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王玲

作品数:3 被引量:1H指数:1
供职机构:长春光机学院更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 1篇单量子阱
  • 1篇单量子阱激光...
  • 1篇电路
  • 1篇电器件
  • 1篇增益
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇量子阱激光器
  • 1篇刻蚀
  • 1篇集成电路
  • 1篇功率
  • 1篇光电
  • 1篇光电器件
  • 1篇反应离子
  • 1篇反应离子刻蚀
  • 1篇分别限制结构
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体激光
  • 1篇半导体激光器

机构

  • 3篇长春光机学院

作者

  • 3篇王玲
  • 2篇任大翠
  • 2篇张宝顺
  • 1篇薄报学
  • 1篇宋晓伟
  • 1篇王玉霞

传媒

  • 3篇长春光学精密...

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1996
  • 1篇1995
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
GRINSCH-SQW激光器波导特性的数值分析
1995年
分析了具有缓变折射率分别限制单量子讲的波导特性。用有限差分方法解出了波导对于基模的等效折射率。在此基础上,通过计算波导中垂直子激光器结平面方向上的光强过场分布,进而求得有源层的光限制因子及各种波导结构参数对的影响。
李含轩任大翠王玲
关键词:增益单量子阱激光器波导
反应离子刻蚀实验研究被引量:1
1996年
本文报告了应用反应离子刻蚀技术制作半导体激光器件的可行性工艺方法,可以对发展半导体激光器的制作有一定的指导作用。
王玲任大翠张宝顺
关键词:离子刻蚀集成电路光电器件
高功率GaAlAs/GaAsSQW激光器
1999年
利用分子束外延生长装置生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。利用该材料制作的激光二极管 ,室温连续工作 ,功率为 1W ,斜率效率达到 1 0 4W
宋晓伟王玲王玉霞张宝顺薄报学
关键词:半导体激光器分别限制结构
共1页<1>
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