徐睿
- 作品数：41 被引量：24H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 抗辐照的三模冗余电路结构
- 本发明提供了一种抗辐照的三模冗余电路结构，将电路的组合逻辑电路和时序逻辑电路都复制为三份，在三个时序逻辑电路之后添加表决器，让电路的每段路径都变成三份。另外在每段路径中都添加表决器，希望通过冗余路径和表决器所组成的结构，...
- 桂江华徐睿顾展弘邹文英卓琳
- 文献传递
- VME总线接口逻辑分析和电路设计被引量：2
- 2004年
- 本文介绍了VME总线接口逻辑芯片的逻辑分析和电路设计。通过这些工作,对用户利用CY7C964芯片构造通用的总线接口,或根据实际情况在CY7C964电路构成的基础上进行VME接口的简化或优化设计,以及对开发基于VME总线协议的接口芯片有所帮助。
- 谢长生徐睿
- 关键词：VME总线电路设计
- 一种基于状态保存机制的抗单粒子锁存结构
- 本发明涉及一种基于状态保存机制的抗单粒子锁存结构，其包括信号延时电路及抗单粒子锁存电路；信号延时电路的延时时间大于单粒子瞬态扰动产生的最大脉冲宽度；抗单粒子锁存电路同时接收并比较外部输入信号及所述外部输入信号经过信号延时...
- 周昕杰薛忠杰王栋罗静徐睿周毅
- 文献传递
- 一种抗辐射加固检错纠错电路的设计被引量：2
- 2010年
- 分析了电子元器件在空间辐射影响下的一些性能变化,设计了一种应用于星载计算机数据管理系统的抗辐射加固检错纠错电路。重点介绍了逻辑设计、版图设计和抗辐射加固设计。电路采用商用标准CMOS工艺加工,使用版图级、单元级和电路级等多层次的0.5 μm综合体硅加固技术,提高了抗辐射能力。试验结果表明,电路的抗辐射总剂量最高可达3.6 kGy(Si)。
- 徐睿顾展弘罗静
- 关键词：抗辐射加固总剂量辐射
- 集成电路的抗辐照检测系统
- 本实用新型提供了一种集成电路的抗辐照检测系统，该检测系统包括上位机和下位机两大部分，它们之间由串口传输，PC机在外部进行远程监控。下位机即为辐照测试板，解析指令，完成被辐照芯片的测试，向上位机发送采集到的单粒子翻转数据。...
- 徐睿桂江华张沛邹家轩蔡洁明
- 文献传递
- 一种高速MaskROM的设计研究被引量：1
- 2011年
- 文章分析讨论了掩模只读存储器的工作原理和结构,并结合实际工作,详细论述了一个高速的576k位MaskROM的设计与实现。针对字线负载大、速度慢的问题,从选择合适的译码方案和减少字线上RC负载两个方面,提高字线的响应速度,从而使MaskROM的读取时间有较大提高。该款MaskROM采用0.5μm CMOS工艺,电源电压5V,读取时间约为12ns,单位功耗约为1.06 mW/MHz。
- 徐睿冒国均
- 关键词：CMOS译码
- 一种抗干扰的高速串行接口及其实现方法
- 本发明公开了一种抗干扰的高速串行接口及其实现方法，该实现方法包括输入数据先经过RS编码，再经过交织，后经过8B/10B编码，通过并串转换进行发送；输出数据先经过串并转换，再经过8B/10B解码，后经过解交织，通过RS解码...
- 邹家轩谢雨蒙于宗光王栋徐睿
- 文献传递
- 一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法
- 本发明涉及一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法，包括：对欲编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前先进行编程预充电；上一个编程脉冲完成后，施加下一个编程脉冲之前先给PROM电路一定的热弛豫时间；将编程脉冲进行分组，两个一组...
- 马金龙孙杰杰封晴吴素贞于跃王栋徐睿
- 文献传递
- 一种带热插拔功能的I/O端口电路结构
- 本发明涉及一种带热插拔功能的I/O端口电路结构，包括输出缓冲模块、输入缓冲模块、热插拔模块、ESD保护模块，输出缓冲模块连接PAD端、输入信号、输入输出选择控制端，用于实现端口PAD作为输出端；输入缓冲模块连接PAD端、...
- 印琴朱晓宇于宗光蔡洁明徐睿
- 文献传递
- ASIC电路中时钟驱动的抗单粒子加固
- 2011年
- CMOS工艺制成的ASIC电路在太空中应用时,在辐射效应的影响下可能导致数据出错,影响整个系统的可靠性。在ASIC电路的抗辐射设计时,最关注的是时钟(CLK)驱动电路受辐射效应的影响。为此,文章分析了深亚微米工艺条件下CLK电路受到单粒子瞬态扰动效应(SET)的影响,为消除SET效应对CLK电路的扰动提出了四种加固方案,且分别介绍了四种方案的加固原理。通过对四种方案的抗辐射性能进行比较,得出在对ASIC时钟电路加固时,需要考虑功耗、延时等因素而采用不同策略。此工作为以后研制抗辐射ASIC电路提供了良好的借鉴和基础。
- 王栋徐睿罗静
- 关键词：ASIC设计抗辐射加固时钟树
