您的位置： 专家智库 > >

刘艳

作品数：119 被引量：7H指数：2
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 114篇专利
  • 3篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 39篇电子电信
  • 9篇自动化与计算...
  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇理学
  • 2篇电气工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇文化科学

主题

  • 31篇铁电
  • 25篇晶体管
  • 14篇电极
  • 13篇场效应
  • 12篇场效应晶体管
  • 11篇SUB
  • 11篇掺杂
  • 9篇沟道
  • 8篇电场
  • 7篇电子器件
  • 7篇氧化镓
  • 7篇铁电材料
  • 7篇传感
  • 6篇调制
  • 6篇天线
  • 6篇无线
  • 6篇极化电极
  • 6篇存储器
  • 5篇电容
  • 5篇探测器

机构

  • 119篇西安电子科技...

作者

  • 119篇刘艳
  • 64篇韩根全
  • 56篇郝跃
  • 37篇谢楷
  • 35篇权磊
  • 19篇周久人
  • 12篇李博
  • 8篇徐越
  • 8篇刘欢
  • 8篇彭悦
  • 7篇王轶博
  • 6篇张宝
  • 4篇刘宁
  • 3篇梁昌洪
  • 3篇王树龙
  • 3篇孙斌
  • 2篇王亚军
  • 2篇刘毅
  • 2篇李小平
  • 2篇弓树宏

年份

  • 20篇2024
  • 17篇2023
  • 26篇2022
  • 18篇2021
  • 7篇2020
  • 9篇2019
  • 14篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 119 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
基于智能剥离技术制备异质(Ga<Sub>1‑x</Sub>Al<Sub>x</Sub>)<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>的方法
本发明公开了一种基于智能剥离技术制备异质(Ga<Sub>1‑x</Sub>Al<Sub>x</Sub>)<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>的方法，主要解决现有(Ga<Sub>1‑</Sub><Sub>x<...
韩根全王轶博刘艳郝跃
基于二维半导体沟道的双铁电栅晶体管
本发明公开了一种基于二维半导体沟道的双铁电栅晶体管，弥补了传统铁电场效应二维晶体管在存内计算方面的不足。包括在衬底上依次由上至下竖直分布的顶栅电极层、顶部铁电层、二维半导体沟道层、底部铁电层、底栅电极层；源极、漏极分别位...
刘艳罗拯东杨麒玉檀东昕韩根全郝跃
文献传递
基于铁电掺杂的负电容场效应晶体管
本发明公开了一种基于铁电掺杂的负电容场效应晶体管，主要解决现有器件亚阈值摆幅高及化学掺杂不稳定的问题。其自下而上包括衬底(1)、沟道(2)、栅极绝缘介质层(9)、栅极铁电层(10)、栅极金属电极(11)，沟道两侧为源区(...
刘艳姜昊周久人韩根全郝跃
文献传递
一种新型EBG结构的研究[3]
本文提出了一种新型EBG结构,并通过Ansoft-HFSS软件对其上表面波的传输情况进行仿真分析,得出了该结构具有4.2GHz的带隙宽度,并发现其随着结构参数的改变出现的双带隙现象。同时,对于该结构进行了实际的加工制作并...
梁昌洪苏子剑刘艳
关键词：EBG结构
文献传递
一种兼具减速和通信特性的倒置伞共形天线
本发明提出了一种兼具减速和通信特性的倒置伞共形天线，包括伞衣、馈源、多个运动关节组件和多个支撑骨架；每个支撑骨架由与多个运动关节组件所形成的圆周面的垂直状态，在与其铰接的运动关节组件中压缩弹簧所存储的弹性势能的作用下，通...
刘艳郭峥权磊谢楷段芳芳黄永超
基于HfO<Sub>2</Sub>-ZrO<Sub>2</Sub>超晶格铁电栅介质的晶体管及其制备方法
本发明属于电子技术领域，公开了一种基于HfO<Sub>2</Sub>‑ZrO<Sub>2</Sub>超晶格铁电栅介质的晶体管及其制备方法，该晶体管包括：底电极、超晶格铁电栅介质层、金属氧化物沟道、源极、漏极、绝缘电介质薄...
彭悦韩根全马煜肖文武刘艳郝跃
文献传递
超结横向氧化镓紫外探测器及其应用
本发明提出了超结横向氧化镓紫外探测器及其应用，包括衬底；氧化镓层，位于衬底上表面；氧化镍层，周期性嵌入于氧化镓层，形成异质结；阳极电极，位于氧化镓层其中一端以及氧化镓层的上表面，阴极电极，位于氧化镓层剩余一端以及氧化镓层...
李晓茜吴志帆方媛方慈浙刘艳韩根全
一种迁移率可控的场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及微电子器件领域，具体涉及一种迁移率可控的场效应晶体管及其制备方法。一种迁移率可控的场效应晶体管，包括衬底，衬底左上部设有源极区，衬底中上部设有沟道层，衬底右上部设有漏极区；沟道层左侧和右侧分别与源极区和漏极区邻...
韩根全彭悦刘芬宁肖文武刘艳郝跃
文献传递
一种降低矫顽电场的铁电电容器及制备方法
本发明公开了一种降低矫顽电场的铁电电容器及制备方法，包括自上而下设置的衬底、底电极、插入层、铁电层以及顶电极；所述电容结构为金属‑铁电‑介电‑金属双层结构；所述底电极和铁电层中间插入一层插入层；所述插入层为TiO<Sub...
李东亚刘欢刘艳韩根全玉虓郝跃
一种具有带宽差异特性的高普适性无线电能传输装置
本发明公开了一种具有带宽差异特性的高普适性无线电能传输装置，包括：初级侧装置和次级侧装置；初级侧装置包括：H桥、H桥驱动电路、扩频控制电路和初级侧线圈；扩频控制电路对伪随机序列进行扩频，产生宽带控制信号；H桥驱动电路根据...
李博谢楷徐晗张宝权磊刘艳
全选 清除 导出
共12页<12345678910>
聚类工具0