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张兴德

作品数：5 被引量：11H指数：2
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合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 5篇激光
  • 4篇激光器
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体激光
  • 3篇半导体激光器
  • 2篇特性分析
  • 1篇单量子阱
  • 1篇液相外延
  • 1篇速率方程
  • 1篇阈值
  • 1篇微碟激光器
  • 1篇微腔
  • 1篇微腔激光器
  • 1篇稳态
  • 1篇稳态特性
  • 1篇稳态特性分析
  • 1篇晶体
  • 1篇蓝光
  • 1篇激光二极管
  • 1篇激光二极管泵...

机构

  • 5篇长春光机学院
  • 1篇河北工学院
  • 1篇中国科学院
  • 1篇天津理工学院

作者

  • 5篇张兴德
  • 3篇任大翠
  • 3篇张宝顺
  • 2篇薄报学
  • 2篇吴根柱
  • 1篇张子莹
  • 1篇朱宝仁
  • 1篇田乃良
  • 1篇陈国鹰
  • 1篇刘文杰
  • 1篇高欣

传媒

  • 2篇中国激光
  • 1篇Journa...
  • 1篇发光学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1998
  • 1篇1990
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
半导体微腔激光器阈值特性分析被引量：2
2000年
利用速率方程理论讨论了半导体微腔激光器的激射阈值与自发发射耦合系数 β之间的关系 ,分析了降低阈值的途径 ,为器件设计提供了依据。
吴根柱张宝顺曲轶任大翠张兴德
关键词：微腔激光器速率方程半导体激光器
MOCVD生长InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟激光器被引量：4
2001年
用 MOCVD方法生长了 In Ga As/ In Ga As P多量子阱微碟激光器外延片 ,用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径 9.5μm的 In Ga As/ In Ga As P微碟激光器 ,并详细介绍了整个制备工艺过程 .在液氮温度下用氩离子激光器泵浦方式实现了低阈值光泵激射 ,测出单个微碟激光器的阈值光功率为 15 0μW,激射波长约为 1.6μm,品质因数 Q=80 0 ,激射光谱线宽为 2 nm,同时指出微碟激光器激射线宽比 F-
吴根柱张子莹任大翠张兴德
关键词：微碟激光器MOCVD生长INGAAS/INGAASP
具有梯形衬底结构半导体激光器的稳态特性分析
1990年
本文导出了梯形衬底半导体激光器的侧向扩展电流分布并提出了一种新的分析梯形衬底激光器稳态特性的模型。根据这一模型对梯形衬底双异质结结构和大光腔结构进行了分析和比较。分析结果和文献报道的实验结果很好地符合。
陈国鹰刘文杰张兴德
关键词：半导体激光器稳态特性
InGaAsP/GaAs单量子阱SCH半导体激光器的液相外延被引量：5
1998年
利用一种改进的液相外延技术进行了ＧａＡｓ衬底上ＩｎＧａＡｓＰ材料的生长，１０Ｋ温度下光荧光半宽度（ＦＷＨＭ）为１４ｍｅＶ，获得了阈值电流密度为３００Ａ／ｃｍ２的ＳＣＨ多层结构外延片，宽台面激光器最大连续输出功率达到２．１Ｗ。
薄报学朱宝仁张宝顺高欣任大翠张兴德
关键词：液相外延半导体激光器激光器结构
940nm激光二极管泵浦Yb∶YAG晶体产生蓝光
2000年
田乃良张兴德杜宝勋薄报学张宝顺
关键词：激光二极管YB:YAG晶体蓝光
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