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张宝顺

作品数：6 被引量：8H指数：2
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相关领域：电子电信更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 5篇激光
  • 4篇激光器
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体激光
  • 4篇半导体激光器
  • 2篇功率
  • 2篇SCH
  • 2篇GAALAS...
  • 2篇高功率
  • 1篇单量子阱
  • 1篇电路
  • 1篇电器件
  • 1篇液相外延
  • 1篇速率方程
  • 1篇特性分析
  • 1篇阈值
  • 1篇微腔
  • 1篇微腔激光器
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇晶体

机构

  • 6篇长春光机学院
  • 1篇天津理工学院

作者

  • 6篇张宝顺
  • 4篇薄报学
  • 3篇任大翠
  • 3篇张兴德
  • 2篇宋晓伟
  • 2篇王玲
  • 1篇朱宝仁
  • 1篇田乃良
  • 1篇高欣
  • 1篇王玉霞
  • 1篇李梅
  • 1篇吴根柱

传媒

  • 2篇长春光学精密...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇中国激光
  • 1篇发光学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1996
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
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高功率GaAlAs/GaAs量子阱SCH半导体激光器
1999年
利用分子束外延生长装置生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱结构材料。样品的测量结果表明，样品质量达到了设计要求。利用该材料制作的激光二极管，室温连续工作，功率为１ Ｗ，斜率效率达到１．０４ Ｗ／Ａ。
宋晓伟张宝顺李梅薄报学
关键词：半导体激光器GAASSCH
反应离子刻蚀实验研究被引量：1
1996年
本文报告了应用反应离子刻蚀技术制作半导体激光器件的可行性工艺方法,可以对发展半导体激光器的制作有一定的指导作用。
王玲任大翠张宝顺
关键词：离子刻蚀集成电路光电器件
高功率GaAlAs/GaAsSQW激光器
1999年
利用分子束外延生长装置生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。利用该材料制作的激光二极管 ,室温连续工作 ,功率为 1W ,斜率效率达到 1 0 4W
宋晓伟王玲王玉霞张宝顺薄报学
关键词：半导体激光器分别限制结构
半导体微腔激光器阈值特性分析被引量：2
2000年
利用速率方程理论讨论了半导体微腔激光器的激射阈值与自发发射耦合系数 β之间的关系 ,分析了降低阈值的途径 ,为器件设计提供了依据。
吴根柱张宝顺曲轶任大翠张兴德
关键词：微腔激光器速率方程半导体激光器
InGaAsP/GaAs单量子阱SCH半导体激光器的液相外延被引量：5
1998年
利用一种改进的液相外延技术进行了ＧａＡｓ衬底上ＩｎＧａＡｓＰ材料的生长，１０Ｋ温度下光荧光半宽度（ＦＷＨＭ）为１４ｍｅＶ，获得了阈值电流密度为３００Ａ／ｃｍ２的ＳＣＨ多层结构外延片，宽台面激光器最大连续输出功率达到２．１Ｗ。
薄报学朱宝仁张宝顺高欣任大翠张兴德
关键词：液相外延半导体激光器激光器结构
940nm激光二极管泵浦Yb∶YAG晶体产生蓝光
2000年
田乃良张兴德杜宝勋薄报学张宝顺
关键词：激光二极管YB:YAG晶体蓝光
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