徐睿
- 作品数：41 被引量：25H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- DSP同步串行口和PC机之间异步通讯的实现方法
- 2005年
- 本文描述了如何利用简单的硬件连接实现DSP的同步串行口与PC机的异步通讯。其中DSP的UART通过软件实现。
- 徐彦峰徐睿
- 关键词：PCDSP串行通信
- 一款深亚微米ASIC芯片的后端设计被引量：5
- 2012年
- 采用0.18μm及以下工艺设计高性能的VLSI芯片面临着诸多挑战,如特征尺寸缩小带来的互联线效应、信号完整性对芯片时序带来的影响、时序收敛因为多个设计变量的相互信赖而变得相当复杂,使芯片版图设计师需深入介入物理设计,选用有效的EDA工具,结合电路特点开发有针对性的后端设计流程。文章介绍了采用Cadence公司Soc Encounter后端工具对基于0.18μm工艺的ASIC芯片后端设计过程,分为后端设计前的数据准备、布局规划、电源设计、单元放置及优化、时钟树综合、布线等几个阶段进行了重点介绍。同时考虑到深亚微米工艺下的互联线效应,介绍了如何预防串扰问题,以及在整个布局布线过程中如何保证芯片的时序能够满足设计要求。
- 邹文英徐新宇徐睿
- 关键词：布线时钟树串扰
- 抗辐照的三模冗余电路结构
- 本发明提供了一种抗辐照的三模冗余电路结构，将电路的组合逻辑电路和时序逻辑电路都复制为三份，在三个时序逻辑电路之后添加表决器，让电路的每段路径都变成三份。另外在每段路径中都添加表决器，希望通过冗余路径和表决器所组成的结构，...
- 桂江华徐睿顾展弘邹文英卓琳
- VME总线接口逻辑分析和电路设计被引量：2
- 2004年
- 本文介绍了VME总线接口逻辑芯片的逻辑分析和电路设计。通过这些工作,对用户利用CY7C964芯片构造通用的总线接口,或根据实际情况在CY7C964电路构成的基础上进行VME接口的简化或优化设计,以及对开发基于VME总线协议的接口芯片有所帮助。
- 谢长生徐睿
- 关键词：VME总线电路设计
- 一种基于状态保存机制的抗单粒子锁存结构
- 本发明涉及一种基于状态保存机制的抗单粒子锁存结构，其包括信号延时电路及抗单粒子锁存电路；信号延时电路的延时时间大于单粒子瞬态扰动产生的最大脉冲宽度；抗单粒子锁存电路同时接收并比较外部输入信号及所述外部输入信号经过信号延时...
- 周昕杰薛忠杰王栋罗静徐睿周毅
- 一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法
- 本发明涉及一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法，包括：对欲编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前先进行编程预充电；上一个编程脉冲完成后，施加下一个编程脉冲之前先给PROM电路一定的热弛豫时间；将编程脉冲进行分组，两个一组...
- 马金龙孙杰杰封晴吴素贞于跃王栋徐睿
- 一种带热插拔功能的I/O端口电路结构
- 本发明涉及一种带热插拔功能的I/O端口电路结构，包括输出缓冲模块、输入缓冲模块、热插拔模块、ESD保护模块，输出缓冲模块连接PAD端、输入信号、输入输出选择控制端，用于实现端口PAD作为输出端；输入缓冲模块连接PAD端、...
- 印琴朱晓宇于宗光蔡洁明徐睿
- 一种抗辐射加固检错纠错电路的设计被引量：2
- 2010年
- 分析了电子元器件在空间辐射影响下的一些性能变化,设计了一种应用于星载计算机数据管理系统的抗辐射加固检错纠错电路。重点介绍了逻辑设计、版图设计和抗辐射加固设计。电路采用商用标准CMOS工艺加工,使用版图级、单元级和电路级等多层次的0.5 μm综合体硅加固技术,提高了抗辐射能力。试验结果表明,电路的抗辐射总剂量最高可达3.6 kGy(Si)。
- 徐睿顾展弘罗静
- 关键词：抗辐射加固总剂量辐射
- 一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法
- 本发明涉及一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法，包括：对欲编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前先进行编程预充电；上一个编程脉冲完成后，施加下一个编程脉冲之前先给PROM电路一定的热弛豫时间；将编程脉冲进行分组，两个一组...
- 马金龙孙杰杰封晴吴素贞于跃王栋徐睿
- 一种带热插拔功能的I/O端口电路结构
- 本发明涉及一种带热插拔功能的I/O端口电路结构，包括输出缓冲模块、输入缓冲模块、热插拔模块、ESD保护模块，输出缓冲模块连接PAD端、输入信号、输入输出选择控制端，用于实现端口PAD作为输出端；输入缓冲模块连接PAD端、...
- 印琴朱晓宇于宗光蔡洁明徐睿
