您的位置： 专家智库 > >

汪银花

作品数：19 被引量：5H指数：2
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：经济管理自然科学总论电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇经济管理
  • 1篇电子电信
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 8篇电路
  • 8篇集成电路
  • 8篇光电
  • 8篇大规模集成电...
  • 7篇异质结
  • 7篇隧穿
  • 7篇隧穿电流
  • 6篇探测器
  • 6篇极区
  • 6篇光电探测
  • 6篇光电探测器
  • 5篇晶体管
  • 4篇电极
  • 4篇电晶体
  • 4篇光电晶体管
  • 4篇光电流
  • 4篇红外
  • 4篇红外光
  • 4篇红外光电探测...
  • 4篇II型

机构

  • 19篇西安电子科技...

作者

  • 19篇汪银花
  • 17篇张春福
  • 17篇郝跃
  • 16篇韩根全
  • 10篇张进城
  • 7篇张进成
  • 7篇王轶博
  • 5篇周久人
  • 4篇彭悦
  • 1篇赵文平
  • 1篇冯倩
  • 1篇唐诗
  • 1篇陈大正

传媒

  • 1篇中外企业家

年份

  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 5篇2016
  • 6篇2015
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 19 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
基于InAsN‑GaAsSb材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管
本发明公开了一种基于InAsN‑GaAsSb材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管，主要解决现有III‑V族材料制备场效应晶体管开态电流较低的问题。其包括衬底(1)、源极(2)、沟道(3)、漏极(4)、绝缘介电质薄膜(5)及...
韩根全张春福彭悦汪银花张进城郝跃
文献传递
基于GeSn材料的光电晶体管及其制作方法
本发明公开了一种基于GeSn材料的光电晶体管及其制作方法，解决现有III‑V族中红外光电探测器件难以硅基集成和IV族硅、锗探测器探测范围窄的问题。本发明晶体管的集电极区、光吸收区、基极区、发射极区均采用IV族GeSn合金...
韩根全王轶博张春福汪银花张进成郝跃
基于GaAsN‑GaAsSb 材料的II型异质结隧穿场效应晶体管
本发明公开了一种基于GaAsN‑GaAsSb材料的II型异质结隧穿场效应晶体管，主要解决现有III‑V族材料制备隧穿场效应晶体管性能差的问题。其包括衬底(1)、源极(2)、沟道(3)、漏极(4)、绝缘电介质(5)和栅电极...
韩根全张春福彭悦汪银花张进城郝跃
文献传递
基于手机市场的顾客满意和顾客忠诚研究
随着市场竞争的加剧与争夺顾客成本的提高，培育和维护忠诚的顾客群体已经成为企业制胜的重要保证。提高顾客满意度，制定与实施顾客忠诚管理策略，为顾客提供综合性、差异化的服务，及时履行对顾客的承诺，是企业与顾客之间保持长期、双向...
汪银花
关键词：手机产业顾客满意度指数测评模型
文献传递
基于InAsN-GaAsSb材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管
本发明公开了一种基于InAsN-GaAsSb材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管，主要解决现有III-V族材料制备场效应晶体管开态电流较低的问题。其包括衬底(1)、源极(2)、沟道(3)、漏极(4)、绝缘介电质薄膜(5)及...
韩根全张春福彭悦汪银花张进城郝跃
文献传递
制造型企业中的知识管理系统研究及应用被引量：2
2008年
知识管理在改善生产管理，减少和避免由于实施不善所带来的损失，以及提高企业在仝球市场上的竞争水平和生存能力起着重要的作用。该文论述了如何往制造业中通过知识管理的核心原则有效地改善生产管理。基于“流”的慨念，生产包括等待、运输、检查和加工等过程。而加上是唯一发生增值的步骤。因此，尽量减少循环时间，减少变异，增加透明度，并不断改进整个过程成为知识管理的核心原则。
汪银花赵文平
关键词：知识管理生产管理制造业
基于GaAsN-GaAsSb材料的II型异质结隧穿场效应晶体管
本发明公开了一种基于GaAsN-GaAsSb材料的II型异质结隧穿场效应晶体管，主要解决现有III-V族材料制备隧穿场效应晶体管性能差的问题。其包括衬底(1)、源极(2)、沟道(3)、漏极(4)、绝缘电介质(5)和栅电极...
韩根全张春福彭悦汪银花张进城郝跃
文献传递
基于GeSn材料的光电晶体管及其制作方法
本发明公开了一种基于GeSn材料的光电晶体管及其制作方法，解决现有III‑V族中红外光电探测器件难以硅基集成和IV族硅、锗探测器探测范围窄的问题。本发明晶体管的集电极区、光吸收区、基极区、发射极区均采用IV族GeSn合金...
韩根全王轶博张春福汪银花张进成郝跃
文献传递
基于CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>PbI<Sub>2+x</Sub>Cl<Sub>1-x</Sub>光活性层的平面钙钛矿太阳能电池及制备方法
本发明公开了一种基于CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>PbI<Sub>2+x</Sub>Cl<Sub>1-x</Sub>光活性层钙钛矿太阳能电池及制备方法，主要解决现有光活性层材料成膜差，平整度和可...
张春福唐诗郝跃汪银花张进成王之哲陈大正
文献传递
横向Ⅳ族元素量子阱光电探测器及制备方法
本发明公开了一种横向Ⅳ族量子阱光电探测器，主要解决现有红外光电探测器材料毒性大，成本高的问题。其包括：衬底(1)、下电极(2)、吸收区(3)和上电极(4)。所述量子阱(31)采用Sn组分为大于等于0小于等于0.3的GeS...
韩根全张春福周久人汪银花张进城郝跃
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0