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王轶博

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇晶体管
  • 7篇光电
  • 6篇探测器
  • 6篇极区
  • 5篇光电探测
  • 5篇光电探测器
  • 5篇SUB
  • 4篇电晶体
  • 4篇氧化镓
  • 4篇异质结
  • 4篇光电晶体管
  • 4篇光电流
  • 3篇击穿电压
  • 3篇X
  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇低导通电阻
  • 2篇低温退火
  • 2篇电极
  • 2篇电特性

机构

  • 17篇西安电子科技...

作者

  • 17篇王轶博
  • 15篇韩根全
  • 14篇郝跃
  • 7篇刘艳
  • 7篇汪银花
  • 7篇张春福
  • 6篇张进成
  • 1篇张进城
  • 1篇冯倩

年份

  • 3篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 4篇2016
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
氧化镓功率晶体管高导热衬底异质集成和超结电场调控技术
超宽禁带氧化镓(Ga2O3)半导体材料禁带宽度为4.5～5.16 eV,理论预测其击穿电场强度达到8 MV/cm,远高于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓等半导体材料。β相Ga2O3可以利用商用技术包括区熔法、导模法和...
王轶博
关键词：氧化镓迁移率温度特性降低表面电场
基于GeSn材料的光电晶体管及其制作方法
本发明公开了一种基于GeSn材料的光电晶体管及其制作方法，解决现有III‑V族中红外光电探测器件难以硅基集成和IV族硅、锗探测器探测范围窄的问题。本发明晶体管的集电极区、光吸收区、基极区、发射极区均采用IV族GeSn合金...
韩根全王轶博张春福汪银花张进成郝跃
隧穿场效应晶体管性能研究
随着集成电路产业高速发展，超大规模集成电路发展过程中的性能提升和功耗难题是当前业界的首要挑战。由器件动态功耗构成可知，在保证性能提升的前提下，降低功耗必须通过减小工作电压和漏电来实现，传统金属氧化物半导体场效应晶体管(M...
王轶博
关键词：电子迁移率
基于GeSn材料的光电晶体管及其制作方法
本发明公开了一种基于GeSn材料的光电晶体管及其制作方法，解决现有III‑V族中红外光电探测器件难以硅基集成和IV族硅、锗探测器探测范围窄的问题。本发明晶体管的集电极区、光吸收区、基极区、发射极区均采用IV族GeSn合金...
韩根全王轶博张春福汪银花张进成郝跃
文献传递
基于异质结的超结氧化镓晶体管及其制作方法与应用
本发明公开了基于异质结的超结氧化镓晶体管及其制作方法与应用，属于半导体材料和器件技术领域。所述超结氧化镓晶体管包括超结结构，所述超结结构为在所述晶体管的氧化镓漂移区上形成的交错排列的氧化镓基异质PN结。本发明通过在氧化镓...
韩根全王轶博刘艳郝跃
基于智能剥离技术制备异质(Ga<Sub>1‑x</Sub>Al<Sub>x</Sub>)<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>的方法
本发明公开了一种基于智能剥离技术制备异质(Ga<Sub>1‑x</Sub>Al<Sub>x</Sub>)<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>的方法，主要解决现有(Ga<Sub>1‑</Sub><Sub>x<...
韩根全王轶博刘艳郝跃
一种石墨烯与Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>集成的探测器阵列及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯与Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>集成的探测器阵列及其制备方法，包括：衬底、有源层、石墨烯层、第一金属电极和第二金属电极；所述有源层通过光刻和刻蚀形成隔离，构成N x N线性阵...
方慈浙杨家泳曾翔宇王轶博李晓茜赵若乔刘艳郝跃韩根全
基于GeSn‑GeSi材料的异质型光电晶体管及其制作方法
本发明公开了一种基于GeSn‑GeSi材料的异质型光电晶体管及其制作方法，晶体管的集电极和发射极区均采用GeSi材料；光吸收区、基极区均采用GeSn材料。发射极区、基极区、光吸收区、集电极区依次竖直分布，钝化层包围在发射...
韩根全王轶博张春福汪银花张进成郝跃
文献传递
基于弛豫GeSn材料的光电探测器
本发明公开了一种基于弛豫GeSn材料的光电探测器，包括衬底、弛豫层、n<Sup>+</Sup>型区、光吸收区、p<Sup>+</Sup>型区、保护层和金属电极。弛豫层、n<Sup>+</Sup>型区、光吸收区、p<Sup...
张春福韩根全王轶博汪银花张进成郝跃
文献传递
基于NiO/(Ga<Sub>1-x</Sub>Al<Sub>x</Sub>)<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub> PN结漏端结构的晶体管及其制作方法
本发明公开了一种基于NiO/(Ga<Sub>1‑x</Sub>Al<Sub>x</Sub>)<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>PN结漏端结构的晶体管及其制作方法，属于半导体技术领域。本发明晶体管漏端采用N...
韩根全王轶博刘艳郝跃
文献传递
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