的增大主要是由于薄膜密实化和Ge-O-Ge键的形成。
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- 关键词：折射率退火
- 晶振元件的封装结构及封装方法
- 本发明公开了一种晶振元件的封装结构及封装方法，晶振元件的封装结构包括晶圆体、基板以及恒温晶振元件。所述晶圆体内形成有真空腔室，所述真空腔室的腔室壁上设置有在厚度方向贯穿所述腔室壁的导电柱；所述基板设置于所述真空腔室内，所...
- 张琪王逸群姜春宇吴东岷曾中明张宝顺
