吕树海
- 作品数：31 被引量：18H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术机械工程电子电信航空宇航科学技术更多>>
- 半导体芯片保护层的制备方法和半导体芯片
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种半导体芯片保护层的制备方法和半导体芯片，该方法包括：在半导体芯片第一区域的上表面形成第一SiN层；其中，所述第一区域包括压点之外的区域，或所述第一区域包括所述压点之外的区域和所述压点...
- 付兴中王川宝廖龙忠吕树海张力江崔玉兴
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- 三轴热对流加速度传感器
- 本发明公开了一种三轴热对流加速度传感器，它属于微机械传感器领域。它包括内部设置有敏感元件的封闭腔体、加热器、温度传感器，加热器和三个轴向的温度传感器都设置在封闭腔体内，敏感元件为限定在封闭腔体内的气体，加热器位于封闭腔体...
- 杨拥军徐淑静吕树海
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- MEMS微加速度与微角速率集成传感器的研制被引量：1
- 2011年
- 介绍了一种全新的MEMS微型惯性器件,该器件是一种基于热对流原理的热膜式传感器,它利用一个单敏感元件同时测量加速度和角速率。该器件由一个加热器和两组微型温度传感器组成,加热器加热气体形成的热对流气体作为敏感元件,该器件通过微型温度传感器测得的热对流气体的温度差实现加速度和角速率的测量。分析了器件的工作原理,根据仿真结果设计了双层的器件结构,进行了工艺开发,加工出了原理样机。测试表明:该器件同时具备了加速度传感器和角速率传感器的检测功能,很好地验证了设计的可行性。
- 吕树海杨拥军徐淑静张旭辉
- 关键词：加速度角速率热对流
- 微加速度与微角速率单片集成传感器
- 本发明公开了一种微加速度与微角速率单片集成传感器，包括密封外壳和位于外壳内部的传感器感应芯，该感应芯为中间具有空腔的框形上下层结构，在空腔中设有与框架连接的加热器和温度传感器，加热器和下层温度传感器位于下层，构成微加速度...
- 杨拥军吕树海徐淑静徐爱东张旭辉
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- 硅MEMS惯性传感器的研究和开发
- 介绍了中国电子科技集团公司第十三研究所在MEMS惯性传感器方面的研究和开发情况。主要有已定型的±50g MEMS电容力平衡加速度传感器,即将定型的±70g二维MEMS电容力平衡加速度传感器,准备定型的±2g,±10g高分...
- 杨拥军徐爱东郑锋徐永青何洪涛卞玉民吝海锋吕树海罗蓉邹学锋
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- 第一部分:微机械惯性仪表研制与应用 硅MEMS惯性传感器研究和开发
- 介绍了中国电子科技集团公司第十三研究所在MEMS惯性传感器方面的研究和开发情况.主要有已定型的±50gMEMS电容力平衡加速度传感器,即将定型的±70g二维MEMS电容力平衡加速度传感器,准备定型的±2g,±10g高分辨...
- 杨拥军徐爱东郑锋徐永青何洪涛卞玉民吝海锋吕树海罗蓉邹学锋
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- 纳米尺度的微型温度传感器
- 本实用新型公开了一种纳米尺度的微型温度传感器，涉及传感器领域中的一种测量温度的传感器器件。它由硅腔体、下层氮化硅膜层、上层氮化硅膜层、粘附层、温敏电阻层、导电层、悬臂梁、二氧化硅膜层构成。它采用微机械加工工艺制作温敏电阻...
- 杨拥军徐淑静吕树海
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- 碳化硅器件终端结构及其制作方法
- 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅器件终端结构及其制作方法。该碳化硅器件终端结构包括N+型SiC衬底、第一N‑型外延层、第二N‑型外延层、第一P型主结、P型终端、第二P型主结、第一电极层和第二电极层，通过将P型终...
- 王永维马杰吕树海王国清张力江
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- 纳米尺度微型温度传感器的制作方法
- 本发明公开了一种纳米尺度微型温度传感器的制作方法，涉及传感器领域中的一种纳米尺度测量温度传感器器件的制作。本发明制作的器件由单晶硅片、下层氮化硅膜层、上层氮化硅膜层、粘附层、温敏电阻层、导电层、悬臂梁、二氧化硅膜层构成。...
- 杨拥军徐淑静吕树海
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- 硅基GaN单片功率集成电路的研制
- 2024年
- 研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化“T”型栅栅脚电场工艺。经过测试,硅基GaN单片功率集成电路的最大电流大于600 mA。研制结果验证了全GaN工艺实现逻辑驱动电路和功率器件系统集成的可行性,为复杂功能电路的开发提供方向和思路。
- 吕树海谭永亮默江辉周国付兴中
- 关键词：硅基GAN
