胡永强
- 作品数：13 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 抗辐照SOI 256kB只读存储器的ESD设计被引量：1
- 2011年
- ESD设计技术已成为业界提升SOI电路可靠性的一个瓶颈技术。文章介绍了一款具有抗辐照能力、基于SOI/CMOS工艺技术研制的容量为256kB只读存储器电路的ESD设计方案。结合电路特点详细分析了其ESD设计的难点,阐述了从工艺、器件和电路三个方面如何密切配合,进行SOI电路ESD设计的分析思路和解决方法。电路基于0.8μm单多晶三层铝部分耗尽SOI/CMOS工艺技术研制成功,采用文中提出的SOI电路的ESD设计思路、方法以及网络,ESD试验结果显示该电路的人体模型ESD等级已经超过了4kV的水平。
- 罗静颜燕罗晟洪根深胡永强
- 关键词：静电放电SOI栅控二极管只读存储器
- 抗辐照标准单元库验证方法研究
- 2015年
- 对抗辐照单元库的验证方法进行研究。以0.5μm抗辐照单元库为例,研究抗辐射单元库的验证方法。设计了一款验证电路,对单元库进行验证,单元库功能和性能满足设计要求,抗辐射能力达到500 krad(Si)。
- 徐大为姚进胡永强刘永灿周晓彬陈菊
- 关键词：SOI
- 一种抗总剂量辐射效应的倒比例或小比例NMOS管版图结构
- 本发明涉及一种抗总剂量辐射效应的倒比例或小比例NMOS管版图结构，其包括半导体基板及有源区；半导体基板的有源区内淀积有多晶栅，有源区内对应淀积形成多晶栅的两端内分别设置源端注入保护环及漏端注入保护环，在源端注入保护环与漏...
- 罗静徐睿邹文英薛忠杰周昕杰胡永强
- 文献传递
- SOI/CMOS集成电路电源与地之间的ESD保护结构
- 本发明涉及一种SOI/CMOS集成电路电源与地之间的ESD保护结构，其包括SOI基板，所述SOI基板包括硅膜；所述硅膜上设置有源区，所述有源区的外圈设有隔离区；所述有源区包括第一导电类型扩散区，所述第一导电类型扩散区的外...
- 罗静薛忠杰周昕杰胡永强周毅
- 文献传递
- 一种抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构
- 本发明涉及一种抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构，器包括半导体基板；所述半导体基板上设置有源区，所述有源区内设置对称分布的场氧区，所述场氧区通过对应的有源区隔离；所述有源区内设有栅极端，场氧区对称分布于栅极...
- 罗静王栋邹文英薛忠杰周昕杰胡永强
- 文献传递
- 基于SOI工艺集成电路ESD保护网络分析与设计
- 2014年
- 由于SOI(Silicon-On-Insulator)工艺采用氧化物进行全介质隔离,而氧化物是热的不良导体,因此SOI ESD器件的散热问题使得SOI电路的ESD保护与设计遇到了新的挑战。阐述了一款基于部分耗尽SOI(PD SOI)工艺的数字信号处理电路(DSP)的ESD设计理念和方法,并且通过ESD测试、TLP分析等方法对其ESD保护网络进行分析,找出ESD网络设计的薄弱环节。通过对ESD器件与保护网络的设计优化,并经流片及实验验证,较大幅度地提高了电路的ESD保护性能。
- 胡永强周晓彬
- 关键词：集成电路可靠性
- 一种抗总剂量辐射效应的倒比例或小比例NMOS管版图结构
- 本实用新型涉及一种抗总剂量辐射效应的倒比例或小比例NMOS管版图结构，其包括半导体基板及有源区；半导体基板的有源区内淀积有多晶栅，有源区内对应淀积形成多晶栅的两端内分别设置源端注入保护环及漏端注入保护环，在源端注入保护环...
- 罗静徐睿邹文英薛忠杰周昕杰胡永强
- 文献传递
- 体硅集成电路版图抗辐射加固设计技术研究被引量：2
- 2013年
- 辐射效应是电路在太空等领域应用时遇到的首要问题,常常会引起电路出错或失效。为了满足抗辐射电路设计的需求,必须提高电路抗辐射效应的能力。文章分析了辐射效应对器件产生的影响。针对电路在辐射环境中应用时存在的问题,文章从版图抗辐射设计加固的角度出发,介绍了抗总剂量的环形栅、倒比例器件,以及抗单粒子昆倾效应抗辐射版图的设计方法。在电路设计时,通过上述几种版图设计方法的应用,可以提高电路的抗辐射性能,进而提高电路的可靠性。
- 田海燕胡永强
- 关键词：版图设计可靠性
- 一种抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构
- 本实用新型涉及一种抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构，器包括半导体基板；所述半导体基板上设置有源区，所述有源区内设置对称分布的场氧区，所述场氧区通过对应的有源区隔离；所述有源区内设有栅极端，场氧区对称分布于...
- 罗静王栋邹文英薛忠杰周昕杰胡永强
- 文献传递
- 基于SKILL语言的参数化抗辐射器件版图设计
- 2016年
- SKILL语言是IC设计业界采用的主要软件Cadence EDA提供的编程开发语言,用户可以基于SKILL语言对EDA设计环境进行定制设计或拓展。参数化单元(Parameter Cell,PCELL)可以根据设计规则(Design Rule)通过器件的W、L等参数实现对器件版图层次(Layer)的控制。另一方面抗辐射器件版图的特殊设计形式对版图设计工作提出了新的要求。阐述了通过SKILL语言实现的一款参数化抗辐射器件版图的设计理念和方法,并且在Cadence Design Framework(DFII)中编译调试和优化,实现了该版图的结构,较大幅度地提高了版图设计工作的效率。
- 胡永强周源
- 关键词：SKILL抗辐射
